Известия высших учебных заведений. Электроника №6 2015 (1430,00 руб.)

Стр.1

Стр.2

Стр.3

Стр.4

Известия высших учебных заведений ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 6 Учредители: Министерство образования и науки Российской Федерации Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Главный редактор Вернер В.Д., д.ф.-м.н., проф. Зам. главного редактора Чаплыгин Ю.А., чл.-корр. РАН, д.т.н., проф. Редакционная коллегия: Бархоткин В.А., д.т.н., проф. Бахтин А.А., канд. т. н., доц. Быков Д.В., д.т.н., проф. Гаврилов С.А., д.т.н., проф. Горбацевич А.А., чл.-корр. РАН, д.ф.-м.н., проф. Грибов Б.Г., чл.-корр. РАН, д.х.н., проф. Казённов Г.Г., д.т.н., проф. Коноплёв Б.Г., д.т.н., проф. Коркишко Ю.Н., д.ф.-м.н., проф. Королёв М.А., д.т.н., проф. Красников Г.Я., акад. РАН, д.т.н., проф. Кубарев Ю.В., д.ф.-м.н., проф. Лабунов В.А., акад. НАН Беларуси, д.т.н., проф. Максимов И.А., PhD, проф. Лундского университета (Швеция) Меликян В.Ш., чл.-корр. НАН Армении, д.т.н., проф. Неволин В.К., д.ф.-м.н., проф. Неволин В.Н., д.ф.-м.н., проф. Петросянц К.О., д.т.н., проф. Руденко А.А., канд.т.н., доц. Сазонов А.Ю., PhD, проф. Университета Ватерлоо (Канада) Сауров А.Н., чл.-корр. РАН, д.т.н., проф. Селищев С.В., д.ф.-м.н., проф. Сигов А.С., акад. РАН, д.ф.-м.н., проф. Таиров Ю.М., д.т.н., проф. Телец В.А., д.т.н., проф. Тимошенков С.П., д.т.н., проф. Тихонов А.Н., д.т.н., проф. Усанов Д.А., д.ф.-м.н., проф. © “Известия вузов. Электроника”, 2015 © МИЭТ, 2015 СОДЕРЖАНИЕ Материалы электронной техники Завгородняя М.И., Лавров И.В. Методы учета случайности формы включений при вычислении эффективных диэлектрических характеристик гетерогенных текстурированных материалов ........................................................... 565 Голубятников В.А., Лысенко А.П., Белов А.Г., Каневский В.Е. Метод исследования гальваномагнитных свойств CdхHg 1хTe и CdхHg 1хTe/Cd1уZnуTe ............ 576 Технология микро- и наноэлектроники Пятилова О.В., Сыса А.В., Гаврилов С.А., Якимова Л.В., Павлов А.А., Белов А.Н., Раскин А.А. Влияние переноса ионов Ag+ на локализацию металл-стимулированного травления поверхности кремния ......................................... 582 Лаврентьев К.К., Неволин В.К., Розанов Р.Ю., Царик К.А., Зайцев А.А. Формирование наноразмерных элементов затворов СВЧ-транзисторов методом ионнолучевой литографии .............................................................. 591 Микроэлектронные приборы и системы Сергеев В.А., Фролов И.В., Широков А.А. Двухсекционная низкочастотная эквивалентная схема зеленых InGaN-светодиодов для описания шумовых характеристик ......................................................................................... 598 Садков В.Д., Лопаткин А.В. Уточненная модель низкоомных пленочных резисторов с гребенчатой структурой ............................................................................. 607 2015 ноябрь–декабрь Научно-технический журнал Издается с 1996 г. Выходит 6 раз в год

Стр.1

Заведующая редакцией С.Г. Зверева Редактор А.В. Тихонова Научный редактор С.Г. Зверева Корректор И.В. Проскурякова Верстка А.Ю. Рыжков С.Ю. Рыжков Адрес редакции: 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1, МИЭТ Тел.: 8-499-734-6205 Е-mail: magazine@miee.ru http://www.miet.ru Подписано в печать 16.12.2015. Формат бумаги 6084 1/8. Цифровая печать. Объем 11,63 усл.печ.л., 11,4 уч.-изд.л. Заказ № 96. Отпечатано в типографии ИПК МИЭТ 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1, МИЭТ Свидетельство о регистрации № 014134 выдано Комитетом РФ по печати 12.10.95. Включен в Перечень рецензируемых научных изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертаций на соискание ученой степени кандидата наук, на соискание ученой степени доктора наук. Включен в Российский индекс научного цитирования и в Рейтинг Science Index. Схемотехника и проектирование Бачманов В.А., Заболотнов И.В., Лапин А.В. Применение табличных моделей туннельных эффектов для ускорения SPICE-моделирования нанометровых МОПтранзисторов ......................................................................... 616 Информационные технологии Джиган В.И., Смекалов А.И. Цифровой синтезатор с прямым вычислением гармонического сигнала ................ 625 Переверзев А.Л., Силантьев А.М. Анализ проблем создания платформонезависимого HDL-описания модуля быстрого преобразования Фурье ................................... 634 Краткие сообщения Дюжев Н.А., Королёв М.А., Катеев М.В., Гусев Е.Э. Моделирование зависимости выходных характеристик первичного преобразователя датчика потока мембранного типа от его конструктивных параметров ....................... 644 Петросянц К.О., Кожухов М.В. Влияние параметров слоя кремний-германиевой базы на эффект саморазогрева в структуре гетеропереходного биполярного транзистора ...................................................................................... 648 Тимошенков В.П., Ваньков В.А., Стародубцев К.С. Дельта-сигма-модулятор для мультистандартной обработки сигналов ...................................................................... 652 Тематический указатель статей, опубликованных в 2015 году ................................................................................ 656 Встреча в МИЭТ с нобелевским лауреатом по физике Жоресом Ивановичем Алфёровым ....................... 2 стр. обложки 562 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 6 2015

