УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ
2015, том 3, № 2
Основан в 2013 г.
Москва
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Климанов Е. А. О механизмах геттерирования
генерационно-рекомбинационных центров
в кремнии при диффузии фосфора и
бора .................................................................... 121
Ташаев Ю. Н. Моделирование электростатического
поля тороида ....................................... 126
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Гришина И. А., Иванов В. А., Коврижных Л. М.
Современное состояние исследований в области
физики плазмы и плазменных технологий
в России (обзор по материалам XLII
Международной конференции по физике
плазмы и УТС) .................................................. 133
Мещеряков А. И., Вафин И. Ю. Измерения
эффективного заряда плазмы по спектру
мягкого рентгеновского излучения и по проводимости
на стеллараторе Л-2М в условиях
боронизации вакуумной камеры..................... 145
Балмашнов А. А., Бутко Н. Б., Степина С. П.,
Умнов А. М., Хименес М. Х. Параметры ЭЦРплазмы,
формируемой в коаксиальном резонаторе
плазменного инжектора CERA-RI-2
(вычислительный эксперимент) ...................... 150
Курбанисмаилов В. С., Омаров О. А., Рагимханов
Г. Б., Арсланбеков М. А., Абакарова Х. М.,
Али Рафид А. А. Импульсный объемный разряд
в гелии при высоких перенапряжениях... 154
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Филачёв А. М., Таубкин И. И., Тришенков М. А.
Достижения твёрдотельной фотоэлектроники
(обзор) .......................................................... 162
Яковлева Н. И. Процессы рекомбинации и
анализ времени жизни в узкозонных
полупроводниковых структурах CdHgTe...... 169
Пермикина Е. В., Кашуба А. С. Исследование
эпитаксиальных гетероструктур HgCdTe...... 180
Филатов А. В., Карпов В. В., Сусов Е. В.,
Грибанов А. А., Кузнецов Н. С., Петренко В. И.
Фоторезисторы с кодом Грея из гетероэпитаксиальных
структур CdxHg1-xTe на
спектральный диапазон 2—11 мкм с
термоэлектрическим охлаждением ................ 190
Филатов А. В., Сусов Е. В., Акимова Н. М.,
Карпов В. В., Шаевич В. И. Высокостабильные
фоторезисторы диапазона 8—12 мкм из
ГЭС КРТ МЛЭ.................................................. 196
Будтолаева А. К., Хакуашев П. Е., Чинарева
И. В. Исследование имплантации бериллия
в InP ............................................................ 202
ИНФОРМАЦИЯ
Сводный перечень статей, опубликованных
в журнале в 2014 г. ............................ 209
Правила для авторов................................. 212
Бланк для подписки................................... 214
Стр.1
Учредитель журнала:
Государственный научный центр Российской Федерации —
АО «НПО «Орион»
Журнал зарегистрирован в реестре Роскомнадзора
ПИ № ФС 77-53027
Международный стандартный сериальный номер
ISSN 2307-4469
Выходит 6 раз в год
Главный редактор
А. М. Филачёв, д.т.н., член-корреспондент РАН, профессор
Редакционная коллегия
В. И. Баринов, к.ф.-м.н., доцент (заместитель главного редактора).
И. Д. Бурлаков, д.т.н., профессор.
Л. М. Василяк, д.ф.-м.н., профессор (заместитель главного редактора).
И. С. Гайдукова, к.т.н. (ответственный секретарь редколлегии).
Ю. В. Гуляев, д.ф.-м.н., академик РАН.
Д. Дамньанович, д.ф.-м.н., профессор (Сербия)
А. В. Двуреченский, д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН.
В. А. Иванов, к.ф.-м.н., доцент.
А. В. Латышев, д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН.
Ю. А. Лебедев, д.ф.-м.н.
В. П. Пономаренко, д.ф.-м.н., профессор.
В. И. Пустовойт, д.ф.-м.н., академик РАН.
А. А. Рухадзе, д.ф.-м.н., профессор.
