ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
2015, № 4
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ
Основан в 1994 г.
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Васильев Д. А., Верещагин К. А., Верещагин А. К., Спасский Д. А., Соколов В. О., Хахалин А. В., Васильева Н. В.,
Галстян А. М., Плотниченко В. Г. Влияние ионов Al на оптические и кинетические свойства эпитаксиальных пленок
(Pb,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce...................................................................................................................................................................... 5
Мадатов Р. С., Алекперов А. С., Гасанов О. М. Эффект переключения и памяти в слоистых кристаллах GeS....................... 11
Поляков А. Н., Noltemeyer M., Hempel T., Christen J., Степович М. А. О практической реализации одной схемы времяпролётных
измерений в катодолюминесцентной микроскопии ................................................................................................... 16
Ташаев Ю. Н. Моделирование электростатического поля заряженного непроводящего тороида ............................................ 21
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Шумова В. В., Поляков Д. Н., Василяк Л. М. Трансформация пылевых структур в разряде постоянного тока в неоне.......... 27
Марусин В. В., Щукин В. Г. Влияние частоты поля на особенности плазменной обработки полимеров.................................. 33
Головин А. И. Влияние нагрева газа на вольт-амперную характеристику генератора электронного пучка на основе стационарного
открытого разряда ........................................................................................................................................................ 39
Тюньков А. В., Бурдовицин В. А., Казаков А. В., Медовник А. В., Окс Е. М. Масс-зарядовый состав ионов плазмы дугового
разряда форвакуумного широкоапертурного источника электронов ...................................................................................... 45
Ивонин В. В., Данилин А. Н., Ефимов Б. В., Колобов В. В., Селиванов В. Н., Василяк Л. М., Ветчинин С. П., Печеркин В. Я.,
Сон Э. Е. Оптические исследования искровых каналов в грунте при растекании импульсного тока....................................... 50
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Короннов А. А., Зверев Г. М., Землянов М. М., Жарикова Е. В., Марсагишвили Д. В. Исследование характеристик германиевого
лавинного фотодиода, подвергнутого мощному лазерному воздействию .................................................................... 54
Селяков А. Ю., Бурлаков И. Д., Филачёв А. М. Свойства корреляторов тепловых и фотоиндуцированных случайных
полей концентраций и токов подвижных носителей заряда в ИК-фотодиодах........................................................................... 59
Смирнов Д. В., Болтарь К. О., Седнев М. В., Шаронов Ю. П. Исследование характеристик мезаструктур матриц p–i–nдиодов
на основе гетероэпитаксиальных структур AlxGa1-xN....................................................................................................... 66
Залетаев Н. Б., Болтарь К. О., Лопухин А. А., Чинарёва И. В, Габбасова Э. В. Исследование планарной матрицы p–i–nфотодиодов
на основе InGaAs с p–n-переходами уменьшенных размеров.................................................................................. 71
Грузевич Ю. К., Гордиенко Ю. Н., Балясный Л. М., Альков П. С., Иванов В. Ю., Дятлов А. Л., Ваценко П. И. Фотоприемный
модуль с фотокатодом с барьером Шоттки на основе структуры InP/InGaAs/InP:Ag и с чувствительностью
до 1,7 мкм........................................................................................................................................................................................... 76
Грузевич Ю. К., Гордиенко Ю. Н., Балясный Л. М., Чистов О. В., Альков П. С., Широков Д. А., Жмерик В. Н., Нечаев Д. В.,
Иванов С. В. Разработка фотокатодов солнечно-слепого диапазона на основе ГЭС нитрида галлия алюминия, изготовленных
методом молекулярно-пучковой эпитаксии...................................................................................................................... 82
Колесова А. А., Лобачев А. В., Соломонова Н. А., Хамидуллин К. А. Определение требований к качеству оптических
поверхностей входных окон неохлаждаемых матричных фотоприемных устройств ультрафиолетового и инфракрасного
диапазона спектра ............................................................................................................................................................................. 88
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Деомидов А. Д., Полесский А. В., Семенченко Н. А., Тресак В. К., Смирнов А. А. Исследование точности измерения спектральной
характеристики методом Монте-Карло матричных ИК фотоприемников диапазона 0,9-1,7 мкм............................ 94
Деомидов А. Д., Козлов К. В., Полесский А. В., Соломонова Н. А., Фирсенкова Ю. А. Влияние низкочастотных шумов на
точность измерения сигнала фотоприемных устройств второго и третьего поколений............................................................. 102
ИНФОРМАЦИЯ
Трехтомник по твердотельной фотоэлектронике................................................................................................................... 109
Правила для авторов журнала ...................................................................................................................................................... 111
Москва
Стр.1
Учредители журнала:
Федеральное государственное унитарное предприятие
"Всероссийский научно-исследовательский институт межотраслевой информации —
федеральный информационно-аналитический центр оборонной промышленности" (ФГУП "ВИМИ")
Государственный научный центр Российской Федерации —
Акционерное общество
«Научно-производственное объединение "Орион"» (АО «НПО "Орион"»)
Межрегиональная общественная организация
«Московское физическое общество» (МОО «МФО»)
Журнал зарегистрирован в Роскомпечати. Регистрационный № 018354
Международный стандартный сериальный номер ISSN 1996-0948
Выходит 6 раз в год
Главный редактор
А. М. Филачёв, д.т.н., член-корреспондент РАН, профессор
Редакционная коллегия
А. Ф. Александров, д.ф.-м.н., профессор
С. Н. Андреев, д.ф.-м.н.