Стр.2

Proceedings of Universities. ELECTRONICS Volume 20 N 6 Founders: The Ministry of Education and Science of the Russian Federation The National Research University of Electronic Technology Editor-in-Chief Verner V.D., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. Deputy Editor-in-Chief Chaplygin Yu.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof., Cor. Mem. RAS Editorial Board: Barkhotkin V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Bahtin A.A., Cand. Sci. (Tech.) Bykov D.V., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Gavrilov S. A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Gorbatsevich A.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., Cor. Mem. RAS Gribov B. G., Dr. Sci. (Chem.), Prof. Kazennov G.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Konoplev B.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Korkishko Yu.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. Korolev M.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Krasnikov G.Ya., Dr. Sci. (Tech.), Prof., Acad. RAS Kubarev Yu.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. Labunov V.A. (Belorussia), Dr. Sci. (Tech.), Prof. Maksimov I.A. (Sweden), PhD, Prof. of Lund University Melikyan V.Sh. (Armenia), Dr. Sci. (Tech.), Prof., Cor. Mem. NAS Nevolin V.K., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. Nevolin V.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof. Petrosyantz K.O., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Rudenko A.A., Cand. Sci. (Tech.) Sazonov A.Yu. (Canada), PhD, Prof. of University of Waterloo Saurov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof., Cor. Mem. RAS Selishchev S.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof. Sigov A.S., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., Acad. RAS Tairov Yu.M., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Telets V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Timoshenkov S.P., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Tikhonov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Usanov D.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. © “Proceedings of Universities. Electronics”, 2015 © MIET, 2015 2015 November–December The scientific-technical journal Published since 1996 Published 6 times per year CONTENTS Electronic engineering materials Zavgorodnyaya M.I., Lavrov I.V. Methods of Accounting of Randomness of Inclusions’ Form in Calculation of Effective Dielectric Characteristics of the Heterogeneous Textured Materials ........................................................................ 565 Golubyatnikov V.A., Lysenko A.P., Belov A.G., Kanevskii V.E. Method of Study on Galvanomagnetic Properties of CdxHg1xTe and CdxHg1xTe/Cd1yZnyTe .................. 576 Micro- and nanoelectronic technology Pyatilova O.V., Sysa A.V., Gavrilov S.A., Yakimova L.V., Pavlov A.A., Belov A.N., Raskin A.A. Effect of Ionic Ag+ Transfer on Localization of Metal-Assisted Etching of Silicon Surface ............................................................................. 582 Lavrentyev K.K., Nevolin V.K., Rozanov R.Yu., Tsarik K.A., Zaitsev A.A. Formation of Nanosize Elements of Microwave Transistors Gates by Ion Beam Lithography ... 591 Microelectronic devices and systems Sergeev V.A., Frolov I.V., Shirokov A.A. Double Stage Low Frequency Noise Equivalent Circuit of Green InGaN LEDs for Description of Noise Characteristics ....................... 598 Sadkov V.D., Lopatkin A.V. More Precise Model of Low Impedance Film Resistors with Comb Structure..................... 607 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 6 2015 563

Стр.3

Head of editorial staff Zvereva S.G. Chief editors Tikhonova A.V., Proskuryakova I.V. Make-up Ryzhkov S.Yu. Ryzhkov A.Yu. Address: 124498, Moscow, Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square, MIET, editorial office of the Journal «Proceedings of universities. Electronics» Tel.: +7-499-734-62-05 E-mail: magazine@miee.ru http://www.miet.ru The journal is printed at the printing workshop of the MIET 124498, Moscow, Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square, MIET The registration certificate No.014134 was given by RF Press Committee on 12.10.95. The journal is included into the List of reviewed scientific publications, in which the main scientific results of thesis for candidate of science and doctor degrees must be published. The journal is included into the Russian index of scientific citing and into the Rating Science Index. Circuit engineering and design Bachmanov V.A., Zabolotnov I.V., Lapin A.V. Implementation of Table Models of Tunneling Effects for Acceleration SPICE-Simulation of Nanometer MOSFET Transistors . 616 Information technologies Djigan V.I., Smekalov A.I. Digital Synthesizer Based on Direct Calculation of Harmonic Signal .................................. 625 Pereverzev A.L., Silantyev A.M. Analysis Problems in of Creating a Platform Independent HDL-Description of Fast Fourier Transform Module ..................................................... 634 Brief reports Dyuzhev N.A., Korolev M.A., Kateev M.V., Gusev Ye.E. Simulation of Dependence of Output Characteristics of Membrane Type Primary Flow Sensor Converter on Its Design Parameters ...................................................................... 644 Petrosyants K.O., Kozhukhov M.V. Effect of SiGe Base Layer Parameters on Self-Heating Effect on Temperature Distribution in Heterojuction Bipolar Transistor Structure .... 648 Timoshenkov V.P., Vankov V.A., Starodubtsev K.S. Delta Sigma Modulator for Multistandard Signal Processing ......... 652 564 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 6 2015

Стр.4