Известия высших учебных
заведений
ЭЛЕКТРОНИКА
Том 21 № 4
Учредители:
Министерство
образования и науки
Российской Федерации
Национальный
исследовательский
университет «МИЭТ»
Главный редактор
Чаплыгин Ю.А., чл.-корр. РАН,
д.т.н., проф.
Зам. главного редактора
Гаврилов С.А., д.т.н., проф.
Редакционная коллегия:
Бархоткин В.А., д.т.н., проф.
Бахтин А.А., канд. т. н., доц.
Быков Д.В., д.т.н., проф.
Горбацевич А.А., чл.-корр. РАН,
д.ф.-м.н., проф.
Грибов Б.Г., чл.-корр. РАН,
д.х.н., проф.
Казённов Г.Г., д.т.н., проф.
Коноплёв Б.Г., д.т.н., проф.
Коркишко Ю.Н., д.ф.-м.н., проф.
Королёв М.А., д.т.н., проф.
Красников Г.Я., акад. РАН,
д.т.н., проф.
Кубарев Ю.В., д.ф.-м.н., проф.
Лабунов В.А., акад. НАН
Беларуси, д.т.н., проф.
Максимов И.А., PhD, проф.
Лундского университета
(Швеция)
Меликян В.Ш., чл.-корр. НАН Армении,
д.т.н., проф.
Неволин В.К., д.ф.-м.н., проф.
Неволин В.Н., д.ф.-м.н., проф.
Петросянц К.О., д.т.н., проф.
Руденко А.А., канд.т.н., доц.
Сазонов А.Ю., PhD, проф.
Университета Ватерлоо
(Канада)
Сауров А.Н., чл.-корр. РАН, д.т.н., проф.
Селищев С.В., д.ф.-м.н., проф.
Сигов А.С., акад. РАН,
д.ф.-м.н., проф.
Таиров Ю.М., д.т.н., проф.
Телец В.А., д.т.н., проф.
Тимошенков С.П., д.т.н., проф.
Тихонов А.Н., д.т.н., проф.
Усанов Д.А., д.ф.-м.н., проф.
© “Известия вузов.
Электроника”, 2016
© МИЭТ, 2016
СОДЕРЖАНИЕ
Фундаментальные исследования
Яременко Н.Г., Страхов В.А., Карачевцева М.В.,
Федоров Ю.В. Динамика накопления неравновесных
дырок в квантовых ямах гетероструктур n-AlGaAs/GaAs 301
Захаров П.С., Итальянцев А.Г. Модель эффекта переключения
электрической проводимости в структурах резистивной
памяти на основе нестехиометрического
оксида кремния ..................................................................... 309
Материалы электронной техники
Грибов Б.Г., Зиновьев К.В., Калашник О.Н.,
Герасименко Н.Н., Смирнов Д.И., Суханов В.Н.,
Кононов Н.Н., Дорофеев С.Г. Получение наночастиц
кремния для использования в солнечных элементах ......... 316
Схемотехника и проектирование
Журавлев А.А., Крупкина Т.Ю., Эннс А.В., Эннс В.И.
Особенности проектирования параметризованных аналоговых
ячеек на основе согласованных КНИ матричных
элементов ....................................................................... 325
Микро- и наносистемная техника
Самойликов В.К., Тимошенков С.П., Евстафьев С.С.
Модель теплообмена тепловыделяющих элементов микрозеркальных
МЭМС ........................................................... 333
2016 июль–август
Научно-технический журнал
Издается с 1996 г.
Выходит 6 раз в год
Стр.1
Заведующая редакцией
С.Г. Зверева
Редактор
А.В. Тихонова
Научный редактор
С.Г. Зверева
Корректор
И.В. Проскурякова
Верстка
А.Ю. Рыжков
С.Ю. Рыжков
Адрес редакции: 124498,
г. Москва, г. Зеленоград,
пл. Шокина, д. 1, МИЭТ
Тел.: 8-499-734-6205
Е-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru
Подписано в печать 03.08.2016.
Формат бумаги 6084 1/8.
Цифровая печать.
