Прикладная физика, 2016, № 5 ФОТОЭЛЕКТРОНИКА УДК 621.315.592 Бесконтактное измерение концентрации электронов в нелегированных гомоэпитаксиальных слоях InSb О. С. <...> Комков, Д. Д. Фирсов, Т. В. Львова, И. В. Седова, В. А. Соловьёв, А. Н. Семёнов, С. В. Иванов При помощи инфракрасного фурье-спектрометра измерялись спектры фотоотражения нелегированного InSb, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке n+-InSb. <...> По периоду наблюдаемых при низких температурах осцилляций Франца–Келдыша определялась напряжённость приповерхностного электрического поля. <...> Поскольку значение пиннинга уровня Ферми стабилизировалось обработкой образцов в водном растворе Na2S, величина поля зависела, в основном, от концентрации свободных носителей заряда. <...> Обнаружено влияние температуры предварительного отжига подложки на концентрацию электронов в эпитаксиальном слое. <...> Введение Дальнейший прогресс в развитии фоточувствительных матриц на основе InSb связан с переходом от объёмных кристаллов к эпитаксиальным слоям. <...> Это позволяет работать с пластинами большого диаметра, а также сразу в процессе роста задавать необходимую структуру и свойства слоёв [1]. <...> В качестве подложки в таком случае выбирается сильнолегированный InSb, прозрачный в рабочем спектральном диапазоне. <...> Статья поступила в редакцию 22 июля 2016 г. © Комков О. С., Фирсов Д. Д., Львова Т. В., Седова И. В., Соловьёв В. А., Семёнов А. Н., Иванов С. В., 2016 47 Контроль концентрации носителей заряда в нелегированном активном слое InSb, выращенном на сильнолегированной подложке, представляет собой сложную задачу. <...> Данная работа посвящена разработке оптического метода бесконтактного определения концентрации свободных носителей заряда в гомоэпитаксиальных слоях InSb, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) на проводящих подложках. <...> Метод измерения и исследованные образцы Суть метода заключается в измерении фотоотражения (ФО) исследуемого узкозонного полупроводника <...>