Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 635836)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Датчики и системы. Sensors & Systems  / №4 2016

СХЕМОТЕХНИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ПОВЫШЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ОТРАЖАТЕЛЕЙ ТОКА ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ (150,00 руб.)

0   0
Первый авторРодин Александр Сергеевич
АвторыБакеренков Александр, Фелицын Владислав, Першенков Вячеслав, Мирошниченко Алина
Страниц4
ID579529
АннотацияРазработаны схемотехнические решения с целью повышения радиационной стойкости токовых зеркал, широко использующихся в различных типах аналоговых интегральных схем
УДК621.3.049.779
СХЕМОТЕХНИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ПОВЫШЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ОТРАЖАТЕЛЕЙ ТОКА ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ / А.С. Родин [и др.] // Датчики и системы. Sensors & Systems .— 2016 .— №4 .— С. 75-78 .— URL: https://rucont.ru/efd/579529 (дата обращения: 15.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

УДК 621.3.049.779 СХЕМОТЕХНИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ПОВЫШЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ОТРАЖАТЕЛЕЙ ТОКА ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ SCHEMATIC TECHNIQUES FOR RADIATION HARDNESS IMPROVEMENT OF CURRENT MIRRORS OF OPERATIONAL AMPLIFIERS Родин Александр Сергеевич аспирант E-mail: ASRodin@mephi.ru Бакеренков Александр Сергеевич канд. техн. наук, доцент E-mail: as_bakerenkov@list.ru Фелицын Владислав Александрович инженер E-mail:VAFelitsyn@mephi.ru Першенков Вячеслав Сергеевич д-р техн. наук, профессор, зав. кафедрой E-mail: VSPershenkov@mephi.ru Мирошниченко Алина Георгиевна инженер E-mail: AGMiroshnichenko@mephi.ru Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, Москва Аннотация: Разработаны схемотехнические решения с целью повышения радиационной стойкости токовых зеркал, широко использующихся в различных типах аналоговых интегральных схем. <...> ВВЕДЕНИЕ Отражатели тока являются составной частью интегральных микросхем (ИМС) операционных усилителей (ОУ), которые в космической бортовой аппаратуре подвергаются воздействию ионизирующего излучения [1—3]. <...> Обычно радиационностимулированные отклонения параметров электрических характеристик ИМС называют радиационной деградацией (РД). <...> В ряде случаев РД кремниевых ИМС происходит в результате накопления положительного заряда в окисле SiO2 и увеличения поверхностных состояний на его границе с кремнием [4]. <...> Это приводит к изменению пороговых напряжений МДП-транзисторов и к снижению коэффициента усиления β биполярных транзисторов [3, 4]. <...> В результате возникают функциональные и параметрические отказы ИМС в условиях космического пространства. <...> РД ИМС может наблюдаться также и в услоRodin Alexander S. Postgraduate E-mail: ASRodin@mephi.ru Bakerenkov Alexander S. Ph. <...> (Tech.), Professor, Head of Departament E-mail: VSPershenkov@mephi.ru Miroshnichenko Alina G. Engineer E-mail: AGMiroshnichenko@mephi.ru National Research Nuclear University MEPhI, Moscow Abstract: The circuitry solutions were developed to improve total dose radiation hardness of conventional current mirrors, which are widely used in different types of analog integrated circuits. <...> Keywords: radiation hardness, current mirrors, circuit simulation. виях повышенного радиационного фона (например, в атомных реакторах). <...> Интегральные микросхемы ОУ <...>