Объем 11,16 усл.печ.л.,
10,53 уч.-изд.л.
Заказ № 88.
Отпечатано
в типографии ИПК МИЭТ
124498, г. Москва, г. Зеленоград,
пл. Шокина, д. 1, МИЭТ
Свидетельство о регистрации
№ 014134
выдано Комитетом РФ по печати
12.10.95.
Включен в Перечень рецензируемых
научных изданий, в которых
должны быть опубликованы основные
научные результаты диссертаций
на соискание ученой степени кандидата
наук, на соискание ученой степени
доктора наук.
Включен в Российский индекс
научного цитирования и в Рейтинг
Science Index.
Включен в Russian Science Citation
Index на базе Web of Science.
Микропроцессорная техника
сорный комплекс определения скорости и направления
воздушного потока с чувствительным элементом на основе
горячего цилиндра ...................................................... 341
.............................................................................................
Панов А.П., Серов А.Н., Мочегов И.Н. МикропроцесШагурин
И.И., Щигорев Л.А. Сравнительный анализ
комбинированных методов повышения сбое- и отказоустойчивости
блоков статической оперативной памяти . 347
Информационные технологии
Чжо Зо Е, Портнов Е.М., Гагарина Л.Г. Исследование
проблемы повышения оперативности информационных
обменов систем телемеханики ............................... 353
Интегральные радиоэлектронные устройства
Соколов И.А., Скичко Д.Ю. Особенности проектирования
приемоответчика Х-диапазона, работающего в
непрерывном режиме ........................................................... 360
Методы и техника измерений
Дюжев Н.А., Дедкова А.А., Гусев Е.Э., Новак А.В.
Методика измерения механических напряжений в тонких
пленках на пластине с помощью оптического профилометра
............................................................................. 367
Боровков А.С. Исследование погрешностей определения
координат изобарических поверхностей при радиозондировании
атмосферы .................................................... 373
Краткие сообщения
Гончаров В.А., Васильев А.В. Расчет полос роста в
многокомпонентных кристаллах при выращивании методом
Бриджмена ................................................................. 380
Ичкитидзе Л.П., Шичкин Н.Ю. Исследование
cверхпроводящего пленочного наноструктурированного
концентратора магнитного поля .......................................... 383
Евдокимов В.Д., Чаплыгин Ю.А. Численное моделирование
влияния углерода в активной базе на быстродействие
SiGe ГБТ ................................................................ 387
Якушкин И.П., Каракеян В.И. Методика определения
теплообмена через ограждающие конструкции зданий и
сооружений ............................................................................ 390
298
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 4 2016
Стр.2
Proceedings of Universities.
ELECTRONICS
Volume 21 N 4
Founders:
The Ministry
of Education and Science
of the Russian Federation
The National
Research University
of Electronic Technology
Editor-in-Chief
Chaplygin Yu.A., Dr. Sci. (Tech.),
Prof., Cor. Mem. RAS
Deputy Editor-in-Chief
Gavrilov S.A., Dr. Sci. (Tech.),
Prof.
Editorial Board:
Barkhotkin V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Bahtin A.A., Cand. Sci. (Tech.)
Bykov D.V., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Gorbatsevich A.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.),
Prof., Cor. Mem. RAS
Gribov B. G., Dr. Sci. (Chem.), Prof.
Kazennov G.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Konoplev B.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Korkishko Yu.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Korolev M.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Krasnikov G.Ya., Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Acad. RAS
Kubarev Yu.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Labunov V.A. (Belorussia),
Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Maksimov I.A. (Sweden), PhD, Prof.
of Lund University
Melikyan V.Sh. (Armenia), Dr. Sci. (Tech.),
Prof., Cor. Mem. NAS
Nevolin V.K., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Nevolin V.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof.
Petrosyantz K.O., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Rudenko A.A., Cand. Sci. (Tech.)
Sazonov A.Yu. (Canada), PhD,
Prof. of University of Waterloo
Saurov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Cor. Mem. RAS
Selishchev S.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof.
Sigov A.S., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.,
Acad. RAS
Tairov Yu.M., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Telets V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Timoshenkov S.P., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Tikhonov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Usanov D.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
© “Proceedings of Universities.
