КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ BRIEF REPORTS УДК 621.382 (075.8) Влияние состояния поверхности затравочного слоя меди на однородность электрохимического заполнения медью канавок с субмикронными размерами А.Н. Белов, В.Г. Плаксин, В.И. Шевяков Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Influence of State of Seed Copper Layer Surface on Uniformity of Electrochemical Copper Fill of Grooves with Submicron Dimensions A.N. <...> Shevyakov National Research University of Electronic Technology, Moscow Приведены результаты исследования влияния состояния поверхности затравочного слоя меди на однородность электрохимического заполнения медью канавок с субмикронными размерами. <...> Отмечено, что качество заполнения связано с отсутствием или наличием на поверхности затравочного слоя меди пленки оксида, характеризующейся гидрофобными свойствами. <...> Показано, что для однородного заполнения канавок медью в переходных окнах в межуровневых слоях диэлектриков при создании медной многоуровневой металлизации кремниевых ИС время межоперационного хранения пластин после осаждения затравочного слоя меди до заполнения канавок медью не должно превышать максимально допустимого (~6 ч). <...> Ключевые слова: медная металлизация; угол смачивания; затравочный слой меди; электрохимическое осаждение. <...> The results of the study on the influence of the seed copper layer surface state on the uniformity of the electrochemical copper fill of the grooves with submicron dimensions have been presented. <...> It has been noted that the quality of the filling is connected with the absence or presence on the surface of the seed layer of the copper oxide film, characterized by the hydrophobic properties. <...> It has been shown that for a uniform filling of the grooves with copper in the transition windows in the interlevel dielectric layers while creating the copper multilevel metallization of silicon ICs the time of the plates interoperational storage after deposition of the copper seed layer to <...>