Методы учета случайности формы включений при вычислении эффективных диэлектрических характеристик гетерогенных текстурированных материалов (154,00 руб.)

МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ELECTRONIC ENGINEERING MATERIALS УДК 537.226 Методы учета случайности формы включений при вычислении эффективных диэлектрических характеристик гетерогенных текстурированных материалов М. <...> Lavrov2 1National Research Nuclear University MEPhI, Moscow 2National Research University of Electronic Technology, Moscow Рассмотрены два метода учета случайности формы включений для вычисления тензора эффективной диэлектрической проницаемости текстурированной гетерогенной среды матричного типа с включениями случайной эллипсоидальной формы: аналитический и метод моделирования среды с несколькими видами включений. <...> Для учета распределения ориентаций включений применены представления группы вращений. <...> Проведено сравнение результатов вычисления этими методами эффективных диэлектрических характеристик моделей пористого кремния в переменном электромагнитном поле в диапазоне частот 103–108 Гц. <...> Ключевые слова: гетерогенный материал; композит; тензор эффективной диэлектрической проницаемости; текстура; ориентация; случайная эллипсоидальная форма; приближение МаксвеллаГарнетта. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 6 2015 565 М.И. Завгородняя, И.В. Лавров tion of effective dielectric characteristics of porous silicon models in the frequency range of 103–108 Hz produced by these two methods have been compared. <...> Задача вычисления эффективных физических характеристик гетерогенных материалов уже полтора века интересует исследователей, несмотря на большое количество работ по этой тематике. <...> Данный факт, во-первых, объясняется тем, что гетерогенные материалы – композиты, нанокомпозиты, поликристаллы и пленки из них, а также различные пористые структуры – широко используются в науке и технике. <...> Например, при создании искусственных материалов из кристаллитов специально выстраивают структуры с выделенными направлениями, в природных материалах текстура образуется под воздействием внешних напряжений и полей. <...> Примерами аналитического подхода к учету текстуры в поликристаллических материалах являются работы [46], в материалах <...>