Э. Ю. Салаев, д.ф.-м.н., академик НАН Азербайджана, профессор.
А. С. Сигов, д.т.н., академик РАН, профессор.
И. И. Таубкин, д.т.н., профессор.
В. А. Ямщиков, д.т.н.
Издатель — АО «НПО «Орион», ГНЦ РФ.
Адрес редакции журнала "Успехи прикладной физики":
111538, Москва, ул. Косинская, д. 9,
АО «НПО «Орион».
Телефон: 8 (499) 374-82-40
E-mail: advance@orion-ir.ru
Internet: advance.orion-ir.ru
Подписано в печать 24.04.2015.
Формат А4. Бумага офсетная.
Печать цифровая. Усл. печ. л. 11,4. Уч.-изд. л. 11,8.
Тираж 140 экз. Цена договорная.
Отпечатано в типографии ЦНО «Угреша».
Адрес: 140090, г. Дзержинский Московской области,
ул. Академика Жукова, 24.
Успехи прикладной физики®
Подписной индекс
в Объединенном каталоге «Пресса России» — 20999
© Редколлегия журнала "Успехи прикладной физики",
составление, 2015
© АО «НПО «Орион», оформление, 2015
Стр.2
USPEKHI PRIKLADNOI FIZIKI
(ADVANCES IN APPLIED PHYSICS)
THE SCIENTIFIC AND TECHNICAL JOURNAL
2015, Vol. 3, No. 2
Founded in 2013
Moscow
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
E. A. Klimanov Mechanism of gettering the
generation-recombination centers in silicon at
diffusion of phosphorus and boron..................... 121
Y. N. Tashayev Modeling of the electrostatic
field of the charged toroid .................................. 126
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
I. A. Grishina, V. A. Ivanov, and L. M. Kovrizhnykh
Current state of researches in plasma
physics and plasma technologies in Russia (a
review of the XLII International Zvenigorod
Conference, 2014) .............................................. 133
A. I. Meshcheryakov and
I. Yu. Vafin Measurement
of the plasma effective charge on the
soft X-ray spectrum and on conductivity of
plasma at the L-2M stellarator............................ 145
A. A. Balmashnov, S. P. Stepina, N. B. Butko,
A. M. Umnov, and М. J. Jimenez Parameters of
ECR plasma created in а coaxial cavity of the
CERA-RI-2 injector (computer simulation) ....... 150
V. S. Kurbanismailov, O. A. Omarov, G. B. Ragimkhanov,
M. A. Arslanbekov, Kh. M. Abakarova,
and A. A. Ali Rafid Pulse volume discharge
in helium at high overvoltages............... 154
PHOTOELECTRONICS
A. M. Filachov, I. I. Taubkin, and M. A. Trishenkov
A review on advances in the solid-state
photoelectronics ................................................. 162
N. I. Iakovleva Recombination mechanisms and
minority carrier lifetime analysis in the narrowband
CdHgTe structures..................................... 169
E. V. Permikina and A. S. Kashuba The investigation
of of CdхHg1-хTe multilayered structures
for production of matrix photodetector.............. 180
A. V. Filatov, V. V. Karpov, E. V. Susov, A. A. Gribanov,
N. S. Kuznetsov, and V. I. Petrenko
Photoresistors with a Gray code from heteroepitaxial
structures CdxHg1-xTe on the 2-11 μm spectral
range with thermoelectric cooling .............. 190
A. V. Filatov, E. V. Susov, N. M. Akimova,
V. V. Karpov, and V. I. Shaevich Processing the
highly stable 8—12 μm photoresistors on the
basis of molecular-beam
heteroepitaxial
CdHgTe structures ............................................. 196
A. K. Budtolaeva, P. E.
Khakuashev, and
I. V. Chinareva Study of the beryllium implantation
in InP........................................................ 202
INFORMATION
Summary list of articles published in 2014 ...... 209
Rules for authors............................................... 212
Subscription to the Journal .............................. 214
Стр.3