Electronics”, 2016
© MIET, 2016
CONTENTS
Fundamental researches
Yaremenko N.G., Strakhov V.A., Karachevtseva M.V.,
Fedorov Yu.V. Dynamics of Excess Holes Collection in
n-AlGaAs/Quantum Wells of Heterostructures ...................... 301
Zakharov P.S., Italyantsev A.G. Electrical Conductivity
Switching Model for Resistive Memory Devices Based on
Silicon Oxide .......................................................................... 309
Electronic engineering materials
Gribov B.G., Zinov’ev K.V., Kalashnik O.N.,
Gerasimenko N.N., Smirnov D.I., Sukhanov V.N.,
Kononov N.N., Dorofeev S.G. Production of Silicon Nanoparticles
for Use in Solar Cells ............................................... 316
Circuit engineering and design
Zhuravlev A.A., Krupkina T.U., Enns A.V., Enns V.I.
Design Features of Parameterized Analog Cells Based on
Matched SOI Matrix Elements ............................................... 325
Micro- and nanosystem technology
Samoylikov V.K., Timoshenkov S.P., Evstafev S.S. Some
Features of Heat Exchange in Micro System Elements .......... 333
Microprocessor systems
Panov A.P., Serov A.N., Mochegov I.N. Microprocessor
Complex with a Sensitive Element Based on Hot Cylinder
for Speed and Direction of Airflow Determining ................... 341
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 4 2016
299
2016 July–August
The scientific-technical journal
Published since 1996
Published 6 times per year
Стр.3
Head of editorial staff
Zvereva S.G.
Chief editors
Tikhonova A.V.,
Proskuryakova I.V.
Make-up
Ryzhkov S.Yu.
Ryzhkov A.Yu.
Address: 124498, Moscow, Zelenograd,
Bld. 1, Shokin Square, MIET, editorial
office of the Journal «Proceedings
of universities. Electronics»
Tel.: +7-499-734-62-05
E-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru
The journal is printed at the printing
workshop of the MIET
124498, Moscow, Zelenograd,
Bld. 1, Shokin Square, MIET
The registration certificate No.014134
was given by RF Press Committee
on 12.10.95.
The journal is included into the List
of reviewed scientific publications,
in which the main scientific results
of thesis for candidate of science and
doctor degrees must be published.
The journal is included into the Russian
index of scientific citing and into the
Rating Science Index.
The journal is included into the Russian
Science Citation Index on the Web
of Science basis.
Shagurin I.I., Shchigorev L.A. Comparative Analysis of
Fault Tolerance Increasing Combined Methods for SRAM ... 347
Information technologies
Kyaw Zaw Ye, Portnov E.M., Gagarina L.G. Study on
Problems of Increasing Operational Information Exchange
of Remote Control Systems ................................................... 353
Integrated radioelectronic devices
Sokolov I.A., Skichko D.Yu. Peculiarities of Designing
X-Band Transponder Operating in Continuous Mode ........... 360
Measurement methods and technology
Djuzhev N.A., Dedkova A.A., Gusev E.E., Novak A.V.
Method for Measurement of Mechanical Stresses in Thin
Films on Wafer Using an Optical Profilometer ...................... 367
Borovkov A.S. Investigation of Errors in Determining Coordinates
of Isobaric Surfaces during Radiosounding of Atmosphere
................................................................................ 373
Brief reports
Goncharov V.A., Vasiliev A.V. Calculation of Growth
Striations in Multicomponent Crystals while Growing by
Bridgeman Method ................................................................ 380
Ichkitidze L.P., Shichkin N.Yu. Study on Superconducting
Film Nanostructured Concentrator of Magnetic Field ........... 383
Evdokimov V.D., Chaplygin Yu.A. Numerical Modeling of
Carbon Effect in Active Base on RF Performance of SiGe
HBT ....................................................................................... 387
Yakushkin I.P., Karakeyan V.I. Methods of Determining
Heat Loss through Building Envelope of Buildings ............... 390
300
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 4 2016
Стр.4