42 А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой ФОТОЭЛЕКТРОНИКА УДК 621.31:535.215 Темновой ток и обнаружительная способность фотоприемников с квантовыми точками германия на кремнии А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой В данной работе проведен расчет шумовых и сигнальных характеристик фотоприемников инфракрасного диапазона на основе материала с квантовыми точками германия на кремнии. <...> Оценивается темновой ток через такие структуры, обусловленный тепловой эмиссией носителей и туннелированием носителей в поле, а также обнаружительная способность фотодетектора в приближении работы в режиме ограничения генерационно-рекомбинационными шумами. <...> Предлагаются ростовые условия в методе молекулярно-лучевой эпитаксии, благоприятные для создания массивов квантовых точек, которые в дальнейшем могут использоваться для создания инфракрасных фотодетекторов. <...> Aj Ключевые слова: инфракрасные фотодетекторы, темновой ток, обнаружительная способность, шумовые и сигнальные характеристики, наногетероструктуры, молекулярно-лучевая эпитаксия. <...> Введение С начала 1990-х годов, когда впервые были получены структуры с квантовыми точками германия на кремнии [1, 2], большое внимание исследователей уделяется созданию различных оптоэлектронных устройств на основе этого материала, в частности, созданию фотодетекторов инфракрасного диапазона [3—10]. <...> Столь высокий интерес к наногетероструктурам с квантовыми точками Ge на Si обусловлен рядом уникальных свойств, характеризующих подобного рода структуры. <...> И если до сих пор, несмотря на высокую стоимость, обусловленную Войцеховский Александр Васильевич, профессор. <...> E-mail: vav43@mail.tsu.ru; kokh@mail.tsu.ru; lka@sibmail.com Статья поступила в редакцию 8 июня 2016 г. © Войцеховский А. В., Коханенко А. П., Лозовой К. А., 2016 технологическими сложностями при выращивании эпитаксиальных слоев, основным материалом для создания фотоприемников инфракрасного диапазона являлся теллурид кадмия-ртути <...>