Пособие состоит из двух тематических разделов: первый включает тексты о технологии CMOS, второй —о нанотехнологиях. <...> Каждый текст, предназначенный для чтения и перевода, сопровождается упражнениями на отработку лексико-грамматических конструкций и повторение материала, вызывающего наибольшие трудности на экзамене. <...> It seems intuitively obvious that continued reduction of the area of a transistor by a factor of 2 every three years cannot be sustained forever. <...> A recent research pointed out that the particular transistors in dominant use today (complementary p-type and n-type field-effect transistors, called CMOS) will soon have a lower rate of performance increase as their size is reduced. <...> It is concluded that the current rate of transistor performance improvement can be sustained for another 10 to 15 years, but only through the development of new materials and transistor structures. <...> In addition, a major change in lithography will be required to continue size reduction. <...> Second, 25% of the increase is due to larger chip sizes, made possible by enhanced manufacturing techniques and better lithography. <...> The increase in processor performance results from both an increase in density and an improvement in transistor design. <...> Lithography to enable the manufacturing of components with smaller dimensions. 5 2. <...> Proper transistor design to achieve higher performance at smaller dimensions as well as innovative layout to gain density. 3. <...> To improve exponentially; pace of improvement; intuitively obvious; to sustain the pace; to drop at the rate; key principles; insight into the future; field-effect transistors; major hurdle; to come true; enhanced manufacturing techniques; automatic consequences. 1/2. <...> Text 2 Lithography Lithography is the means by which patterns are delineated on wafers and is therefore the primary driving force behind the reduction of the size of transistors. <...> Below halfmicron dimensions, a transition to deep ultraviolet (DUV) light sources (either mercury source or, increasingly, excimer lasers) at 248-nm wavelength has enabled lithographers to pattern 0.25-mm dimensions, also 7 equivalent to the wavelength. <...> Optical proximity correction techniques are therefore a critical part of enabling future lithography. <...> Potentially, it may be possible to define features down to half the dimension of the wavelength. <...> The industry is <...>
Обучение_чтению_литературы_на_английском_языке_по_специальности_Конструирование_и_технология_электронно-вычислительной_аппаратуры.pdf
УДК 802.0
ББК 81.2 Англ.-923
К63
Комарова О. И.
К63 Обучение чтению литературы на английском языке по специальности
«Конструирование и технология электронно-вычислительной
аппаратуры»: учеб.-метод. пособие / О.И.Комарова, Е.И. Румянцева.—ч.
3.—М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э.Баумана, 2010.—36, [2] с. :
ил.
Пособие состоит из двух тематических разделов: первый включает
тексты о технологии CMOS, второй —о нанотехнологиях. Отдельно
предлагаются тексты для ознакомительного чтения и краткого изложения
содержания прочитанного. Тексты представляют собой статьи (или
извлечения из статей) англоязычных авторов. Пособие содержит также
упражнения на понимание текста, отработку и закрепление лексико-грамматических
конструкций, развитие навыков устной речи.
Для студентов 4-го курса, обучающихся по специальности «Конструирование
и технология электронно-вычислительной аппаратуры».
УДК 802.0
ББК 81.2 Англ.-923
МГТУ им. Н.Э.Баумана, 2010
c
Стр.2
Оглавление
Предисловие . . . . . . . . . . . ... .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. 3
Unit 1. CMOS Technology .... .... ... .... .... .... .... ... . 4
Text 1. The Importance of Moor’s Law . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Text 2. Lithography . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
Text 3. Transistor Scaling and Design .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. 11
Unit 2. Nanotechnology .. .... .... ... .... .... .... .... ... . 17
Text 4. What is Nanotechnology? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
Text 5. Heterogeneous Three-Dimensional Electronics . . . . . . . . . . . . 22
Text 6. Nanophotonic Structures Suitable for CMOS Compatible
Technologies . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
Unit 3. Texts for Rendering ... .... ... .... .... .... .... ... . 30
Text 1. Critical Part of a CMOS System . .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. . 30
Text 2. Memory Cells Scaling . .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. . 31
Text 3. Wiring and Interconnections .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. . 31
Text 4. Silicon Photonics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
Text 5. The Advantages Outweigh the Risks .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. 33
Text 6. Brain for Nanorobots . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
Text 7. Use of Nanowires .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. . 34
Text 8. Nanowires within Nanowires .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. 34
Литература .. .. .. .. .. .. ... .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. 36
Стр.37