ФИЗИКА УДК 621.382.029.6 СТРУКТУРА ОБЪЕМНОГО ЗАРЯДА В GaAs ПТШ НА ГРАНИЦЕ МЕЖДУ АКТИВНЫМ СЛОЕМ И ПОДЛОЖКОЙ, ЛЕГИРОВАННОЙ ХРОМОМ А. М. <...> Бобрешов, А. В. Дыбой, Ю. Н. Нестеренко, Ю. Ю. Разуваев Воронежский государственный университет С помощью численного моделирования проанализирована структура объемного заряда на границе полуизолирующей подложки, допированной хромом, и канала в GaAs ПТШ. <...> Использована четырехуровневая модель полуизолирующего GaAs с учетом глубоких уровней. <...> Показана определяющая роль глубоких акцепторных уровней в формировании объемного заряда. <...> КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА: полевой транзистор с затвором Шотки; арсенид галлия; объемный заряд; полуизолирующая подложка; глубокие уровни; численное моделирование. <...> ВВЕДЕНИЕ Граница между n-каналом и полуизолирующей подложкой оказывает существенное влияние на функциональные характеристики полевых транзисторов с затвором Шотки (ПТШ). <...> Это влияние связано с наличием потенциального барьера на границе и сопутствующего ему объемного заряда. <...> Слой граничного объемного заряда имеет форму диполя с отрицательным зарядом со стороны подложки и положительным зарядом со стороны канала [1]. <...> Положительный заряд со стороны канала образован ионизированными мелкими донорами в области потенциального барьера, обедненной подвижными носителями. <...> В подложке из полуизолирующего GaAs концентрация остаточных мелких примесей имеет тот же порядок или меньше, чем концентрация центров с глубокими уровнями, поэтому ионизированные глубокие уровни играют важную роль в формировании объемного заряда со стороны подложки. <...> Различного рода внешние воздействия на транзистор, которые могут изменить величину и структуру объемного заряда на границе, приводят к изменению толщины активного слоя ПТШ и, соответственно, к модуляции проводимости канала [2]. <...> Модуляция проводимости канала является вредным эффектом, приво© Бобрешов А.М., Дыбой А.В., Нестеренко Ю.Н., Разуваев Ю.Ю., 2008 дящим к ухудшению <...>