Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 635050)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Кристаллография  / №2 2017

КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА ДЕФЕКТОВ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ InGaAs/InAlAs/InAs (200,00 руб.)

0   0
Первый авторПресняков
АвторыВасильев А.Л.
Страниц5
ID593445
АннотацияПредставлены результаты исследования дефектов упаковки и дислокаций в гетероструктурах InGaAs/InAlAs/InAs методами электронной микроскопии. Использование различных методик просвечивающей электронной микроскопии, главным образом высокоразрешающей темнопольной просвечивающей растровой электронной микроскопии, позволило определить структуру дефектов на атомном уровне.
УДК548.4, 539.25, 538.975
Пресняков, М.Ю. КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА ДЕФЕКТОВ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ InGaAs/InAlAs/InAs / М.Ю. Пресняков, А.Л. Васильев // Кристаллография .— 2017 .— №2 .— С. 83-87 .— URL: https://rucont.ru/efd/593445 (дата обращения: 06.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН, Москва E-mail: a.vasiliev56@gmail.com Поступила в редакцию 20.07.2016 г. Представлены результаты исследования дефектов упаковки и дислокаций в гетероструктурах InGaAs/InAlAs/InAs методами электронной микроскопии. <...> Использование различных методик просвечивающей электронной микроскопии, главным образом высокоразрешающей темнопольной просвечивающей растровой электронной микроскопии, позволило определить структуру дефектов на атомном уровне. <...> DOI: 10.7868/S0023476117020291 ВВЕДЕНИЕ Гетероструктуры, сформированные на основе InyAl1– yAs/InxGa1– xAs, вызывают большой практический интерес, так как характеризуются высокой подвижностью электронов. <...> Одной из главных причин уменьшения подвижности может быть рассеяние электронов на дефектах, в частности на дислокациях и дефектах упаковки. <...> Дефектом упаковки называют нарушение упаковки слоев кристаллической решетки, которое может возникнуть при добавлении или изъятии кристаллического слоя [3]. <...> Дефекты упаковки внедрения в структуре сфалерита образуются при диссоциации полной 60°ной дислокации с векторами Бюргерса b = = a/2〈110〉, где a – постоянная элементарной ячейки. <...> Эти 60°-ные дислокации являются полными, так как вектор Бюргерса соответствует наименьшему примитивному вектору решетки в структуре сфалерита [4, 5]. <...> Когда направление линии дислокации параллельно кристаллографическому направлению [1 0], оба вектора Бюргер1 1 1 6 са а/2[01 ] и a/2[ 0 ] образуют угол 60° с линией дислокации. <...> Полные 60°-ные дислокации могут 1 249 распадаться на две частичные дислокации, ограничивающие любой дефект упаковки внедрения или вычитания. <...> Если предположить, что линия дислокации располагается параллельно направлению [110], то векторы Бюргерса частичных дислокаций соответствует следующей реакции: aa a / →+2[0 11] /6[121] /6[1 12]. <...> Эти частичные дислокации имеют углы между векторами Бюргерса и линиями дислокаций 30° и 90° соответственно (рис. <...> В [6] приведены три вида дислокаций Шокли <...>