32 ФОТОЭЛЕКТРОНИКА УДК 621.315.592 Исследование двухстадийной диффузии цинка в гетероструктурах InGaAs/InP Д. С. <...> Андреев, И. В. Чинарева Авторами исследовалась возможность подавления раннего краевого пробоя в планарных лавинных фотодиодах на основе гетероэпитаксиальных структур InP/InGaAs. <...> Для этого использовалась диффузия цинка в запаянной ампуле при температурах 500 °С, 450 °С. <...> Определены распределение носителей заряда в диффузионном слое и глубина диффузии как в монокристаллическом InP, так и в лавинной структуре на основе InP/InGaAs в зависимости от режима проведения диффузии. <...> Распределение носителей заряда в диффузионном слое в монокристаллическом InP определялось методом электрохимического профилирования с последующим измерением CV-характеристик барьера электролит-полупроводник, а глубина p–nперехода в лавинной структуре путем пересчета CV-характеристик p–n-переходов. <...> В результате использования двухстадийной диффузии цинка была получена конфигурация p–nперехода с заглубленной на 1,5 мкм центральной областью и мелкой периферией (охранным кольцом) на глубине 0,65 мкм. <...> При этом напряжение пробоя фотодиода с охранным кольцом превышает на 3В напряжение пробоя фотодиода без охранного кольца, а уровень темновых токов у всех фотодиодов вплоть до пробоя не превышает 10 нА. <...> Rf, 37.20.+j Ключевые слова: планарный лавинный фотодиод, гетероструктура InGaAs/InP, диффузия цинка, двухстадийная диффузия, глубина p–n-перехода, CV- и IV-характеристики. <...> Введение Планарные лавинные фотодиоды на основе InGaAs/InP являются детекторами коротковолнового ИК-диапазона, которые определяют технические характеристики современных оптикоэлектронных приборов и систем [1, 2]. <...> Для предотвращения раннего краевого пробоя в таких планарных лавинных фотодиодах (ЛФД) часто используют структуру p–n-перехода с заглубленной центральной областью и мелкой периферией [3—10], показанной на рис. <...> Напряжение пробоя U резкого несимметричного p–n-перехода прямо пропорционально <...>