ГЛАВНЫЙ РЕДАКТОР А. М. ШАЛАГИН
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
ЗАМЕСТИТЕЛИ ГЛАВНОГО РЕДАКТОРА: Ю. Н. ЗОЛОТУХИН,
В. К. МАЛИНОВСКИЙ
ОТВЕТСТВЕННЫЙ СЕКРЕТАРЬ
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
В. П. БЕССМЕЛЬЦЕВ
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
РЕДАКЦИОННАЯ КОЛЛЕГИЯ:
À. Ë. АСЕЕВ
С. Н. ВАСИЛЬЕВ
Ю. И.ЖУРАВЛЕВ
Â. Ñ. КИРИЧУК
Институт физики полупроводников СО РАН
Институт динамики систем и теории управления СО РАН
Вычислительный центр РАН
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
В. П. КОРОНКЕВИЧ Институт автоматики и электрометрии СО РАН
Г. Н. КУЛИПАНОВ Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН
Þ. Í. КУЛЬЧИН
Дальневосточное отделение РАН
Г. Г. МАТВИЕНКО Институт оптики атмосферы СО РАН
Е. С. НЕЖЕВЕНКО Институт автоматики и электрометрии СО РАН
О. И. ПОТАТУРКИН Институт автоматики и электрометрии СО РАН
Â. À. СОЙФЕР
Þ. Â. ЧУГУЙ
Институт систем обработки изображений РАН
Конструкторско-технологический институт
научного приборостроения СО РАН
Â. Ô. ШАБАНОВ
Þ. È. ШОКИН
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Институт вычислительных технологий СО РАН
Заведующая редакцией Р. П. ШВЕЦ
Сдано в набор 05.12.2007. Подписано в печать 1.02.2008. Формат 70 108 116
. Офсетная печать.
Óñë. ïå÷. ë. 10,5. Óñë. êð.-îòò. 11,2. Ó÷.-èçä. ë. 11,2. Тираж 194 ýêç. Свободная öåíà. Çàêàç¹26.
Журнал зарегистрирован в Министерстве РФ по делам печати, телерадиовещания
и средств массовых коммуникаций 31.05.2002.
Свидетельство Ïȹ77-12809
Адре с р е дакции: Институт автоматики и электрометрии СО РАН,
ïðîñï. Академика Êîïòþãà, 1, Новосибирск 630090,
òåë. 333-35-67, E-mail: automr@iae.nsk.su
http://www-psb.ad-sbras.nsc.ru/avtw.htm
Издательство СО РАН,Морской ïðîñï., 2, Новосибирск 630090.
Отпечатано на полиграфическом участкеИздательства СОРАН
© Сибирское отделение РАН,
Институт автоматики и
электрометрии СО ÐÀÍ, 2008
Стр.1
ПРАВИЛА ПОДГОТОВКИ РУКОПИСИ
Редакция журнала просит авторов при направлении статей в печать руководствоваться
изложенными ниже правилами.
1.Вжурнале печатаются результаты, ранее неопубликованныеине предназначенные
к одновременной публикации в других изданиях.
2.Принимаются кпубликацииоригинальныестатьииобзорыпоследующим
темам:
– анализ и синтез сигналов и изображений;
– системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
– вычислительные и информационно-измерительные системы;
– физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
– оптические информационные технологии;
– моделирование в физико-технических исследованиях;
– нанотехнологии в оптике и электронике.
3.Статья должна содержать четкуюпостановку задачи, описание метода
исследования, изложение полученных результатов и указание на область их
применения.
4. Рукопись и документы к ней принимаются (на бумаге) комплектно:
текст статьи, иллюстрации, реферат – все в двух экземплярах; список ключевых
слов; акт экспертизы (разрешение на опубликование) и сопроводительноеписьмоотруководства
организации, в которойвыполнена данная работа.
5.Объем статьи, включая иллюстрации и библиографию, не должен превышать
15 страниц для работ обзорного характера и 10 страниц для научных
сообщений, посвященных частным вопросам.
6. Статья должна быть подписана всеми авторами. На отдельном листе
следует указать, с кем вести переписку, а также имя, отчество, домашний адрес,
название и адрес организации, где работает каждый из авторов, должности,
телефоны и E-mail.
7. Материал статьи должен быть изложен в такой последовательности:
шифр УДК, название статьи, инициалы и фамилии авторов, название организации
(й), представляющей (их) статью, название города, реферат (не
должен дублировать вводный или заключительный разделы статьи, объем до
15 строк), текст статьи (должен состоять из введения, основной части, выводов),
список литературы, таблицы, рисунки, список принятых обозначений с
разметкой букв и индексов.
