rqoeuh
ophjk`dmni thghjh†
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ
2015, том 3, № 6
Основан в 2013 г.
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Гитлин М. С. Визуализация пространственного распределения интенсивности миллиметровых волн
при помощи оптического континуума, излучаемого газовым разрядом в смеси Cs–Xe. Часть I. Метод
и его физические основы (обзор) ............................................................................................................... 515
Шемухин А. А., Назаров А. В., Кожемяко А. В., Балакшин Ю. В. Влияние энергии ионов пучка Si+ на
образование дефектов и твердофазную рекристаллизацию вблизи границы раздела кремний-сапфир.... 537
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Асюнин В. И., Бушин С. А., Давыдов С. Г., Долгов А. Н., Пилюшенко А. В., Пшеничный А. А., Ревазов
В. О., Якубов Р. Х. Эрозионные процессы в малогабаритном вакуумном разряднике с искровым
поджигом............................................................................................................................................................. 542
Арделян Н. В., Бычков В. Л., Космачевский К. В., Максимов Д. С. Ионизация воздуха в предгрозовых
атмосферных условиях ...................................................................................................................................... 553
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Бурлаков И. Д., Болтарь К. О., Мирофянченко А. Е., Власов П. В., Лопухин А. А., Пряникова Е. В.,
Соловьев В. А., Семенов А. Н., Мельцер Б. Я., Комиссарова Т. А., Львова Т. В., Иванов С. В.
Исследование структур InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии ............................. 559
Дражников Б. Н., Козлов К. В., Кузнецов П. А., Соляков В. Н. Анализ эффективности
пространственной фильтрации сигналов на выходе фотоприемного устройства с режимом
временной задержки и накопления................................................................................................................... 566
Жегалов С. И., Фадеев В. В. Исследование нейронной схемы формирования изображения для
фотоприемного устройства с микросканированием....................................................................................... 573
Яковлева Н. И., Никонов А. В., Шабаров В. В. Экспериментальные исследования и расчеты
спектральной зависимости коэффициента поглощения в однослойных эпитаксиальных структурах
HgCdTe................................................................................................................................................................ 579
Лобачев А. В., Соломонова Н. А., Тресак В. К., Шкетов А. И., Фирсенкова Ю. А. Исследование
коэффициента фотоэлектрической связи ультрафиолетового матричного фотоприемного устройства... 589
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Высикайло Ф. И., Митин В. С., Митин А. В., Краснобаев Н. Н., Беляев В. В. Высокоскоростное ионно-плазменное
магнетронное распыление для металлизации керамических теплоотводов мощных
СВЧ-транзисторов (обзор)................................................................................................................................. 594
ИНФОРМАЦИЯ
XLIII Международная Звенигородская конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному
синтезу.............................................................................................................................................. 604
24-я Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного
видения ...................................................................................................................................................... 607
Сводный перечень статей, опубликованных в журнале «Успехи прикладной физики» в 2015 г. ..... 608
Правила для авторов........................................................................................................................................ 610
Москва
Стр.1
Учредитель журнала:
Государственный научный центр Российской Федерации —
АО «НПО «Орион»
Журнал зарегистрирован в реестре Роскомнадзора
ПИ № ФС 77-53027
Международный стандартный сериальный номер
ISSN 2307-4469
Выходит 6 раз в год
Главный редактор
А. М. Филачёв, д.т.н., член-корреспондент РАН, профессор
Редакционная коллегия
В. И. Баринов, к.ф.-м.н., доцент (заместитель главного редактора).
И. Д. Бурлаков, д.т.н., профессор.
Л. М. Василяк, д.ф.-м.н., профессор (заместитель главного редактора).
Ю. В. Гуляев, д.ф.-м.н., академик РАН.
В. Дамньанович, д.ф.-м.н., профессор (Сербия)
А. В. Двуреченский, д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН.
В. А. Иванов, к.ф.-м.н., доцент.
А. В. Латышев, д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН, профессор.
Ю. А. Лебедев, д.ф.-м.н.
В. П. Пономаренко, д.ф.-м.н., профессор.
В. И. Пустовойт, д.ф.-м.н., академик РАН.
А. А. Рухадзе, д.ф.-м.н., профессор.
Э. Ю. Салаев, д.ф.-м.н., академик НАН Азербайджана, профессор.
