Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 635213)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Известия высших учебных заведений. Электроника  / №6 2015

Применение табличных моделей туннельных эффектов для ускорения SPICE-моделирования нанометровых МОП-транзисторов (154,00 руб.)

0   0
Первый авторБачманов
АвторыЗаболотнов И.В., Лапин А.В.
Страниц9
ID376612
АннотацияПриведены результаты реализации методики ускорения SPICEмоделирования применительно к учету туннельных эффектов в нанометровых МОП-транзисторах. Показано, что замена сложных моделей этих эффектов табличными представлениями существенно ускоряет моделирование схем, содержащих указанные транзисторы.
УДК621.3
Бачманов, В.А. Применение табличных моделей туннельных эффектов для ускорения SPICE-моделирования нанометровых МОП-транзисторов / В.А. Бачманов, И.В. Заболотнов, А.В. Лапин // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2015 .— №6 .— С. 56-64 .— URL: https://rucont.ru/efd/376612 (дата обращения: 09.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

СХЕМОТЕХНИКА И ПРОЕКТИРОВАНИЕ CIRCUIT ENGINEERING AND DESIGN УДК 621.3 Применение табличных моделей туннельных эффектов для ускорения SPICE-моделирования нанометровых МОП-транзисторов В.А. <...> Лапин1,2 1АО «Ангстрем-Т» (г. Москва) 2Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Implementation of Table Models of Tunneling Effects for Acceleration SPICE-Simulation of Nanometer MOSFET Transistors V.A. <...> Lapin2 1SC “Angstrem-T”, Moscow 2National Research University of Electronic Technology Приведены результаты реализации методики ускорения SPICEмоделирования применительно к учету туннельных эффектов в нанометровых МОП-транзисторах. <...> Показано, что замена сложных моделей этих эффектов табличными представлениями существенно ускоряет моделирование схем, содержащих указанные транзисторы. <...> Из них особое внимание заслуживают явления туннелирования, поскольку заметно снижают такие преимущества КМОП-схем, как почти нулевое потребление в статическом режиме и отсутствие гальванической связи между входами и выходами элементов. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 6 2015 Применение табличных моделей туннельных эффектов. <...> Уточнение транзисторной модели эффектами туннелирования токов через подзатворный окисел и затворного индуцирования токов в областях стока, истока приводит к многократному замедлению SPICE-счета схем либо к его прерыванию. <...> Степень замедления SPICE-счета определяется многими факторами и поэтому колеблется от 3 до 100 раз и более, так как зависит от характера функций для описания утечек генераторами тока, способов отсечения в этих функциях лишних ветвей и приемов блокировки сингулярностей. <...> Степень замедления зависит и от класса моделируемых схем, а также от того, какой из модельных уровней, нижний или верхний, дополняется новыми эффектами. <...> Нижний уровень соответствует встроенным в симулятор моделям схемных компонентов и доступен только разработчикам модели и симулятора. <...> Верхний уровень соответствует подсхемам и потому доступен пользователям симулятора. <...> На нижнем уровне модифицируются устаревшие модели и внедряются <...>