Известия высших учебных
заведений
ЭЛЕКТРОНИКА
Том 21 № 1
Учредители:
Министерство
образования и науки
Российской Федерации
Национальный
исследовательский
университет «МИЭТ»
Главный редактор
Вернер В.Д., д.ф.-м.н., проф.
Зам. главного редактора
Чаплыгин Ю.А., чл.-корр. РАН,
д.т.н., проф.
Редакционная коллегия:
Бархоткин В.А., д.т.н., проф.
Бахтин А.А., канд. т. н., доц.
Быков Д.В., д.т.н., проф.
Гаврилов С.А., д.т.н., проф.
Горбацевич А.А., чл.-корр. РАН,
д.ф.-м.н., проф.
Грибов Б.Г., чл.-корр. РАН,
д.х.н., проф.
Казённов Г.Г., д.т.н., проф.
Коноплёв Б.Г., д.т.н., проф.
Коркишко Ю.Н., д.ф.-м.н., проф.
Королёв М.А., д.т.н., проф.
Красников Г.Я., акад. РАН,
д.т.н., проф.
Кубарев Ю.В., д.ф.-м.н., проф.
Лабунов В.А., акад. НАН
Беларуси, д.т.н., проф.
Максимов И.А., PhD, проф.
Лундского университета
(Швеция)
Меликян В.Ш., чл.-корр. НАН Армении,
д.т.н., проф.
Неволин В.К., д.ф.-м.н., проф.
Неволин В.Н., д.ф.-м.н., проф.
Петросянц К.О., д.т.н., проф.
Руденко А.А., канд.т.н., доц.
Сазонов А.Ю., PhD, проф.
Университета Ватерлоо
(Канада)
Сауров А.Н., чл.-корр. РАН, д.т.н., проф.
Селищев С.В., д.ф.-м.н., проф.
Сигов А.С., акад. РАН,
д.ф.-м.н., проф.
Таиров Ю.М., д.т.н., проф.
Телец В.А., д.т.н., проф.
Тимошенков С.П., д.т.н., проф.
Тихонов А.Н., д.т.н., проф.
Усанов Д.А., д.ф.-м.н., проф.
© “Известия вузов.
Электроника”, 2016
© МИЭТ, 2016
СОДЕРЖАНИЕ
Материалы электронной техники
Лысенко А.П., Голубятников В.А., Белов А.Г.,
Каневский В.Е. Исследование фотоэлектрических
свойств образцов высокоомного теллурида кадмияцинка
...................................................................................... 5
Технология микро- и наноэлектроники
Гаврилов С.А., Гавриш С.В., Пучнина С.В. Анализ
механизма утечки щелочного металла в стеклокерамических
соединениях сапфира с ниобием ............................. 13
Микроэлектронные приборы и системы
Жуков А.В. Влияние электрон-фононного взаимодействия
на обратные токи p–n-переходов на основе GaAs ... 21
Тимошенков С.П., Горошко В.Н., Симонов Б.М.,
Петрова В.З. Применение модифицированного уравнения
Гиббса для задач исследования отказов изделий
микросистемной техники ..................................................... 28
Нанотехнология
Федоров И.В., Ромашкин А.В., Емельянов А.В.,
Неволин В.К., Бобринецкий И.И. Узкоспектральные
фоточувствительные структуры на основе J-агрегатов
цианиновых красителей ....................................................... 38
Громов Д.Г., Дубков С.В., Павлов А.А., Скорик С.Н.,
Трифонов А.Ю., Кириленко Е.П., Шулятьев А.С.,
Шаман Ю.П., Рыгалин Б.Н. Формирование углеродных
нанотрубок на пленке аморфного сплава Ni25Ta58N17 методом
химического осаждения из газовой фазы ................ 48
2016 январь–февраль
Научно-технический журнал
Издается с 1996 г.
Выходит 6 раз в год
Стр.1
Заведующая редакцией
С.Г. Зверева
Редактор
А.В. Тихонова
Научный редактор
С.Г. Зверева
Корректор
И.В. Проскурякова
Верстка
А.Ю. Рыжков
С.Ю. Рыжков
Адрес редакции: 124498,
г. Москва, г. Зеленоград,
пл. Шокина, д. 1, МИЭТ
Тел.: 8-499-734-6205
Е-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru
Подписано в печать 16.02.2016.
