52, № 5 УДК 539.211 + 538.971 РАСПРЕДЕЛЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ АДАТОМОВ НА ЭКСТРАШИРОКОЙ ТЕРРАСЕ ПОВЕРХНОСТИ Si(111) В УСЛОВИЯХ СУБЛИМАЦИИ∗ Д. И. <...> Пирогова, 2 E-mail: rogilo@isp.nsc.ru Методами in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии и ex situ атомно-силовой микроскопии исследован процесс формирования адсорбционного слоя на поверхности Si(111) в условиях сублимации при температурах 1000–1100 ◦C и последующей закалки до T = 750 ◦C. <...> Впервые получено распределение концентрации адатомов на экстраширокой (∼60 мкм) атомно-гладкой террасе и определена их диффузионная длина xs = 31±2 мкм при T = 1000 ◦C. <...> В результате анализа температурной зависимости равновесной концентрации адатомов вблизи моноатомной ступени впервые измерена энергия выхода адатома из ступени на террасу Ead ≈ 0,68 эВ. <...> Ключевые слова: кремний, поверхностная диффузия, сверхструктура, атомные ступени, отражательная электронная микроскопия, атомно-силовая микроскопия. <...> Движение моноатомных ступеней на поверхности кристалла как фундаментальный процесс, отвечающий за эпитаксиальный рост, сублимацию и морфологические перестройки поверхности, является предметом интенсивных теоретических и экспериментальных исследований в целях развития новых технологий [1, 2]. <...> Во всех случаях движение ступеней связано с поглощением и эмиссией адатомов, устанавливающими переход к понижению поверхностной энергии кристалла. <...> Однако параметры этих процессов, такие как активационные энергии встраивания и выхода адатомов из ступеней, диффузионная длина адатомов, их концентрация и распределение на террасе чрезвычайно трудны для измерения из-за сложности механизма взаимодействия адатомов со ступенями и зависимости свойств самих ступеней от наличия сверхструктуры, ориентации, плотности кинков [3, 4]. <...> Тем не менее достигнутый на сегодняшний день уровень понимания процессов роста позволяет разрабатывать различные низкоразмерные полупроводниковые структуры (слои с двумерным <...>