66 УДК 621.383:621.315.5 Исследование характеристик мезаструктур матриц p–i–n-диодов на основе гетероэпитаксиальных структур AlxGa1-xN Д. В. Смирнов, К. О. Болтарь, М. В. Седнев, Ю. П. Шаронов Сформированы мезаэлементы матриц p–i–n-диодов на основе гетероэпитаксиальных структур AlxGa1-xN, изготовленных методами молекулярно-лучевой (МЛЭ) и МОС-гидридной (МОС) эпитаксии. <...> Разделение элементов матриц формата 320 256 с шагом 30 мкм осуществлялось ионно-лучевым травлением через маску фоторезиста в потоке ионов аргона, создаваемого источником Кауфмана, в вакуумной установке. <...> Для определения необходимой глубины травления использовались методы контактной профилометрии и ультрафиолетовой спектрофотометрии, что позволило определить положение n-слоя и достаточную глубину травления образца. <...> Погрешность толщин функциональных слоев ГЭС, указанных в сертификатах производителей, не превышала 28 %. <...> Определены скорости ионно-лучевого травления слоев AlxGa1-xN с различным составом. <...> Ключевые слова: AlxGa1-xN, GaN, гетероэпитаксиальные структуры, p–i–n-фотодиод, ионно-лучевое травление, видимо-слепой поддиапазон, солнечно-слепой поддиапазон, граница поглощения (пропускания). <...> Введение Одним из перспективных направлений твердотельной фотоэлектроники является совершенствование методов создания матричных фотоприемных модулей ультрафиолетового диапазона на основе твердых растворов нитридов галлия и алюминия AlxGa1-xN [1—3]. <...> Одной из ключевых операций здесь является разделение матричных фоточувствительных элементов по мезатехнологии методом ионно-лучевого травления до n-слоя. <...> Выбор метода ионно-лучевого травления обусловлен высокой химической инертностью нитридов [4]. <...> Статья поступила в редакцию 1 июля 2015 г. © Смирнов Д. В., Болтарь К. О., Седнев М. В., Шаронов Ю. П., 2015 гетероэпитаксиальных p–i–n-структур стороны, следует учитывать возможную погрешность по толщине при выращивании гетероэпитаксиальной структуры. <...> В такой ситуации предъявляются <...>