Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634699)
Контекстум
.
Прикладная физика  / №4 2016

Влияние варизонного слоя на адмиттанс МДП-структур с диэлектриком Al2O3 на основе n-Hg1-xCdxTe (x = 0,22—0,23) (100,00 руб.)

0   0
Первый авторВойцеховский
АвторыНесмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю.
Страниц5
ID467462
АннотацияЭкспериментально исследовано влияние наличия приповерхностных варизонных слоев с повышенным содержанием CdTe на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0,22—0,23) с Al2O3 в качестве диэлектрического покрытия. Показано, что для структур с варизонным слоем характерна бóльшая глубина и ширина провала емкости на низкочастотной вольт-фарадной характеристике, а также бóльшие значения дифференциального сопротивления области пространственного заряда, чем для структур без варизонного слоя. Установлено, что основные особенности гистерезиса емкостных зависимостей, характерные для варизонных структур с SiO2/Si3N4, наблюдаются и для МДП-структур с Al2O3. Причины увеличения гистерезиса ВФХ при создании варизонного слоя в структурах с SiO2/Si3N4 или с Al2O3 остаются дискуссионными, хотя можно предположить, что определенную роль в формировании гистерезиса играет кислород
УДК621.315.592
Влияние варизонного слоя на адмиттанс МДП-структур с диэлектриком Al2O3 на основе n-Hg1-xCdxTe (x = 0,22—0,23) / А.В. Войцеховский [и др.] // Прикладная физика .— 2016 .— №4 .— С. 58-62 .— URL: https://rucont.ru/efd/467462 (дата обращения: 25.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

ФОТОЭЛЕКТРОНИКА УДК 621.315.592 Влияние варизонного слоя на адмиттанс МДП-структур с диэлектриком Al2O3 на основе n-Hg1-xCdxTe (x = 0,22—0,23) А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В. В. Васильев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, Г. Ю. Сидоров Экспериментально исследовано влияние наличия приповерхностных варизонных слоев с повышенным содержанием CdTe на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0,22—0,23) с Al2O3 в качестве диэлектрического покрытия. <...> Показано, что для структур с варизонным слоем характерна бульшая глубина и ширина провала емкости на низкочастотной вольт-фарадной характеристике, а также бульшие значения дифференциального сопротивления области пространственного заряда, чем для структур без варизонного слоя. <...> Установлено, что основные особенности гистерезиса емкостных зависимостей, характерные для варизонных структур с SiO2/Si3N4, наблюдаются и для МДП-структур с Al2O3. <...> Причины увеличения гистерезиса ВФХ при создании варизонного слоя в структурах с SiO2/Si3N4 или с Al2O3 остаются дискуссионными, хотя можно предположить, что определенную роль в формировании гистерезиса играет кислород. <...> Введение Узкозонный полупроводниковый твердый раствор теллурид кадмия и ртути широко применяется при создании высокочувствительных инфракрасных детекторов [1, 2]. <...> Ширина запрещенной зоны Hg1-xCdxTe зависит от содержания CdTe, что позволяет создать на основе данного материала детекторы для различных спектральных областей. <...> Одним из основных типов детекторов на основе узкозонного полупроводникового твердого раствора Hg1-xCdxTe являются матричные фотодиоды для спектрального диапазона окна прозрачности атмосферы 8—12 мкм, которые создаются на основе p–n-переходов из Hg1-xCdxTe при x = 0,21— 0,23 [1—3]. <...> E-mail: ifp@isp.nsc.ru Статья поступила в редакцию 8 июня 2016 г. © Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Васильев В. В., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Якушев М. В., Сидоров Г. Ю., 2016 HgCdTe является молекулярно-лучевая <...>