№ 2 УДК 621.315.592 ФОРМИРОВАНИЕ АНТИМОНИДНЫХ СИСТЕМ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ В УСЛОВИЯХ ГРАДИЕНТНОЙ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ И ИХ ХАРАКТЕРИСТИКИ 2013 г. С.Н. Ващенко, Н.Ю. Архипова, А.В. Благин Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт) South-Russian State Technical University (Novocherkassk Polytechnic Institute) Обсуждаются технологические особенности получения твердых растворов на основе антимонидных систем. <...> Ключевые слова: градиентная жидкофазная эпитаксия; антимонидные системы; условия формирования; электрофизические свойства. <...> Предмет и задачи исследования Полупроводниковые материалы оптоэлектроники должны удовлетворять ряду требований, определяющих возможность их приборного применения: 1) возможность изготовления из них кристаллически совершенных эпитаксиальных структур; 2) высокая фотоэлектрическая и электротехническая добротность; 3) способность приборов, формируемых из этих материалов, эффективно генерировать и детектировать излучение. <...> Недостаточно исследованными с точки зрения жидкофазных методов получения являются эффективные материалы оптоэлектроники инфракрасного диапазона – антимонид галлия GaSb и твердые растворы на его основе. <...> Ограничивающим фактором для приборов на основе GaSb является уровень концентрации акцепторов в слоях, получаемых как жидкофазной (ЖФЭ), так молекулярно-лучевой и МОСгидридной эпитаксией [1]. <...> Весьма интересным решением является легирование этих материалов висмутом. <...> Введение висмута в твердые растворы A3B5 позволяет эффективно управлять многими параметрами [2], однако технологически это осуществить, как правило, достаточно сложно – коэффициент распределения висмута очень мал [1]. <...> Эта проблема решается осуществлением процесса выращивания материалов в условиях градиентной жидкофазной эпитаксии (ГЖЭ) [3]. <...> Целью настоящей работы является исследование процессов формирования указанных антимонидных систем в условиях ГЖЭ и их свойств <...>