Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 635165)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Автометрия  / №5 2016

ОПТИМИЗАЦИЯ ОТКЛИКА НАНОПРОВОЛОЧНЫХ БИОСЕНСОРОВ (300,00 руб.)

0   0
Первый авторНаумова
АвторыФомин Б.И.
Страниц5
ID481512
АннотацияНанопроволочные полевые транзисторы являются высокочувствительными сенсорными элементами, предназначенными для качественного и количественного анализов биологических и химических веществ. Оптимизация режима работы сенсоров — одна из ключевых задач повышения их чувствительности. Предложен алгоритм выбора режима работы сенсоров на основе КНИ-транзисторов, позволяющий обеспечить их максимальный отклик в процессе мониторинга проводимости при детекции целевых частиц
УДК621.382; 353-083; 53-088
Наумова, О.В. ОПТИМИЗАЦИЯ ОТКЛИКА НАНОПРОВОЛОЧНЫХ БИОСЕНСОРОВ / О.В. Наумова, Б.И. Фомин // Автометрия .— 2016 .— №5 .— С. 21-25 .— URL: https://rucont.ru/efd/481512 (дата обращения: 07.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Академика Лаврентьева, 13 E-mail: naumova@isp.nsc.ru Нанопроволочные полевые транзисторы являются высокочувствительными сенсорными элементами, предназначенными для качественного и количественного анализов биологических и химических веществ. <...> Оптимизация режима работы сенсоров — одна из ключевых задач повышения их чувствительности. <...> Предложен алгоритм выбора режима работы сенсоров на основе КНИ-транзисторов, позволяющий обеспечить их максимальный отклик в процессе мониторинга проводимости при детекции целевых частиц. <...> Хорошо известно, что из-за большого аспектного соотношения поверхность/объём нанопроволоки (НП) с омическими контактами на концах (областями стокаистока) могут быть использованы в качестве высокочувствительных сенсорных элементов [1–7]. <...> В таких сенсорах любая частица, адсорбируемая на поверхность НП, действует как локальный виртуальный затвор, вызывая изменение поверхностного потенциала и соответственно проводимости НП [1, 2]. <...> Предельная чувствительность этих сенсоров составляет одну частицу на проволоку при сопоставимости размеров НП и области обеднения, индуцируемой адсорбируемой частицей. <...> Сенсорные элементы могут изготавливаться в виде отдельно стоящих или размещённых на диэлектрике нанопроволок. <...> Локализация НП на диэлектрике (отсечение НП от проводящей подложки слоем диэлектрика, например, при изготовлении их на структурах кремний-на-изоляторе (КНИ)) превращает такой сенсор в полевой МОП-транзистор с двойным затвором. <...> Подложка структур, в частности КНИ, используется в качестве управляющего электрода—тылового затвора (BG), на котором напряжением VBG формируется канал проводимости вблизи границы раздела скрытый диэлектрикНП. <...> Адсорбируемая частица с зарядом Qad действует как второй, виртуальный или верхний затвор (TG), вызывая изменение проводимости в канале из-за взаимосвязи потенциалов на противоположных границах НП [8, 9]. <...> Для сенсоров, работающих в режиме обеднения <...>