В. И. Баринов, к.ф.-м.н., доцент (зам. гл. ред.)
А. С. Бугаев, д.ф.-м.н., академик РАН, профессор
Л. М. Василяк, д.ф.-м.н., профессор (зам. гл. ред.)
И. С. Гайдукова, к.т.н., (отв. секретарь)
В. Дамньанович, д.ф.-м.н., профессор (Сербия)
В. А. Иванов, к.ф.-м.н., доцент
В. И. Конов, д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН
Ю. А. Лебедев, д.ф.-м.н.
М. Л. Лямшев, к.ф.-м.н.
В. П. Пономаренко, д.ф.-м.н., профессор
А. А. Рухадзе, д.ф.-м.н., профессор
Э. Ю. Салаев, д.ф.-м.н., академик НАН
Азербайджана, профессор
М. А. Тришенков, д.ф.-м.н., профессор
Г. М. Фрайман, д.ф.-м.н.
В. Ю. Хомич, д.ф.-м.н., академик РАН
В. А. Ямщиков, д.т.н.
Адрес редакции журнала "Прикладная физика":
111538, Москва, ул. Косинская, д. 9,
АО «НПО «Орион».
Телефон: 8 (499) 374-82-40
E-mail: advance@orion-ir.ru
Internet: applphys.orion-ir.ru
Подписано в печать 11.09.2015.
Формат А4. Бумага офсетная.
Печать цифровая. Усл. печ. л. 13,0. Уч.-изд. л. 13,4.
Тираж 140 экз. Цена договорная.
Отпечатано в типографии Издателя журнала
Адрес: 119991, Москва, Ленинский проспект, 53.
Прикладная физика®
Издатель журнала —
ООО «Издательский дом МФО»,
119991, Москва, Ленинский проспект, 53
Подписной индекс в Объединенном Каталоге
«Пресса России» — 40779
© Редколлегия журнала "Прикладная физика",
составление, 2015
© Редакция журнала «Прикладная физика»,
оформление, 2015
Стр.2
PRIKLADNAYA FIZIKA
(APPLIED PHYSICS)
2015, No. 4
THE SCIENTIFIC AND TECHNICAL JOURNAL
Founded in 1994
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
D. А. Vasil’ev, К. А. Vereshchagin, А. К. Vereshchagin, D. А. Spassky, V. O. Sokolov, A. V. Khakhalin, N. V. Vasil’eva, A. M.
Galstyan, and V. G. Plotnichenko Influence of Al ions on optical and kinetic properties of (Pb, Gd)3(Al, Ga)5O12:Ce epitaxial
films .................................................................................................................................................................................................... 5
R. S. Madatov, A. S. Alekperov, and O. M. Hasanov Change-over and memory effects in the layered GeS monocrystals ................ 11
А. N. Polyakov, M. Noltemeyer, T. Hempel, J. Christen, and M. A. Stepovich About the practical implementation of same timeof-flight
measurements scheme in cathodoluminescence microscopy ................................................................................................ 16
Y. N. Tashayev Modeling of the electrostatic field of the charged non-conducting torus ................................................................... 21
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
V. V. Shumova, D. N. Polyakov, and L. M. Vasilyak Transformation of dust structures in a dc discharge in neon............................. 27
V. V. Marusin and V. G. Shchukin Influence of frequency of a field on features of plasma treatment of polymers ........................... 33
A. I. Golovin Influence of gas heating on the voltage-current characteristic of an electron beam generator based on a stationary
open discharge..................................................................................................................................................................................... 39
A. V. Tyunkov, V. A. Burdovitsin, A. V. Kazakov, A. V. Medovnik, and E. M. Oks Mass-to-charge ion composition of arc discharge
plasma in a forevacuum wide-aperture electron source........................................................................................................... 45
V. V. Ivonin, A. N. Danilin, B. V. Efimov, V. V. Kolobov, V. N. Selivanov, L. M. Vasilyak, S. P. Vetchinin, V. Ya. Pecherkin,
and E. E. Son Optical investigations of spark channels in soil under spreading of pulse current ....................................................... 50
PHOTOELECTRONICS
А. А. Koronnov, G. M. Zverev, М. М. Zemlyanov, E. V. Zharicova, and D. V. Marsagishvili Characteristics of the germanium
avalanche photodiode subjected to a high power laser irradiation ...................................................................................................... 54
A. Yu. Selyakov, I. D. Burlakov, and A. M. Filachev Correlator’s properties for thermal and photo-induced stochastic fields of
