ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ FUNDAMENTAL RESEARCHES УДК 538.958 Динамика накопления неравновесных дырок в квантовых ямах гетероструктур n-AlGaAs/GaAs Н. <...> Fedorov2 1Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics Russian Academy of Sciences, Fryazino 2Institute of Ultra-High Frequency Semiconductor Electronics Russian Academy of Sciences, Moscow Исследовано влияние эффективности захвата неравновесных дырок на процесс накопления носителей с ростом фотовозбуждения в квантовых ямах гетероструктур n-AlGaAs/GaAs. <...> Показано, что зависимость отношения интенсивностей фотолюминесценции из квантовой ямы и из барьерных слоев от ширины ямы имеет осциллирующий характер. <...> Проведена оценка времени захвата дырок в максимуме и минимуме осцилляций: примерно 3 и 370 пс. <...> Сдвиг энергии перехода в резонансной яме при сильном возбуждении объяснен влиянием встроенного заряда, возникающего за счет разных темпов захвата электронов и дырок. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 4 2016 301 Н.Г. Яременко, В.А. Страхов, М.В. Карачевцева, Ю.В. Федоров in resonant quantum well at high excitation densities has been explained by the «charge buildup effect» due to the difference between the capture efficiencies of the electrons and holes. <...> Процессы захвата и накопления неравновесных носителей заряда в квантовой яме (КЯ) вызывают большой исследовательский интерес как в фундаментальном, так и в практическом плане, поскольку играют решающую роль в работе многих приборов на основе полупроводниковых гетероструктур: лазеров, светодиодов, фотодетекторов [1–3]. <...> При конструировании приборов необходимо учитывать особенности протекания процессов захвата в зависимости от параметров структуры и воздействия внешних факторов: температуры, интенсивности возбуждения и др. <...> Одной из таких особенностей является резонансный характер захвата неравновесных носителей в КЯ, обусловленный квантованием энергетического спектра носителей заряда и наличием квазистационарных состояний в континууме, в присутствии которых резко возрастает коэффициент прохождения электронами границы барьер–яма [4, 5]. <...> В результате вероятность захвата как функция ширины <...>