Формат бумаги 6084 1/8.
Цифровая печать.
Объем 11,63 усл.печ.л.,
10,4 уч.-изд.л.
Заказ № 12.
Отпечатано
в типографии ИПК МИЭТ
124498, г. Москва, г. Зеленоград,
пл. Шокина, д. 1, МИЭТ
Свидетельство о регистрации
№ 014134
выдано Комитетом РФ по печати
12.10.95.
Включен в Перечень рецензируемых
научных изданий, в которых
должны быть опубликованы основные
научные результаты диссертаций
на соискание ученой степени кандидата
наук, на соискание ученой степени
доктора наук.
Включен в Российский индекс
научного цитирования и в Рейтинг
Science Index.
Включен в Russian Science Citation
Index на базе Web of Science.
Микро- и наносистемная техника
Браже Р.А., Савин А.Ф. Емкостные датчики на основе
нанотрубных суперконденсаторов ..................................... 55
Информационные технологии
Лосевской А.Ю. Исследование физически неклонируемых
функций на основе статической памяти ............... 61
Интегральные радиоэлектронные устройства
Зайцев А.А., Петров В.Ф. Методы ускорения переходных
процессов в синтезаторах сетки частот ................ 67
Методы и техника измерений
Смирнов Д.И., Герасименко Н.Н., Овчинников В.В.
Применение двухволновой рентгенооптической схемы
совместных измерений зеркального отражения и диффузного
рассеяния рентгеновского излучения для исследования
многослойных тонкопленочных структур .......... 75
Краткие сообщения
Белов А.Н., Плаксин В.Г., Шевяков В.И. Влияние состояния
поверхности затравочного слоя меди на однородность
электрохимического заполнения медью канавок
с субмикронными размерами ....................................... 82
Неустроев С.А. Этан как модель энергетического состояния
атомов в кристалле кубического углерода .......... 86
Комаров В.Т. Импульсный источник питания
GaN-транзисторов ................................................................ 88
Гагарина Л.Г., Федоров П.А. Анализ методов разбраковки
на основе 3D-рендеринга в технологическом процессе
производства изделий микроэлектроники ............... 91
Памяти Виталия Дмитриевича Вернера ............................ 95
Вернер В.Д. Электроника: от «микро» к «нано»
и далее… ............................................................................... 97
К сведению авторов ............................................................ 99
2
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 1 2016
Стр.2
Proceedings of Universities.
ELECTRONICS
Volume 21 N 1
Founders:
The Ministry
of Education and Science
of the Russian Federation
The National
Research University
of Electronic Technology
Editor-in-Chief
Verner V.D., Dr. Sci. (Phys.-Math.),
Prof.
Deputy Editor-in-Chief
Chaplygin Yu.A., Dr. Sci. (Tech.),
Prof., Cor. Mem. RAS
Editorial Board:
Barkhotkin V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Bahtin A.A., Cand. Sci. (Tech.)
Bykov D.V., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Gavrilov S. A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Gorbatsevich A.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.),
Prof., Cor. Mem. RAS
Gribov B. G., Dr. Sci. (Chem.), Prof.
Kazennov G.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Konoplev B.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Korkishko Yu.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Korolev M.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Krasnikov G.Ya., Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Acad. RAS
Kubarev Yu.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Labunov V.A. (Belorussia),
Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Maksimov I.A. (Sweden), PhD, Prof.
of Lund University
Melikyan V.Sh. (Armenia), Dr. Sci. (Tech.),
Prof., Cor. Mem. NAS
Nevolin V.K., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Nevolin V.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof.
Petrosyantz K.O., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Rudenko A.A., Cand. Sci. (Tech.)
Sazonov A.Yu. (Canada), PhD,
Prof. of University of Waterloo
Saurov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Cor. Mem. RAS
Selishchev S.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof.
Sigov A.S., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.,
Acad. RAS
Tairov Yu.M., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Telets V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Timoshenkov S.P., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Tikhonov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Usanov D.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
© “Proceedings of Universities.
