МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ELECTRONIC ENGINEERING MATERIALS УДК 621.315 Обзор Основные дефекты в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния I. <...> А.Ф.Иоффе РАН (г. Санкт-Петербург) Review Main Defects in Ingots and Epitaxial Layers of Silicon Carbide I. <...> Petersburg На основании зарубежных литературных источников последних лет и с учетом опыта авторов просуммированы наиболее важные сведения о дефектах в карбиде кремния, причинах их появления и свойствах, о современном уровне исследований дефектов и их влиянии на приборные характеристики. <...> On the basis of foreign literature during recent years and own experience the most important information on the silicon carbide defects, their cause and properties, the current level of research and the influence of the defects on the instrument characteristics have been presented by the authors. <...> Карбид кремния (SiC) является одним из наиболее перспективных материалов для высокотемпературной, радиационно стойкой, мощностной и быстродействующей электроники, так как имеет уникальные физические и электронные свойства. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 3 2015 225 Д.Д. Авров, А.О. Лебедев, Ю.М. Таиров К этим свойствам относятся широкая запрещенная зона (примерно в три раза больше, чем у кремния), высокое критическое поле лавинного пробоя (приблизительно в 10 раз больше, чем у кремния), высокая насыщенная скорость дрейфа электронов (в 2,5 раза больше, чем в кремнии и арсениде галлия), высокая термическая стабильность и химическая инертность. <...> Карбид кремния существует в виде нескольких различных политипных модификаций [1]. <...> К настоящему времени число достоверно описанных политипных структур для карбида кремния достигает 200. <...> Электронные свойства в сочетании с хорошими теплопроводящими характеристиками позволяют использовать карбид кремния для создания приборов, работающих в силовой электронике при значительно более высоких напряжениях и температурах по сравнению с приборами из кремния и арсенида галлия. <...> Для полевых МОПтранзисторов и диодов Шоттки это означает более низкие импедансы во включенном <...>