А. С. Сигов, д.т.н., академик РАН, профессор.
И. И. Таубкин, д.т.н., профессор.
В. А. Ямщиков, д.т.н.
Издатель — АО «НПО «Орион», ГНЦ РФ.
Адрес редакции журнала "Успехи прикладной физики":
111538, Москва, ул. Косинская, д. 9,
АО «НПО «Орион».
Телефон: 8 (499) 374-82-40
E-mail: advance@orion-ir.ru
Internet: advance.orion-ir.ru
Подписано в печать 21.12.2015.
Формат А4. Бумага офсетная.
Печать цифровая. Усл. печ. л. 11,8. Уч.-изд. л. 12,2.
Тираж 140 экз. Цена договорная.
Отпечатано в типографии ЦНО «Угреша».
Адрес: 140090, г. Дзержинский Московской области,
ул. Академика Жукова, 24.
Успехи прикладной физики®
Подписной индекс
в Объединенном каталоге «Пресса России» — 20999
© Редколлегия журнала «Успехи прикладной физики",
составление, 2015
© Редакция журнала «Успехи прикладной физики»,
оформление, 2015
Стр.2
USPEKHI PRIKLADNOI FIZIKI
(ADVANCES IN APPLIED PHYSICS)
THE SCIENTIFIC AND TECHNICAL JOURNAL
2015, Vol. 3, No. 6
Founded in 2013
Moscow
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
M. S. Gitlin Imaging of millimeter wave intensity profiles using a visible continuum radiation from a
Cs–Xe DC discharge. Part I. A technique and its fundamentals (a review) ................................................... 515
A. A. Shemukhin, A. V. Nazarov, A. V. Kozhemyako, and Yu. V. Balakshin The influence of the ion energy
for the Si+ beam on the defect formation and solid-phase recrystallization near the silicon-sapphire
interface .......................................................................................................................................................... 537
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
V. I. Asiunin, S. A. Bushin, S. G. Davydov, A. N. Dolgov, A. V. Pilyushenko, A. A. Pshenichniy, V. O.
Revazov, and R. Kh. Yakubov Erosion processes in a small-size vacuum spark gap...................................... 542
N. V. Ardelyan, V. L. Bychkov, K. V. Kosmachevskii, and D. S. Maximov Air ionization under extreme
physical conditions ......................................................................................................................................... 553
PHOTOELECTRONICS
I. D. Burlakov, K. O. Boltar, A. E. Mirofyanchenko, P. V. Vlasov, A. A. Lopukhin, E. V. Pryanikova, V.
A. Solov’ev, A. N. Semenov, B. Ya. Mel’tser, T. A. Komissarova, T. V. L’vova, and S. V. Ivanov Investigation
of InSb structures grown by molecular beam epitaxy.......................................................................... 559
B. N. Drajnikov, K. V. Kozlov, P. A. Kyznetsov, and V. N. Solyakov The analysis of TDI FPA images
dimensional filtration efficiency..................................................................................................................... 566
S. I. Zhegalov and V. V. Fadeev A neural scheme for the FPA image formation with microscanning .......... 573
N. I. Iakovleva, V. Nikonov, and V. V. Shabarov Investigation and calculation of absorption spectra in
the HgCdTe single-layer epitaxial structures.................................................................................................. 579
A. V. Lobachyov, N. A. Solomonova, V. C. Tresak, A. I. Shketov, and Yu. A. Firsenkova The dependence
of the coefficient of pixel crosstalk for a ultraviolet FPA on the operating point .......................................... 589
PHYSICAL EQUIPMENT AND ITS ELEMENTS
P. I. Vysikaylo, V. S. Mitin, A. V. Mitin, N. N. Krasnobaev, and V. V. Belyaev Using the high-speed ion
plasma magnetron sputtering to metallization of ceramic heatsinks in cooling devices of the powerful
microwave transistors (a review).................................................................................................................... 594
INFORMATION
XLIII International Zvenigorod Conference on Plasma Physics and Controlled Thermonuclear Fusion ..... 604
XXIV International Conference on Photoelectronics and Nigth Vision Devices........................................ 607
The summary list of the articles published in Uspekhi Prikladnoi Fiziki in 2015 ...................................... 608
Rules for authors ........................................................................................................................................... 610
Стр.3