Академика Лаврентьева, 11 E-mail: klimov@thermo.isp.nsc.ru Представлен обзор исследований фотоэлектрических свойств плёнок PbSnTe:In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, и параметров фоточувствительных структур дальнего ИК- и субмиллиметрового диапазонов на их основе. <...> Сравниваются параметры многоэлементных фотоприёмных устройств этого типа и приёмников на основе примесных полупроводников и сверхпроводников. <...> Реализованы линейчатые (2 Ч 128 элементов) и матричные (128 Ч 128 элементов) многоэлементные фотоприёмные устройства на основе PbSnTe:In с краем чувствительности ∼22 мкм и рабочей температурой T ≤ 16 К. <...> В бесфоновых условиях мощность, эквивалентная шуму, достигала значений МЭШ ≤ 10−18 Вт/Гц0,5 при T = 7 К по источнику излучения типа абсолютно чёрное тело с TАЧТ = 77 К. <...> В субмиллиметровой области спектра наблюдалась чувствительность к лазерному излучению с длиной волны λ ≤ 205 мкм и величиной МЭШ ≤ 10−12 Вт/Гц0,5 без оптимизации конструкции макета фоточувствительного элемента и минимизации шумов схемы измерений. <...> Рассмотрены направления развития приёмников излучения на основе PbSnTe:In. <...> На первый взгляд, меняя состав x, можно получать сколь угодно малую ширину запрещённой зоны PbSnTe и соответственно материал для фотоприёмников (ФП) со сколь угодно большой длинноволновой границей чувствительности λmax, обусловленной межзонными переходами. <...> Однако состав x задаёт не только величину Eg(λmax), но и ряд других параметров PbSnTe, принципиально влияющих на пороговые параметры ФП различного типа. <...> В первую очередь это относится к уровню легирования (или к концентрации равновесных свободных носителей заряда n0 или p0) и времени жизни неравновесных носителей заряда τ, играющих определяющую роль в параметрах ФП на основе p–n-переходов (фотодиодов (ФД)) [2] и фотопроводимости (фотосопротивлений (ФС)). <...> При этом необходимо подчеркнуть, что в PbSnTe собственные точечные дефекты, а именно вакансии металлов и теллура, электрически активны <...>