УДК 537.311: 538.971 ВЛИЯНИЕ БУФЕРНОГО ПОРИСТОГО СЛОЯ GaAs И ЛЕГИРОВАНИЯ ДИСПРОЗИЕМ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ GaInP:Dy/por-GaAs/GaAs(100) П. <...> А. Ф. Иоффе РАН В образцах с пористым буферным слоем остаточные внутренние напряжения, вызванные рассогласованием параметров кристаллических решеток поверхностного тройного твердого раствора GaInP и подложки GaAs, перераспределяются в пористый слой, который в данном случае играет роль «губки» и способствует полному исчезновению внутренних напряжений. <...> Кроме того, так как редкоземельные элементы обладают сильными магнитными свойствами, введение их в полупроводники, а также полупроводниковые твердые растворы на основе A3B5 может внести новые степени свободы в материал за счет взаимодействия свободных носителей и магнитных ионов, что в свою очередь открывает новые возможности таких материалов в электронной промышленности [1]. <...> Использование пористых полупроводниковых прослоек в таких гетероструктурах в качестве переходных слоев согласующих параметры между эпитсаксиальным слоем и подложкой, может оказаться перспективным. <...> ПОДГОТОВКА ОБРАЗЦОВ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ В работе исследовались эпитаксиальные гетероструктуры, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии. <...> Эпитаксиальные слои тройных твердых растворов GaInP толщиной ~0.2 µm, легированные диспрозием n ~ 1015 см–3 см–3 , были выращены либо непосредственно на монокристаллических подложках GaAs (100) n ~ 1017 , либо на буферным пористом слое GaAs толщиной ~10 µm, сформированном анодным травлением подложки GaAs (100). <...> © Середин П. В., Домашевская Э. П., Гордиенко Н. Н., Глотов А. В., Журбина И. А., Арсентьев И. Н., Шишков М. В., 2008 88 Согласование параметров эпитаксиального слоя и подложки контролировали с помощью дифрактометра ДРОН 4-07. <...> Анализ поверхности и сколов образцов был проведен с использованием растрового электронного микроскопа JEOL JSM-6380LV. <...> ИК-спектры отражения получали на Фурье ИК-спектрометре Vertex 70 Bruker. <...> Анализ дисперсии отражений спектров ИК от монокристаллической <...>