mobile charge carriers concentrations and currents in IR photodiodes ............................................................................................... 59
D. V. Smirnov, K. O. Boltar, M. V. Sednev, and Y. P. Sharonov Research of characteristics mesa structures of the matrixes of p–
i–n diodes based on the AlxGa1-xN heteroepitaxial structures ............................................................................................................. 66
N. B. Zaletaev, K. O. Boltar, A. A. Lopukhin, I. V. Chinareva, and E. V. Gabbasova Study of the InGaAs planar p–i–n photodiode
focal plane array with p–n junctions of reduced sizes .................................................................................................................. 71
Y. K. Gruzevich, Y. N. Gordienko, L. M. Balyasnyi, P. S. Alkov, V. Y. Ivanov, A. L. Diatlov, and P. I. Vatcenko Photodetector
photocathode with a Schottky barrier based on the InP/InGaAs/InP: Ag structure sensitive up to 1.7 µ............................................ 76
Y. K. Gruzevich, Y. N. Gordienko, L. M. Balyasnyi, O. V. Chistov, P. S. Alkov, D. A. Shirokov, V. N. Zhmerik, D. V. Nechayev,
and S. V. Ivanov Development of the solar-blind range photocathodes based on aluminum gallium nitride heterostructure fabricated
by molecular beam epitaxial ...................................................................................................................................................... 82
A. A. Kolesova, A. V. Lobachyov, N. A. Solomonova, and K. A. Khamidullin Quality requirements to the windows’ optical surfaces
for the non-cooled ultraviolet and infrared photodetectors ........................................................................................................ 88
PHYSICAL APPARATUS AND ITS ELEMENTS
A. D. Deomidov, A. V. Polesskiy, N. A. Semenchenko, V. C. Tresak, and A. A. Smirnov Using Monte Carlo method for uncertainty
analysis of SWIR FPA spectral response measurement............................................................................................................ 94
A. D. Deomidov, K. V. Kozlov, A. V. Polesskiy, N. A. Solomonova, and Yu. A. Firsenkova Impact of the low-frequency noise on
measurement accuracy of a signal for photodetectors of the second and third generations ................................................................ 102
INFORMATION
Three Volumes on Photoelectronics .................................................................................................................................................. 109
Rules for authors................................................................................................................................................................................ 111
Moscow
Стр.3
Founders of the Journal:
All-Russian Research Institute for Inter-Industry Information —
a Federal Informational and Analytical Center of the Defense Industry, a Federal State Unitary Enterprise
(VIMI FSUE)
Orion Research-and-Production Association,
a State Scientific Center of the Russian Federation
(Orion R&P Association, Inc.)
Moscow Physical Society
The bi-monthly journal
ISSN 1996-0948
Editor-in-Chief
А.М. Filachev,
D.Sc., Corresponding Member of the RAS, Professor
Editorial Board
A. F. Aleksandrov, D.Sc., Professor.
S. N. Andreev, D.Sc.
V. I. Barinov, Ph.D., Associate Professor (Deputy Editor-inChief).
A.
S. Bugaev, D.Sc., Academician of the RAS, Professor.
G. M. Fraiman, D.Sc.
I. S. Gayidukova, Ph.D. (Executive Secretary).
V. Damnjanoviĉ, D.Sc., Professor (Serbia)
V. A. Ivanov, Ph.D., Associate Professor.
Yu. A. Lebedev, D.Sc.
M. L. Lyamshev, Ph.D.
V. Yu. Khomich, D.Sc., Academician of the RAS.
V. I. Konov, D.Sc., Corresponding Member of the RAS.
V. P. Ponomarenko, D.Sc., Professor.
A. A. Rukhadze, D.Sc., Professor.
E. Yu. Salayev, D.Sc., Academician of the NAS
of Azerbajan, Professor.
M. A. Trishenkov, D.Sc., Professor.
L. M. Vasilyak, D.Sc., Professor, (Deputy Editor-inChief)
V.
A. Yamschikov, D.Sc.
Address of the Editorial Staff:
Orion R&P Association, Inc.
9 Kosinskaya str., Moscow, 111538, Russia
Phone: +7 (499) 374-82-40
E-mail: advance@orion-ir.ru
Internet: applphys.orion-ir.ru
Стр.4