МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И СИСТЕМЫ MICROELECTRONIC DEVICES AND SYSTEMS УДК 615.321 Влияние электрон-фононного взаимодействия на обратные токи p–n-переходов на основе GaAs А.В. <...> Zukov Ulyanovsk State University Разработан и реализован на примере GaAs алгоритм вычисления параметров электрон-фононного взаимодействия ловушки EL2. <...> На основе данных параметров вычислены полевые зависимости вероятностей безызлучательных переходов с данной ловушки и обратные токи p–n-переходов на GaAs, которые хорошо согласуются с результатами эксперимента. <...> На величину обратных токов p–n-переходов влияет содержание центров рекомбинации в области пространственного заряда [1, 2]. <...> Наличие центров рекомбинации приводит к росту обратных токов и «мягким» вольт-амперным характеристикам (ВАХ) в предпробойной области [2]. <...> Т Саа с соавторами была показана ведущая роль центров рекомбинации в формировании обширного участка ВАХ как при прямом смещении (рекомбинация в области пространственного заряда), так и при обратном (генерация через центры рекомбинации) [3]. <...> Тем не менее большинство исследователей по-прежнему применяют классический механизм для описания обратных ВАХ при интерпретации экспериментальных результатов. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 1 2016 21 А.В. Жуков анализ таких результатов для различных структур и материалов показывает, что классический диффузионный механизм формирования обратной ВАХ, как правило, отсутствует [2]. <...> В большинстве случаев наблюдается генерация через центры рекомбинации в области пространственного заряда, усиленная электрическим полем. <...> Задача электронно-колебательных переходов в современной формулировке впервые возникла в теории спектров молекул. <...> На основе принципа Франка – Кондона достигнуто правильное понимание физической ситуации, дано квантово-механическое обоснование этому принципу и выполнены первые квантово-механические расчеты распределения интенсивностей по колебательным подуровням электронного перехода. <...> Применительно <...>