СОДЕРЖАНИЕ Том 46, номер 3, 2017 Сообщение РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В ЭЛЕМЕНТАХ И СИСТЕМАХ Анализ устойчивости МИС преобразователя сигнала СВЧ диапазона к воздействию специальных факторов К. А. Кагирина, Ю. В. Федоров, Д. В. Лаврухин, С. А. Гамкрелидзе, Д. Л. Гнатюк, А. В. Зуев, О. А. Рубан, Д. В. Громов Методы функционально-логического моделирования радиационных отказов электронных систем, основанные на модели нечеткого цифрового автомата В. М. Барбашов, О. А. Калашников Моделирование воздействия ТЗЧ на УНТ-нанодатчик методом молекулярной динамики А. В. Согоян, Д. В. Бойченко, А. В. Демидова Особенности воздействия электромагнитных излучений на интегральные схемы П. К. Скоробогатов, О. А. Герасимчук, К. А. Епифанцев, В. А. Телец Функциональный контроль процессоров цифровой обработки сигналов при радиационных исследованиях В. А. Марфин, П. В. Некрасов, О. А. Калашников, А. Ю. Никифоров ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ Резистивные переключения в мезоскопических гетероструктурах на основе эпитаксиальных пленок Nd2 – xCexCuO4 – y Н. А. Тулина, А. А. Иванов, А. Н. Россоленко, И. М. Шмытько, А. М. Ионов, Р. Н. Можчиль, И. Ю. Борисенко Исследование переходных процессов в p-i-n фотодетекторе с использованием нестационарной физико-топологической модели Е. А. Рындин, И. В. Писаренко ТЕХНОЛОГИИ BEOL И НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ Графеновый гибкий сенсорный экран с интегрированным аналого-цифровым преобразователем А. И. Власов, Д. С. Терентьев, В. А. Шахнов Разделение высокотвердых полупроводниковых пластин сапфира на монолитные интегральные схемы методом лазерного управляемого термораскалывания Н. В. Щаврук, С. В. Редькин, А. А. Трофимов, Н. Е. Иванова, А. С. Скрипниченко, В. С. Кондратенко, В. В. Стыран ПРИБОРЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ Силовые коммутационные транзисторы на основе эпитаксиальных гетероструктур нитрида галлия Е. В. Ерофеев, И. В. Федин, Ю. Н. Юрьев 224 219 210 203 197 187 177 181 170 <...>
Микроэлектроника_№3_2017.pdf
СОДЕРЖАНИЕ
Том 46, номер 3, 2017
Сообщение
РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В ЭЛЕМЕНТАХ И СИСТЕМАХ
Анализ устойчивости МИС преобразователя сигнала СВЧ диапазона
к воздействию специальных факторов
К. А. Кагирина, Ю. В. Федоров, Д. В. Лаврухин, С. А. Гамкрелидзе,
Д. Л. Гнатюк, А. В. Зуев, О. А. Рубан, Д. В. Громов
Методы функционально-логического моделирования радиационных отказов
электронных систем, основанные на модели нечеткого цифрового автомата
В. М. Барбашов, О. А. Калашников
Моделирование воздействия ТЗЧ на УНТ-нанодатчик методом
молекулярной динамики
А. В. Согоян, Д. В. Бойченко, А. В. Демидова
Особенности воздействия электромагнитных излучений на интегральные схемы
П. К. Скоробогатов, О. А. Герасимчук, К. А. Епифанцев, В. А. Телец
Функциональный контроль процессоров цифровой обработки
сигналов при радиационных исследованиях
В. А. Марфин, П. В. Некрасов, О. А. Калашников, А. Ю. Никифоров
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
Резистивные переключения в мезоскопических гетероструктурах
на основе эпитаксиальных пленок Nd2 – xCexCuO4 – y
Н. А. Тулина, А. А. Иванов, А. Н. Россоленко, И. М. Шмытько,
А. М. Ионов, Р. Н. Можчиль, И. Ю. Борисенко
Исследование переходных процессов в p-i-n фотодетекторе с использованием
нестационарной физико-топологической модели
Е. А. Рындин, И. В. Писаренко
ТЕХНОЛОГИИ BEOL И НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Графеновый гибкий сенсорный экран с интегрированным
аналого-цифровым преобразователем
А. И. Власов, Д. С. Терентьев, В. А. Шахнов
Разделение высокотвердых полупроводниковых пластин сапфира
на монолитные интегральные схемы методом лазерного
управляемого термораскалывания
Н. В. Щаврук, С. В. Редькин, А. А. Трофимов, Н. Е. Иванова,
А. С. Скрипниченко, В. С. Кондратенко, В. В. Стыран
ПРИБОРЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
Силовые коммутационные транзисторы на основе эпитаксиальных
гетероструктур нитрида галлия
Е. В. Ерофеев, И. В. Федин, Ю. Н. Юрьев
224
219
210
203
197
187
177
181
170
164
163
Стр.1
КИНЕТИКА ПЛАЗМЫ
Влияние добавок Ar и He на кинетику травления GaAs в плазме CF2Cl2
С. А. Пивоваренок
СХЕМОТЕХНИКА
Схемотехническая модель инжекционных функционально
интегрированных лазеров-модуляторов
Б. Г. Коноплев, Е. А. Рындин, М. А. Денисенко
236
231
Сдано в набор 10.01.2017 г. Подписано к печати 13.03.2017 г. Дата выхода в свет 23.05.2017 г. Формат 60 Ч 881/8
Цифровая печать
Усл. печ. л. 10.5
Тираж 92 экз.
Зак. 280
Усл. кр.-отт. 1.0 тыс.
Цена свободная
Уч.-изд. л. 10.5
Учредители: Российская академия наук, Физико-технологический институт РАН
Издатель: Российская академия наук. Издательство “Наука”, 117997 Москва, Профсоюзная ул., 90
Оригинал-макет подготовлен МАИК “Наука/Интерпериодика”
Отпечатано в типографии “Наука”, 121099, Москва, Шубинский пер., 6
Бум. л. 5.25
Стр.2