Б о г д а н о в
НЕКОТОРЫЕ АСПЕКТЫ ПРИМЕНЕНИЯ
УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
В ТЕХНОЛОГИЯХ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
Рассмотрены возможности применения ультрафиолетового лазерного излучения в технологиях микроэлектроники. <...> E-mail: mtbmsu@mail.ru
Ключевые слова: ультрафиолетовое (УФ) лазерное излучение, микрообработка, модификация и разделение материалов. <...> Одно из направлений развития лазерных технологий в микроэлектронике — использование ультрафиолетового (УФ) лазерного излучения. <...> Ультрафиолетовое излучение на шкале электромагнитных волн
находится между фиолетовой границей видимого излучения и рентгеновским излучением. <...> Диапазон условно подразделяют на ближнее
(380…200 нм) и дальнее или вакуумное (200…10 нм) УФ-излучение. <...> Ультрафиолетовое лазерное излучение получают с помощью молекулярных газовых лазеров на N2 и H2, эксимерных лазеров KF, XeF
и др., а также твердотельных перестраиваемых лазеров с увеличением частоты генерации. <...> Твердые материалы возникают при высокой плотности атомов или
молекул, составляющих вещество, когда электромагнитное взаимодействие между ними становится достаточно сильным. <...> В зависимости от структуры их электронного спектра твердые материалы подразделяют на металлы, полупроводники и диэлектрики. <...> В металлах обобществленные электроны внешних атомных оболочек образуют почти свободный электронный газ, не полностью заполняющий энергетические состояния в зоне проводимости. <...> В полупроводниках и диэлектриках электроны в большей степени локализованы
вблизи атомов, а их обобществление приводит к спектру, в котором
энергетические состояния в нижней, валентной зоне полностью заполнены, а состояния в верхней зоне проводимости пусты. <...> Зона проводимости отделена от валентной зоны энергетическим интервалом (запрещенная зона), в котором отсутствуют разрешенные энергетические
состояния. <...> Ширина запрещенной зоны варьируется для различных
полупроводников от десятых долей до двух-трех <...>