Возможности улучшения функциональных характеристик нитрида галлия при эпитаксии из газовой фазы (154,00 руб.)

УДК 621.383 Возможности улучшения функциональных характеристик нитрида галлия при эпитаксии из газовой фазы Е.Н. Вигдорович Московский государственный университет приборостроения и информатики Possibilities for Improvement of Gallium Nitride Functional Characteristics by Epitaxy from Gas Phase E.N. <...> Vigdorovich Moscow State University of Instrument Engineering and Informatics Проведен теоретический анализ механизмов кристаллизации нитрида галлия в процессе газофазной эпитаксии. <...> Подробно рассмотрен процесс роста слоев в условиях ограничений в пограничном слое. <...> Определены условия управления процессом и форсирования массопереноса. <...> Экспериментально изучено влияние скорости вращения подложки на механизм кристаллизации. <...> Широкозонные полупроводники в настоящее время интенсивно исследуются, так как их использование в радио- и оптоэлектронике позволяет улучшать функциональные характеристики существующих приборов и создавать устройства с принципиально новыми свойствами. <...> Наиболее перспективным широкозонным полупроводником является нитрид галлия (GaN) [13]. <...> Исследуются в основном два метода получения пленок GaN – молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) и эпитаксия с использованием металлоорганических соединений (МОС). <...> Кристаллизация вещества при газофазной эпитаксии – это многоэтапный процесс, состоящий из различных химических и физических стадий. <...> Это массоперенос и химические процессы в газовой фазе, физическая или химическая адсорбция на поверхности подложки, химические реакции в пограничном слое, поверхностная диффузия, встраи Е.Н. Вигдорович, 2015 350 Известия вузов. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 4 2015 Возможности улучшения функциональных характеристик нитрида галлия. вание атомов в кристаллическую решетку и, наконец, твердотельная диффузия в объеме получаемого материала. <...> Механизм кристаллизации, как правило, определяется лимитирующей стадией в многоэтапном процессе. <...> При исследовании механизма кристаллизации GaN с использованием МОС обнаружено, что существуют интервалы <...>