ГЛАВНЫЙ РЕДАКТОР А. М. ШАЛАГИН
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
ЗАМЕСТИТЕЛИ ГЛАВНОГО РЕДАКТОРА: Ю. Н. ЗОЛОТУХИН,
В. К. МАЛИНОВСКИЙ
ОТВЕТСТВЕННЫЙ СЕКРЕТАРЬ
А. Л. АСЕЕВ
С. А. БАБИН
С. М. БОРЗОВ
И. В. БЫЧКОВ
В. П. КОСЫХ
Г. Н. КУЛИПАНОВ
Ю. Н. КУЛЬЧИН
А. В. ЛАТЫШЕВ
Д. М. МАРКОВИЧ
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
В. П. БЕССМЕЛЬЦЕВ
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
РЕДАКЦИОННАЯ КОЛЛЕГИЯ:
Сибирское отделение РАН
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
Институт динамики систем
и теории управления им. В. М. Матросова СО РАН
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН
Дальневосточное отделение РАН
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Институт теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН
Е. С. НЕЖЕВЕНКО Институт автоматики и электрометрии СО РАН
О. И. ПОТАТУРКИН Институт автоматики и электрометрии СО РАН
В. А. СОЙФЕР
А. А. СПЕКТОР
С. К. ТУРИЦЫН
Институт систем обработки изображений РАН
Новосибирский государственный технический университет
Г. Е. ФАЛЬКОВИЧ
Ю. В. ЧУГУЙ
Ю. И. ШОКИН
Институт фотонных технологий
университета Астон, Великобритания
Институт Вейцмана, Израиль
Конструкторско-технологический институт
научного приборостроения СО РАН
Институт вычислительных технологий СО РАН
УЧРЕДИТЕЛИ ЖУРНАЛА:
Сибирское отделение РАН,
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
Приглашённый редактор чл.-корр. РАН А. В. ДВУРЕЧЕНСКИЙ
Заведующая редакцией Р. П. ШВЕЦ
Усл. печ. л. 13,95. Усл. кр.-отт. 11,2. Уч.-изд. л. 11,2. Тираж 189 экз. Свободная цена. Заказ № 263.
Журнал зарегистрирован в Министерстве РФ по делам печати, телерадиовещания
и средств массовых коммуникаций 31.05.2002.
Свидетельство ПИ № 77-12809
Сдано в набор 4.08.2016. Подписано в печать 5.10.2016. Формат (60×84) 1/8. Офсетная печать.
Адрес редакции: Институт автоматики и электрометрии СО РАН,
просп. Академика Коптюга, 1, Новосибирск 630090,
тел. 8(383) 330-79-38, E-mail: automr@iae.nsk.su
http://sibran.ru
Издательство СО РАН, Морской просп., 2, Новосибирск 630090.
Отпечатано на полиграфическом участке Издательства СО РАН
- Сибирское отделение РАН,
Институт автоматики и
c
электрометрии СО РАН, 2016
Стр.1
Р О С С И Й С К А Я А К А Д Е М И Я Н А У К
СИБИРСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ
НАУЧНЫЙ ЖУРНАЛ
ОСНОВАН В ЯНВАРЕ 1965 ГОДА
Том 52
А В Т О М Е Т Р И Я
2016
СЕНТЯБРЬ — ОКТЯБРЬ
СОДЕРЖАНИЕ
К 85-летию И. Г. Неизвестного . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
Неизвестный И. Г. МДП-транзисторы на основе Ge — путь дальнейшего развития КМОПтехнологии
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Горохов Е. Б., Астанкова К. Н. Материаловедческие аспекты диэлектрических плёночных
композиций в планарной технологии МДП-структур на Ge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Наумова О. В., Фомин Б. И. Оптимизация отклика нанопроволочных биосенсоров . . . . . . . . . . .
Ищенко Д. В., Эпов В. С. Исследование особенностей вольт-амперных характеристик плёнок
PbSnTe:In в магнитном поле в режиме инжекции электронов из контактов . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Шамирзаев В. Т., Гайслер В. А., Шамирзаев Т. С. Отрицательное дифференциальное
сопротивление в мощных лазерных InGaN/GaN-диодах . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
ОПТИЧЕСКИЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Неизвестный И. Г., Шумский В. Н. Трёхспектральное многоэлементное фотоприёмное
устройство . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Третьяков Д. Б., Коляко А. В., Плешков А. С., Энтин В. М., Рябцев И. И., Неизвестный
И. Г. Генерация квантового ключа в однофотонных системах связи . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Неизвестный И. Г., Климов А. Э., Кубарев В. В., Шумский В. Н. Приёмники излучения
на основе плёнок PbSnTe:In, чувствительных в терагерцовой области спектра . . . . . . . . . . . . . .
БогдановЮ.И., БогдановаН.А., КатамадзеК. Г., Авосопянц Г. В., Лукичев В.Ф. Исследование
статистики фотонов с использованием компаунд-распределения Пуассона и квадратурных
измерений . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
НАНОТЕХНОЛОГИИ В ОПТИКЕ И ЭЛЕКТРОНИКЕ
Неизвестный И. Г., Володин В. А., Камаев Г. Н., Черкова С. Г., Усенков С. В.,
Шварц Н. Л. Формирование нанокристаллов кремния в гетероструктурах Si—SiO2—α-Si—
SiO2 при высокотемпературных отжигах: эксперимент и моделирование . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Двуреченский А. В., Володин В. А., Кривякин Г. К., Шкляев А. А., Кочубей С. А.,
Неизвестный И. Г., Stuchlik J. Исследование фазового и элементного составов наносистем
GeSi методом комбинационного рассеяния света при фемтосекундном импульсном отжиге . .
84
97
Рогило Д. И., Рыбин Н. Е., Федина Л. И., Латышев А. В. Распределение концентрации
адатомов на экстраширокой террасе поверхности Si(111) в условиях сублимации. . . . . . . . . . . . 103
Василенко М. А., Настовьяк А. Г., Неизвестный И. Г., Шварц Н. Л. Моделирование
методом Монте-Карло процесса формирования наноструктур АIIIВV с помощью капельной
эпитаксии . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
Ткаченко В. А., Ткаченко О. А., Квон З. Д., Латышев А. В., Асеев А. Л. Интроскопия
в наномезоскопике: одноэлектроника и квантовая баллистика . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
37
44
55
71
3
5
14
21
26
31
ВЫХОДИТ 6 РАЗ В ГОД
№ 5
ИЗДАТЕЛЬСТВО СО РАН
НОВОСИБИРСК
2016
Стр.2