Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634558)
Контекстум
.
Успехи прикладной физики

Успехи прикладной физики №1 2013

0   0
Страниц122
ID339857
АннотацияОснован в 2013 г. Главным редактором журнала является А.М. Филачёв, генеральный директор Государственного научного центра РФ - АО "НПО "Орион", доктор технических наук, член-корреспондент РАН, профессор, зав. кафедрой МГТУ МИРЭА. В журнале публикуются развернутые научные статьи и аналитические обзоры по основным аспектам разработки, внедрения и опыта использования в научной практике и в различных отраслях народного хозяйства приборов, оборудования и технологий, реализуемых на базе новых физических принципов и явлений. Освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал стал официальным информационным спонсором ряда таких периодически проводимых конференций как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике, оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций. Основные разделы журнала: общая физика; физика плазмы и плазменные методы; электронные, ионные и лазерные пучки; фотоэлектроника; физическая аппаратура и её элементы; научная информация
Успехи прикладной физики : Научно-технический журнал .— Москва : НПО "Орион" .— 2013 .— №1 .— 122 с. — URL: https://rucont.ru/efd/339857 (дата обращения: 19.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ 2013, том 1, № 1 Основан в 2013 г. СОДЕРЖАНИЕ ОБЩАЯ ФИЗИКА Филачёв А.М., Дирочка А.И. <...> Расчеты зависимости характеристик дрейфа иона в собственном газе от напряженности электрического поля: модели столкновений и аппроксимация сечений . <...> Определение энергетических характеристик корпускулярной эмиссии из ионных источников газонаполненных нейтронных трубок . <...> Использование метода термостимулированной люминесценции для определения температуры стеклования полимеров . <...> Газовый разряд низкого давления с убегающими электронами как источник рентгеновского излучения . <...> Исследование заселенностей метастабильных состояний атомов гелия в плазменно-пучковом разряде с протяженным полым катодом . <...> 53 ЭЛЕКТРОННЫЕ И ИОННЫЕ ПУЧКИ Окс Е.М., Бурачевский Ю.А., Бурдовицин В. <...> Особенности формирования сфокусированного пучка электронов форвакуумным плазменным источником при повышенных давлениях . <...> Ионно-лучевое травление для формирования индиевых микроконтактов . <...> 65 Патрашин А.И., Бурлаков И.Д., Болтарь К.О., Корнеева М.Д., Лопухин А.А., Никонов А.В., Яковлева Н.И. <...> Исследование метода измерения квантовой эффективности и темнового тока фоточувствительных элементов матричных ФПУ . <...> Динамическая взаимосвязь в МФПУ на основе антимонида индия . <...> Торцевые диоды Шоттки на кремневой пластине с пониженной высотой выпрямляющего барьера . <...> Влияние текстурных характеристик оксида висмута (III) на некоторые электрофизические свойства оксидноцинковых варисторов . <...> © Редколлегия журнала "Успехи прикладной физики", составление, 2013 © ОАО «НПО «Орион», научное редактирование, оформление, 2013 ADVANCES IN APPLIED PHYSICS THE SCIENTIFIC AND TECHNICAL JOURNAL 2013, Vol. <...> Trishenkov Address of the Editorial Staff : Orion R&P Association, 46/2 Enthusiasts highway, Moscow, 111123, Russia Phone: +7 (499) 374-81-51 E-mail: advance@orion-ir.ru Internet: advance.orion-ir.ru Успехи прикладной физики, 2013, том 1, № 1 УДК 621.315.5 Л.Н. Курбатов – основатель отечественной школы полупроводниковой фотоэлектроники (к 100-летию со дня рождения <...>
Успехи_прикладной_физики_№1_2013.pdf
УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ 2013, том 1, № 1 Основан в 2013 г. СОДЕРЖАНИЕ ОБЩАЯ ФИЗИКА Филачёв А.М., Дирочка А.И. Л.Н. Курбатов – основатель отечественной школы полупроводниковой фотоэлектроники (к 100-летию со дня рождения) .................................. 5 Голятина Р.И., Майоров С.А. Расчеты зависимости характеристик дрейфа иона в собственном газе от напряженности электрического поля: модели столкновений и аппроксимация сечений ....................................................... 10 Наумов Н.Д. Влияние электромагнитной волны на питчугол в геомагнитном поле .................................................... 19 Марков В.Г., Прохорович Д.Е., Садилкин А.Г., Щитов Н.Н. Определение энергетических характеристик корпускулярной эмиссии из ионных источников газонаполненных нейтронных трубок ....................................................... 23 Герасимов А.В., Кирпичников А.П., Рачевский Л.А. Расчет температурного поля в движущемся газе с внутренним источником тепла .................................................................. 30 Юров В.М. Использование метода термостимулированной люминесценции для определения температуры стеклования полимеров ............................................................. 