10 УДК 621.315.5 Матричные планарные и мезаструктуры на основе гетероэпитаксиальных слоев InGaAs К.О. <...> Болтарь, И.В. Чинарева, А.А. Лопухин, Н.И. Яковлева Исследованы характеристики матричных фотоприемных устройств формата 320Ч256 элементов с шагом 30 мкм на основе InGaAs, чувствительных в спектральном диапазоне 0,9─1,7 мкм. <...> Матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) изготавливались по планарной и мезатехнологии. <...> Измерены распределения темнового тока и спектральные характеристики фоточувствительности МФЧЭ при комнатной температуре и температуре охлаждения минус 20 °C. <...> Получены тепловизионные изображения в режиме реального времени. <...> Dw Ключевые слова: InGaAs, коротковолновый инфракрасный спектральный диапазон, гетероэпитаксиальные структуры, ГЭС, p─i─n-фотодиод, матрица фоточувствительных элементов, фотоприемное устройство, ФПУ. <...> Введение Одним из наиболее актуальных направлений совершенствования оптико-электронной аппаратуры является использование инфракрасных матричных фотоприемных устройств (ФПУ) на основе p─i─n-фотодиодов, изготовленных в структурах InGaAs [1,2]. <...> Характерными преимуществами данных матриц являются малые темновые токи и шумы, а также возможности использования не только криогенных систем охлаждения, но и более дешевых систем термоэлектрического охлаждения [3─5]. <...> Сферы применения фотоприемных устройств на основе матриц фоточувствительных элементов из InGaAs включают промышленные тепловизоры, приборы ночного видения, системы для космического мониторинга, а также другие применения, связанные с воздействием механических и климатических факторов [6─8]. <...> Спектральные характеристики фотоприемных As показывают, что на сегодняшний день это лучший материал для приборов ночного видения по сравнению с элекустройств на основе In0.53Ga0.47 Болтарь Константин Олегович, начальник НТК1 сор 2 . <...> Чинарева Инна Викторовна, ведущий инженер-технолог1 Лопухин Алексей Алексеевич, начальник участка НТК1 Яковлева Наталья <...>