Electronics”, 2016
© MIET, 2016
CONTENTS
Electronic engineering materials
Lysenko A.P., Golubyatnikov V.A., Belov A.G.,
Kanevskii V.E. Investigation of Photo-Electric Properties of
High-Ohmic Cadmium Telluride Samples .............................. 5
Micro- and nanoelectronic technology
Gavrilov S.A., Gavrish S.V., Puchnina S.V. Analysis of
Alkali Metal Leakage Mechanism in Metal-Ceramic Compounds
of Sapphire with Niobium .......................................... 13
Microelectronic devices and systems
Zukov A.V. Effect of Electron-Phonon Interaction on Reverse
Currents of GaAs Based Pn-Junctions ........................... 21
Timoshenkov S.P., Goroshko V.N., Simonov B.M.,
Petrova V.Z. Application of Modified Gibbs Equation for
Studies on Failures of Microsystem Technology Products ..... 28
Nanotechnology
Fedorov I.V., Romashkin A.V., Emelianov A.V.,
Nevolin V.K., Bobrinetskiy I.I. Narrow-Spectrum Photosensitive
Structures Based on J-Aggregates of Cyanine Dyes ..... 38
Gromov D.G., Dubkov S.V., Pavlov A.A., Skorik S.N.,
Trifonov A.Yu., Kirilenko E.P., Shulyat’ev A.S.,
Shaman Yu.P., Rygalin B.N. Formation of Carbon Nanotubes
on Film of Amorphous Alloy Ni25Ta58N17 by Method
of Chemical Deposition from Gas Phase ................................ 48
2016 Junuary–February
The scientific-technical journal
Published since 1996
Published 6 times per year
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 1 2016
3
Стр.3
Head of editorial staff
Zvereva S.G.
Chief editors
Tikhonova A.V.,
Proskuryakova I.V.
Make-up
Ryzhkov S.Yu.
Ryzhkov A.Yu.
Address: 124498, Moscow, Zelenograd,
Bld. 1, Shokin Square, MIET, editorial
office of the Journal «Proceedings
of universities. Electronics»
Tel.: +7-499-734-62-05
E-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru
The journal is printed at the printing
workshop of the MIET
124498, Moscow, Zelenograd,
Bld. 1, Shokin Square, MIET
The registration certificate No.014134
was given by RF Press Committee
on 12.10.95.
The journal is included into the List
of reviewed scientific publications,
in which the main scientific results
of thesis for candidate of science and
doctor degrees must be published.
The journal is included into the Russian
index of scientific citing and into the
Rating Science Index.
The journal is included into the Russian
Science Citation Index on the base
Web of Science.
Micro and nanosystem technology
Brazhe R.A., Savin A.F. Capacitance-Type Sensors Based
on Natotubular Supercapacitors ............................................. 55
Information technologies
Losevskoy A.Y. Study on Characteristics of SRAM Based
Physical Unclonable Functions .............................................. 61
Integrated radioelectronic devices
Zaitsev A.A., Petrov V.F. Speed-up of Transient Response
in PLL Synthesizers ............................................................... 67
Measurement methods and technology
Smirnov D.I., Gerasimenko N.N., Ovchinnikov V.V. Application
of a Two-Wave X-Ray Optical Scheme of Joint
Measurement of Specular Reflection and Diffuse X-Ray
Scattering for investigations of Multilayer Thin-Film Structures
........................................................................................ 75
Brief reports
Belov A.N., Paksin V.G., Shevyakov V.I. Influence of
State of Seed Copper Layer Surface on Uniformity of Electrochemical
Copper Fill of Grooves with Submicron Dimensions
....................................................................................... 82
Neoustroev S.A. Ethane as Model of Energetic State of Atoms
in Cubic Carbon Crystal ................................................. 86
Komarov V.T. Impulse Power Supply of GaN Transistors .. 88
Gagarina L.G, Fedorov P.A. Analyze of examination
methods based on 3D-rendering in technological process
production of microelectronic devices ................................... 91
In memory of Vitaliy Dmitrievich Verner ............................ 95
Verner V.D. Electronics: from «micro» to «nano» and
further levels... ........................................................................ 97
4
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 1 2016
Стр.4