34 Ашхотов О.Г., Крымшокалова Д.А., Ашхотова И.Б. Электронно-стимулированное окисление таллия ....................... 37 ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Василяк Л.М., Красночуб А.В. Динамика мощности и сопротивления на начальной стадии электрического пробоя воздуха и азота при средних и высоких давленииях .................................................................................... 43 Пономаренко В.О., Толмачев Г.Н. Газовый разряд низкого давления с убегающими электронами как источник рентгеновского излучения ........................................................... 49 Ашурбеков Н.А., Иминов К.О., Кобзева В.С., Юсупова Г.М. Исследование заселенностей метастабильных состояний атомов гелия в плазменно-пучковом разряде с протяженным полым катодом .............................................. 53 ЭЛЕКТРОННЫЕ И ИОННЫЕ ПУЧКИ Окс Е.М., Бурачевский Ю.А., Бурдовицин В.А, Гришков А.А., Зенин А.А., Климов А.С. Особенности формирования сфокусированного пучка электронов форвакуумным плазменным источником при повышенных давлениях ..... 60 ФОТОЭЛЕКТРОНИКА: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА И ТЕХНОЛОГИЯ Дирочка А.И., Климанов Е.А., Мезин Ю.С., Седнев М.В., Шаронов Ю.П.. Ионно-лучевое травление для формирования индиевых микроконтактов ........................................ 65 Патрашин А.И., Бурлаков И.Д., Болтарь К.О., Корнеева М.Д., Лопухин А.А., Никонов А.В., Яковлева Н.И.. Исследование метода измерения квантовой эффективности и темнового тока фоточувствительных элементов матричных ФПУ ....................................................................... 69 Болтарь К.О., Грачев Р.В., Полунеев В.В., Рудневский В.С. Алгоритмы цифровой обработки тепловизионных изображений в реальном времени на базе сигнальных процессоров «Мультикор» ................................................... 75 Болтарь К.О., Власов П.В., Лопухин А.А., Ранцан С.К. Динамическая взаимосвязь в МФПУ на основе антимонида индия ............................................................................. 82 ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА Петросян А.И., Роговин В.И. Расчет величины продольного смещения термокатода в результате его нагрева в СВЧ-приборе ......................................................................... 88 Рисованый В.Д., Светухин В.В., Вострецов Д.Я., Вострецова Л.Н., Амброзевич А.С., Ермаков М.С. Влияние длительного протекания прямого тока на электрические характеристики светодиодов на основе InGaN .............................. 92 Закамов В.Р., Чеченин Ю.И., Пряхин Д.А., Юрасов Д.В. Торцевые диоды Шоттки на кремневой пластине с пониженной высотой выпрямляющего барьера .......................... 97 Лопаткин С.В., Власов В.В., Данилов А.Г., Данилов Б.Г., Кручинин М.А. Влияние текстурных характеристик оксида висмута (III) на некоторые электрофизические свойства оксидноцинковых варисторов ..................................... 105 Еремчук А.И., Оганесян Н.Н., Патрашин А.И., Самвелов А.В., Сысоев Д.А., Широков Д.А. Ускоренные испытания на безотказность микрокриогенных систем для матричных фотоприемных устройств ............................................ 111 ИНФОРМАЦИЯ 11-й Всероссийский семинар по проблемам электронной и ионной оптики ................................................................... 117 Трехтомник по твердотельной фотоэлектро нике ................ 119 Правила для авторов ............................................ 121 Москва
Стр.1
Учредитель журнала: Государственный Научный Центр Российской Федерации ОАО «НПО «Орион» Журнал зарегистрирован в Роскомнадзоре под номером ПИ № ФС 77-53027 Международный стандартный серийный номер ISSN 2307-4469 Выходит 6 раз в год Главный редактор А.М. Филачёв Редакционная коллегия А.Ф. Александров, С.Н. Андреев, В.И. Баринов (зам. главного редактора), А.С. Бугаев, И.С. Гайдукова, В.А. Иванов, В.И. Конов, Ю.А. Лебедев, М.Л. Лямшев, Г.Э. Норман, В.П. Пономаренко, А.А. Рухадзе, М.А. Тришенков, Г.М. Фрайман, В.Ю. Хомич, В.А. Ямщиков, Yu.K. Pоjela, P.K. Shukla Адрес редакции журнала "Успехи прикладной физики": 111123, Москва, шоссе Энтузиастов, д. 46/2, ОАО «НПО «Орион» Контактный телефон: 8 (499) 374-81-51 E-mail: advance@orion-ir.ru Internet: advance.orion-ir.ru Подписано в печать 25.02.2013. Формат А4. Бумага офсетная. Печать цифровая. Усл. печ. л. 17,0. Уч.-изд. л. 18,0 Тираж 140 экз. Цена договорная. Отпечатано в типографии ЦНО «Угреша». 140090, г. Дзержинский МО, ул. Академика Жукова, 24. © Редколлегия журнала "Успехи прикладной физики", составление, 2013 © ОАО «НПО «Орион», научное редактирование, оформление, 2013
