УДК 681.3.049.77.66.018.86 МЕТОДИКА МОДЕЛИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ МДП-ТРАНЗИСТОРНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ДАТЧИКОВ RADIATION SENSITIVITY MODELING TECHNIQUE OF SENSOR MIS-TRANSISTOR ELEMENTS Подлепецкий Борис Иванович канд. техн. наук, доцент E-mail: bipod45@gmail.com Бакеренков Александр Сергеевич канд. техн. наук, доцент E-mail: as_bakerenkov@list.ru Сухорослова Юлия Валерьевна аспирант E-mail: soyka19@mail.ru Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, Москва Аннотация: Предложена усовершенствованная методика оценки параметров моделей МДП-транзисторов для прогнозирования радиационной чувствительности датчиков на их основе. <...> Методика позволяет разделить вклады зарядов в диэлектрике и поверхностных состояний с учетов влияния режимов облучения на характеристики транзисторов. <...> ВВЕДЕНИЕ Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДПТ) применяются в современных электронных приборах и системах как элементы интегральных микросхем (ИМС) или как чувствительные элементы датчиков [1]. <...> При проектировании ИМС используются схемотехнические САПР, основанные на физических и электрических моделях МДПТ [2]. <...> В этих моделях МДП-транзисторы рассматриваются как элементы электронных схем. <...> В случае, когда МДПТ используют как чувствительный элемент (ЧЭ) датчиков, непосредственное применение известных моделей и САПР для проектирования датчиков и приборов становится затруднительным или невозможным без учета конструктивно-технологических особенностей ЧЭ и эксплуатационных условий их применения. <...> Основными электрофизическими параметрами электрических моделей МДПТ являются пороговое напряжение U0 и удельная крутизна b. <...> Эти параметры могут изменяться в процессе эксплуатации транзисторов (эффекты старения), а также под действием влияющих факторов (температуры, механических напряжений, окружающих газов, света и радиации). <...> Исследования радиационных эффектов (РЭ) в МДПТ начались еще в 1960-е годы [3—5] и продолжаются до сих пор [6—8]. <...> Большой <...>