Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, вып. 13
Содержание
с• Неэлектронные свойства полупроводников (атомная
Кулеев И.Г., Кулеев И.И., Бахарев С.М.
труктура, диффузия)
Эффекты МакKарди в теплопроводности упруго анизотропных
кристаллов в режиме кнудсеновского течения
фононного газа ... ... .... ... ... .... .. 1543
Середин П.В., Голощапов Д.Л., Золотухин Д.С.,
Кондрашин М.А., Леньшин А.С., Худяков Ю.Ю.,
Мизеров А.М., Арсентьев И.Н., Бельтюков А.Н.,
Leiste Harald, Rinke Monika
Влияние буферного слоя por-Si на структуру и морфологию
эпитаксиальных гетероструктур InxGa1−x N/Si(111) . 1553
• Электронныесвойстваполупроводников
Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф.
Особенности подвижности электронов в слоистом полупроводнике
n-InSe .. ... .... ... ... .... .. 1563
Усанов Д.А., Постельга А.Э., Калямин А.А., Шаров И.В.
Измерение подвижности носителей заряда в арсениде галлия
с помощью ближнеполевого сверхвысокочастотного
микроскопа методом сверхвысокочастотного магнитосопротивления
. .... ... .... ... ... .... .. 1570
Вейнгер А.И., Кочман И.В., Окулов В.И., АндрийчукМ.Д.,
Паранчич Л.Д.
Электронный парамагнитный резонанс электронов проводимости
в кристаллах HgSe ... ... ... .... .. 1573
Emtsev V.V., Abrosimov N.V., Kozlovski V.V., Poloskin
D.S., Oganesyan G.A.
Interaction rates of group-III and group-V impurities
with intrinsic point defects in irradiated Si and Ge ... .. 1578
• Спектроскопия, взаимодействие сизлучениями
Ушаков В.В., Аминев Д.Ф., Кривобок В.С.
Внутрицентровые излучательные переходы на примесных
центрах тантала в теллуриде кадмия .. ... .... .. 1579
• Поверхность, границыраздела, тонкиепленки
Ивакин Е.В., Киселёв И.Г., Никируй Л.И., Яворский Я.С.
Оптические исследования теплопереноса в тонких пленках
PbTe : Bi(Sb) . .... ... .... ... ... .... .. 1584
Феклистов К.В., Черков А.Г., Попов В.П., Федина Л.И.
Перераспределение атомов отдачи эрбия и кислорода
и структура тонких приповерхностных слоев кремния,
созданных высокодозной имплантацией аргона через поверхностные
пленки Er и SiO2 .. ... ... .... .. 1589
мы,• Полупроводниковые структуры, низкоразмерные систеквантовые
явления
Ушанов В.И., Чалдышев В.В., Преображенский
В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р.
Диффузионное размытие квантовых ям GaAs, выращенных
при низкой температуре . ... .... ... .... ... 1597
ники• Аморфные, стеклообразные, органические полупроводЗахарова
И.Б., Елистратова М.А., Романов Н.М.,
Квятковский О.Е.
Особенности электронной структуры агрегированных форм
ZnTPP по данным оптических измерений и квантовохимических
расчетов .. ... .... ... .... ... 1601
по• Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные
лупроводники
Басалаев Ю.М.
Первопринципное исследование полупроводника ZnSnSb2 1608
Ли Г.В., Астрова Е.В., Лихачев А.И.
Влияние перекиси водорода на фотоанодирование n-Si
врежиме пробоя . ... ... .... ... .... ... 1614
• Физика полупроводниковыхприборов
Александров О.В., Агеев А.Н., Золотарев С.И.
Накопление зарядов в МОП-структурах с поликремниевым
затвором при туннельной инжекции . ... .... ... 1625
Тягинов С.Э., Макаров А.А., Kaczer B., Jech M.,
Chasin A., Grill A., Hellings G., Векслер М.И.,
Linten D., Grasser T.
О влиянии параметров топологии транзистора с каналом
в форме плавника на деградацию, вызываемую горячими
носителями .... ... ... .... ... .... ... 1631
Куликов В.Б., Маслов Д.В., Сабиров А.Р., Солодков
А.А., Дудин А.Л., Кацавец Н.И., Коган И.В.,
Шуков И.В., Чалый В.П.
nBn-фотодиод на основе InAsSb/AlAsSb-твердых растворов
с длинноволновой границей 5мкм .. ... .... ... 1636
Хвостиков В.П., Сорокина С.В., Потапович Н.С.,
Левин Р.В., Маричев А.E., Тимошина Н.Х., Пушный Б.В.
Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения
(λ = 1064 нм) на основе GaInAsP/InP . ... .... ... 1641
Хвостиков В.П., Калиновский В.С., Сорокина C.В.,
Шварц М.З., Потапович Н.С., Хвостикова О.А., Власов
А.С., Андреев В.М.
Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения
тритиевых радиолюминесцентных ламп .... ... 1647
СтрельчукА.М., Козловский В.В., Лебедев А.А.
Радиационное повреждение карбид-кремниевых диодов заряженными
частицами высоких энергий .. .... ... 1651
1541
Стр.3
1542
Содержание
и• Изготовление, обработка, тестирование материалов
структур
Садовников С.И., Вовкотруб Э.Г.
Определение области термической стабильности размера
и фазового состава наночастиц полупроводникового сульфида
серебра . .... ... .... ... ... .... .. 1656
Семенов А.Н., Нечаев Д.В., Трошков С.И., Нащекин
А.В., Брунков П.Н., Жмерик В.Н., Иванов С.В.
Особенности селективного роста наноколонн GaN на профилированных
подложках c-сапфира различной геометрии 1663
Кудряшов Д.А., Гудовских А.С., Баранов А.И.
Прецизионное химическое травление эпитаксиальных слоев
GaP(NAs) для формирования монолитных оптоэлектронных
приборов .. ... .... ... ... .... .. 1668
Никитин С.Е., Бобыль А.В., Авезова Н.Р., Теруков Е.И.
Новые технологические подходы к созданию текстур и согласованию
термического расширения в дизайне высокоэффективных
кремниевых солнечных фотопреобразователей 1675
Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, вып. 13
Стр.4