52, № 5 УДК 538.958 ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ В МОЩНЫХ ЛАЗЕРНЫХ InGaN/GaN-ДИОДАХ∗ В. Т. <...> Мира, 19 E-mail: tim@isp.nsc.ru Демонстрируется отрицательное дифференциальное сопротивление в ультрафиолетовых лазерных InGaN/GaN-диодах. <...> Переключение между нижней и верхней ветвями S-образной вольт-амперной характеристики приводит к изменению мощности оптического излучения на шесть порядков при увеличении тока от 3 до 15 мА. <...> Появление отрицательного дифференциального сопротивления объясняется сверхлинейной инжекцией носителей заряда одного знака в высокоомную квантовую InGaN-яму. <...> Использование этих широкозонных материалов позволило разработать высокоэффективные светодиодные и лазерные InGaN/GaN-излучатели ультрафиолетового диапазона, которые широко применяются для оптической записи информации [1]. <...> В настоящее время исследования светоизлучающих InGaN/GaN-гетероструктур направлены главным образом на увеличение их оптической мощности и эффективности излучения при высоких уровнях накачки [2–6]. <...> Между тем наличие в таких структурах встроенных в p–n-переход нелегированных InGaN-областей в условиях экспоненциальной зависимости текущего через p–n-переход тока от напряжённости приложенного к нему электрического поля [7] может приводить к сильным, но практически неизученным нелинейным эффектам уже при малых уровнях накачки. <...> В лазерных диодах (ЛД) на основе InGaN/GaN было обнаружено стимулированное линейно поляризованное излучение при низких (существенно ниже порога лазерной генерации) уровнях протекающего через ЛД тока [8, 9]. <...> Согласно расчётам, приведённым в [10], другим проявлением нелинейности в лазерных структурах должно быть немонотонное поведение дифференциального сопротивления. <...> Задача данной работы — экспериментальная демонстрация отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС) в ультрафиолетовых (λ = 407 нм) лазерных InGaN/GaN-диодах, которое сопровождается сильной бистабильностью их излучательных свойств <...>