8. Статья должна быть напечатана с одной стороны листа стандартного
размера (поля слева не менее 3 см, справа не менее 1,5 см), размер шрифта не
менее 12 pt, межстрочное расстояние ~2 интервала.
127
Стр.2
9. Предельное количество рисунков в статье 6. Все обозначения на рисунках
должны соответствовать обозначениям в тексте. Обязательно предоставление
файлов рисунков высокого качества в формате PCX, TIFF, BMP,
CDR.
10. Литература приводится по порядку цитирования в конце статьи с указаниемфамилиииинициалов
автора, полного названия книги (статьи),места
издания, издательства, журнала (год, том, номер, страницы), в тексте соответственно
должныбыть ссылки в квадратныхскобках, например, [1], [2, 3]и
т. д. Ссылки на иностранные источники даются на языке оригинала. Ссылки
на неопубликованные работы не допускаются.
11. Журнал «Автометрия» издается фирмой «Аллертон Пресс» под названием
"Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing". В помощь переводчику
следует прилагать на английском языке фамилии и инициалы авторов,
название статьи, реферат и список использованных буквенных сокращений.Крометого,
следует представить сведения о книгах, переведенныхна
русский язык, с указанием на английском языке фамилии и инициалов автора,
названия книги, места издания, издательства и года издания, а также для
ссылки на журнальную статью, переведенную и опубликованную МАИК
«Наука/Интерпериодика», необходимо указать на английском языке фамилию
и инициалы автора, название статьи, название журнала, том, номер,
страницу и год издания этого выпуска.
Стр.3
Р ОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК
СИБИРСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ
НАУЧНЫЙЖУРНАЛ
АВ Т ОМЕТРИЯ
ОСНОВАН В ЯНВАРЕ 1965 ГОДА
Том 44
2008
ЯНВАРЬ – ФЕВРАЛЬ
СОДЕРЖАНИЕ
ОПТИЧЕСКИЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
ВострецовА. Г., Богданович В. А., Будь В. И. Обнаружение масс-спектральных пиков
âáèîïðîáàõïðèäîïèíãîâîìêîíòðîëå......................................
Охапкин М. В., Антонини П.,ШиллерС. Высокостабильные Nd:YAG-лазеры в экспериментеМайкельсона
–Ìîðëè................................................
ПлавскийЛ.Г. Синтезаторсетки частот для оптическогостандарта времени. .........
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
Лабусов Â. À., Селюнин Ä. Î., Зарубин È. À., Галлямов Ð. Ã. Измерение квантовой
эффективности многоэлементных фотодетекторов в спектральном диапазоне
180–800íì.......................................................................
Ярцев А. В. Вольт-амперные характеристики диодов на основе слоев Hg Cd Te,
ïîëó÷åííûõìåòîäîììîëåêóëÿðíî-ëó÷åâîéýïèòàêñèè.........................
0,78
0,22
МОДЕЛИРОВАНИЕ В ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЯХ
Райков Б. К.,СекисовЮ. Н., Тулупова В. В. Функции преобразования кластерного
îäíîâèòêîâîãîâèõðåòîêîâîãîäàò÷èêà...........................................
ШпилеваяО.Я.,ИваненкоЕ.В. Особенности использования нескольких эталонных
моделей в адаптивнойсистеме óïðàâëåíèÿ......................................
Кашковский Ä. Â.,Êîíåâ Â. Â. Опоследовательных оценках параметров àâòîðåãðåññèèñîñëó÷àéíûìèêîýôôèöèåíòàìè............................................
Зеркаль
С.М. Томографическая диагностика скоростного распределения в сейсмических
ñðåäàõ....................................................................
Карих В. П. Вычислительная эффективность конвейерного алгоритма трехмерной
томографии. .....................................................................
СИСТЕМЫ АВТОМАТИЗАЦИИ В НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЯХ
И ПРОМЫШЛЕННОСТИ
Загорулько Ю. А., Боровикова О. И. Подход к построению порталов научных
çíàíèé...........................................................................
Алексеенко И. В., ГусевМ. Е. Измерение вибраций металлического диска методом
цифровой стробоскопической голографической интерферометрии ñôîêóñèðîâàííûõèçîáðàæåíèé............................................................
ФурсаМ.В.
Реконструкция сложныхтрехмерныхобъектов методомструктурированногоосвещения.
.................................................................
ИЗДАТЕЛЬСТВО СО РАН
НОВОСИБИРСК
2008
100
111
118
47
59
70
82
92
3
12
22
ВЫХОДИТ 6 РАЗ В ГОД
¹1
27
39
Стр.4