УДК 537.534.35:621.382.323 Формирование наноразмерных элементов затворов СВЧ-транзисторов методом ионно-лучевой литографии К.К. Лаврентьев, В.К. Неволин, Р.Ю. Розанов, К.А. Царик, А.А. Зайцев Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Formation of Nanosize Elements of Microwave Transistors Gates by Ion Beam Lithography K.K.Lavrentyev, V.K.Nevolin, R.Yu.Rozanov, K.A.Tsarik, A.A.Zaitsev National Research University of Electronic Technology, Moscow Изложена методика формирования наноразмерного затвора мощного СВЧ-транзистора. <...> Определены оптимальные параметры экспонирования резистов 950-ПММА-А2 и ЭЛП-20. <...> Отработана технология создания непрерывной сетки заземленных знаков совмещения поверх чувствительного к ионам резиста для визуализации знаков совмещения на диэлектрической подложке методом ионной микроскопии. <...> Ключевые слова: ионно-лучевая литография; СВЧ-транзистор; фокусированный ионный пучок; полиметилметакрилат; ионная микроскопия; знаки совмещения; многослойный резист. <...> The technological route of ion beam lithography using the multilayer resists has been developed and investigated. <...> Keywords: ion beam lithography; high electron mobility transistor; focused ion beam; nitride electronics; polymethylmethacrylate; scanning gallium-ion microscopy; alignment marks. <...> Одним из методов улучшения данных электрофизических характеристик приборов является уменьшение размеров элементов, в частности создание наноразмерных затворов. <...> Таким методом является ионно-лучевая литография, имеющая ряд преимуществ относительно электронно-лучевой. <...> Ионы обладают большей массой по сравнению с электронами и поэтому отдают свою энергию более эффективно, а рассеяние пучка при этом меньше [2]. <...> Боковое рассеяние ионов при их проникновении в вещество и обратное рассеяние ионов от подложки незначительны, а вторичные электроны, инициированные ионным пучком, имеют малую энергию по сравнению с электронной литографией и, следовательно, малую длину свободного пробега. <...> В результате отсутствует нежелательное паразитное экспонирование соседних областей в объеме резиста и влияние эффекта близости крайне мало. <...> Обратное рассеяние ионов от подложки <...>