ВЕСТНИК ВГУ, Серия физика, математика, 2001, ¹ 1 УДК 621.382.416 МОДЕЛИРОВАНИЕ МАЛОШУМЯЩЕГО УСИЛИТЕЛЯ НА НЕМТ-ТРАНЗИСТОРЕ © 2001 г. А. М. Бобрешов, Л. И. Аверина, А. И. Лопатин Воронежский государственный университет Проведено моделирование линейных и нелинейных свойств каскада малошумящего усилителя (МШУ) на транзисторе с высокой подвижностью электронов (НЕМТ-транзисторе). <...> На основе численной модели НЕМТ-транзистора определены его малосигнальные параметры и получены характеристики блокирования и верхней границы динамического диапазона по линейности МШУ в зависимости от мощности входной помехи. <...> Проведен расчет коэффициента подавления собственного шума и показано, что он будет зависеть не только от нелинейных свойств транзистора, но и от соотношения уровней всех его шумовых источников. <...> Также проанализирована устойчивость исследуемого усилителя при его работе в нелинейном режиме. <...> ВВЕДЕНИЕ Резкое усложнение радиоэлектронной обстановки, обусловленное увеличением номенклатуры, плотности размещения и расширением диапазонов рабочих частот радиоэлектронных средств различного функционального назначения приводит к ужесточению требований, предъявляемых к современным транзисторам, используемых во входных каскадах усилителей, с точки зрения их частотных свойств и шумовых характеристик. <...> Решение данной задачи может быть облегчено за счет применения транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT-транзисторов), превосходящих по этим параметрам обычные полевые транзисторы с затвором Шоттки [1, 2]. <...> Применение данных транзисторов в малошумящих усилителях (МШУ) требует исследования их работы не только в линейном, но и в нелинейном режиме работы усилителей. <...> С другой стороны, требования к минимизации стоимости разработки и оптимизации структуры транзистора, предсказания его параметров до изготовления, приводят к возрастанию интереса разработчиков к моделированию его работы. <...> МОДЕЛЬ УСИЛИТЕЛЯ <...>