Стр.2
ADVANCES IN APPLIED PHYSICS THE SCIENTIFIC AND TECHNICAL JOURNAL 2013, Vol. 1, No. 1 Founded in 2013 C O N T E N T S GENERAL PHYSICS Filachev A.M. and Dirochka A.I. L.N. Kurbatov – a founder of the domestic semiconductor photo elect ronics school (to 100year of the birthday).................................................................. 5 Golyatina R.I. and Mayorov S.A. Calculations of dependence of ion drift on electric fi eld strength: collision models and cross-section approximations ................................................. 10 Naumov N.D. The infl uence of electromagnetic wave on the electron pitch-angle in geomagnetic fi eld ............................... 19 Markov V.G., Prokhorovich D.E., Sadilkin A.G. and Shchitov N.N. Determination of the corpuscular emission energy characteristics for the ion sources of gas-fi lled neutron tubes ....................................................................................... 23 Gerasimov A.V., Kirpichnikov A.P. and Rachevsky L.A. Calculation of a temperature fi eld in the moving gas with an internal source of heat ............................................................. 30 Jurov V.M. Using the thermoluminescence method for defi nition of a polymer glass transition temperature ................ 34 Ashkhotov O.G., Krimshokalova D.A. and Ash khotova I.B. Electron stimulated oxidation of thallium ............................... 37 PLASMA PHYSICS AND PLASMA TECHNOLOGIES Vasilyak L.M. and Krasnochub A.V. Dynamics of power and resistance at the initial stage of electrical breakdown of air and nitrogen at high and moderate pressures ............................... 43 Ponomarenko V.O. and Tolmachev G.N. Gas discharge of low pressure with runaway electrons as a source of X-ray ............ 49 Ashurbekov N.A., Iminov K.O., Kobzeva V.S. and Yusupova G.M. Study of the helium metastable state population in the plasma-beam discharge with an extended hollow cathode ................................................................................... 53 ELECTRON AND ION BEAMS Oks E.M., Burachevsky Yu.A., Burdovitsin V.A., Grishkov A.A., Zenin A.A. and Klimov A.S. Features of the focused electron beam formation by fore-vacuum plasma source at elevated pressures ................................................................... 60 PHOTOELECTRONICS: ELEMENTAL BASE AND TECHNOLOGY Dirochka A.I., Klimanov E.A., Mezin Yu.S., Sednev M.V. and Sharonov Yu.P. Ion-beam etching for forming the in-dium microcontacts ......................................................................... 65 Patrashin A.I., Burlakov I.D., Boltar K.O., Korneeva M.D., Lopukhin A.A., Nikonov A.V. and Yakovleva N.I. Investigation of the IR array element’s quantum effi ciencies and dark currents measurement method ................................................ 69 Boltar K.O., Grachev R.V., Poluneev V.V. and Rud-nevsky V.S. Digital signal processing algorithms for real-time infrared imagery processing using “Multicore” series DSP ................. 75 Boltar K.O., Vlasov P.V., Lopukhin A.A. and Rantsan S.K. Dynamic crosstalk in In Sb FPAs ............................................ 82 PHYSICAL EQUIPMENT Petrosyan A.I. and Rogovin V.I. Calculation of thermal cathode longitudinal displacement value caused by cathode’s heat in microwave tube ........................................................... 88 Risovanyi V.D., Svetukhin V.V., Vostrensov D.Ya., Vostretsova L.N., Ambrozevich A.C. and Ermakov M.S. Infl uence of a long-term direct current on the electrical features of lightemitting InGaN diodes ........................................................... 92 Zakamov V.R., Chechenin Y.I., Pryakhin D.A. and Yurasov D.V. Low barrier Schottky diode on silicon wafers with lateral structure ...................................................................................... 97 Lopatkin S.V., Vlasov V.V., Danilov A.G., Danilov B.G. and Kruchinin M.A. Infl uence of some texture characteristics of Bismuth Sesquioxide (Bi2 O3 ) on elektrophysical proper-ties of zinc oxide varistors ............................................................. 105 Eremchuk А.I., Oganeyan N.N., Patrashin A.I., Samvelov A.V., Sysoyev D.A. and Shirokov D.A. Accelerated testing reliability of the microcryogenic coolers for focal plane arrays zinc oxide varistors................................................................................... 111 INFORMATION XI All-Russian seminar on electron and ion optics ................... 115 Three-volume edition on the solid-state photo electronics ...... 117 Rules for authors ................................................................... 121 Moscow
Стр.3