52, № 5 НАНОТЕХНОЛОГИИ В ОПТИКЕ И ЭЛЕКТРОНИКЕ УДК 538.975 : 519.245 ФОРМИРОВАНИЕ НАНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ Si—SiO2—α-Si—SiO2 ПРИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ОТЖИГАХ: ЭКСПЕРИМЕНТ И МОДЕЛИРОВАНИЕ∗ И. Г. Неизвестный1, 2, В. <...> Пирогова, 2 E-mail: simsonic@isp.nsc.ru Проведены экспериментальные и модельные исследования процессов формирования кремниевых нанокристаллов (Si-НК) в многослойных структурах с чередующимися ультратонкими слоями SiO2 и аморфного гидрогенизированного кремния (α-Si:H) в условиях высокотемпературных отжигов. <...> Методом Монте-Карло проанализированы условия и кинетика формирования Si-НК. <...> Обнаружена зависимость типа формируемых кристаллических кремниевых кластеров от толщины и пористости исходного аморфного кремниевого слоя, заключённого между слоями SiO2. <...> Показано, что увеличение толщины слоя α-Si при низкой пористости приводит к образованию перколяционного кремниевого кластера вместо изолированных Si-НК. <...> Ключевые слова: многослойные структуры, нанокристаллы, кремний, тонкие плёнки SiO2, плазмохимическое осаждение, моделирование методом Монте-Карло. <...> Кремниевые нанокристаллы (Si-НК) представляют интерес как новые элементы опто- и микроэлектроники [1, 2]. <...> Кремниевые нанокластеры в матрице SiO2 являются перспективными и для использования в элементах памяти на основе кремния [5, 6]. <...> Введение в диэлектрик нанокластеров Si может способствовать понижению случайного характера возникновения проводящего канала [10]. <...> Способность систем, содержащих такие нанокластеры, излучать свет или сохранять заряд зависит от характеристик кластеров: размера, состава, пространственного распределения, природы границы раздела [4, 11]. <...> Наиболее распространённым способом создания Si-НК является отжиг нестехиометрического оксида кремния (обогащённого кремнием): при отжиге происходит формирование кремниевых кластеров в матрице диоксида кремния. <...> Существует много методов создания слоёв SiOx: ионная имплантация кремния в SiO2 [12, 13], распыление <...>