Известия высших учебных
заведений
ЭЛЕКТРОНИКА
3(107)’2014
Учредители:
Министерство
образования и науки
Российской Федерации
Национальный
исследовательский
университет «МИЭТ»
Главный редактор
Вернер В.Д., д.ф.-м.н., проф.
Зам. главного редактора
Чаплыгин Ю.А., чл.-корр. РАН,
д.т.н., проф.
Редакционная коллегия:
Амербаев В.М., акад. НАН
Респ. Казахстан, д.т.н., проф.
Бархоткин В.А., д.т.н., проф.
Быков Д.В., д.т.н., проф.
Гаврилов С.А., д.т.н., проф.
Грибов Б.Г., чл.-корр. РАН,
д.х.н., проф.
Казённов Г.Г., д.т.н., проф.
Коноплёв Б.Г., д.т.н., проф.
Коркишко Ю.Н., д.ф.-м.н., проф.
Королёв М.А., д.т.н., проф.
Кубарев Ю.В., д.ф.-м.н., проф.
Лабунов В.М., акад. НАН
Беларуси, д.т.н., проф.
Максимов И.А., PhD, проф.
Лундского университета
(Швеция)
Неволин В.К., д.ф.-м.н., проф.
Неволин В.Н., д.ф.-м.н., проф.
Петросянц К.О., д.т.н., проф.
Руденко А.А., канд.т.н., доц.
Сазонов А.Ю., PhD, проф.
Университета Ватерлоо
(Канада)
Таиров Ю.М., д.т.н., проф.
Телец В.А., д.т.н., проф.
Тихонов А.Н., д.т.н., проф.
Усанов Д.А., д.ф.-м.н., проф.
© “Известия вузов.
Электроника”, 2014
© МИЭТ, 2014
СОДЕРЖАНИЕ
Материалы электронной техники
Вигдорович Е.Н. Политропия примеси в системе
GaAs–Mn. ............................................................................... 3
Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.В. Механизмы
транспорта носителей зарядов в композите с включениями
в виде углеродных нанотрубок ................................ 7
Технология микро- и наноэлектроники
Щёголева Т.В., Добрынин А.В. Применение технологии
литья при изготовлении пьезокерамических балок
для гироскопа ........................................................................ 16
Сафонов С.О., Беспалов В.П., Голишников А.А.,
Путря М.Г. Оценка надежности алюминиевой металлизации
интегральных схем при проведении ускоренных
электромиграционных испытаний при постоянной температуре
................................................................................. 21
Вакуумная электроника
Ли И.П., Петров В.С., Поляков В.С., Силаев А.Д.,
Харитонова Н.Е., Минин А.А., Гайдар А.И. Одновременное
активирование автоэлектронного и вторичноэмиссионного
катодов магнетрона с безнакальным запуском
.................................................................................... 30
Микроэлектронные приборы и системы
Лугин А.Н., Оземша М.М. Электрическое сопротивление
и тензочувствительность Г-образного фрагмента
тонкопленочного резистора ...................................................... 38
Научно-технический журнал
Издается с 1996 г.
Выходит 6 раз в год
Стр.1
Заведующая редакцией
С.Г. Зверева
Редактор
А.В. Тихонова
Научный редактор
С.Г. Зверева
Корректор
Л.Ф. Летунова
Компьютерный дизайн, верстка
А.Ю. Рыжков
С.Ю. Рыжков
Адрес редакции: 124498,
Москва, Зеленоград,
проезд 4806, д. 5, МИЭТ
Тел.: 8-499-734-6205
Е-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru
Подписано в печать 30.05.2014.
Формат бумаги 6084 1/8.
Цифровая печать.
Объем 11,63 усл.печ.л.,
11,4 уч.-изд.л.
Заказ № 30.
Отпечатано
в типографии ИПК МИЭТ
124498, Москва, Зеленоград,
проезд 4806, д. 5, МИЭТ
Свидетельство о регистрации
№ 014134
выдано Комитетом РФ по печати
12.10.95.
Включен в Перечень российских
рецензируемых научных журналов,
в которых должны быть опубликованы
основные научные результаты
диссертаций на соискание ученых
степеней доктора и кандидата наук.
Включен в Российский индекс
научного цитирования.
Микро- и наносистемная техника
Тимошенков С.П., Евстафьев С.С., Бритков И.М.,
Самойликов В.К., Паньков К.С. Расчет и экспериментальное
исследование температурной зависимости угла
отклонения элемента микрозеркала .................................. 43
Беспалов В.А., Васильев И.А., Дюжев Н.А., Мазуркин Н.С.,
Новиков Д.В., Попков А.Ф. Моделирование первичного
преобразователя скорости потока газа мембранного
типа ....................................................................................... 50
Микропроцессорная техника
Серов А.Н., Иванов В.А. Загрузчик данных для дистанционного
перепрограммирования мультипроцессорных
вычислительных устройств ........................................ 57
Информационные технологии
Туркин А.В., Сотников А.В., Шипатов А.В. Верификация
при модельно-ориентированном проектировании
с использованием среды Simulink ...................................... 63
Интегральные радиоэлектронные устройства
Зайцев А.А. Подавление пульсаций сигнала управления
ГУН при использовании амплитудной компенсации
помех дробности в синтезаторах сетки частот ФАПЧ ...... 69
Романюк В.А., Яр Зар Хтун. Минимизация фазового
шума микроволновых синтезаторов частот выбором
схем опорного генератора и ГУН ....................................... 73
Проблемы высшего образования
Игнатова И.Г., Сенькин С.В., Бобриков Д.А. Система
автоматизации документооборота университета с учетом
специфики сферы деятельности .................................. 81
Юбилеи
Петросянцу Константину Орестовичу – 70 лет ............... 92
Конференции. Семинары
Научно-практические семинары «Информационные
инструменты для современного ученого» и «Использование
on-line электронных научных ресурсов в научном
и учебном процессах современного технического университета»
............................................................................. 93
Contents ................................................................................ 94
Abstracts ............................................................................... 95
К сведению авторов ............................................................ 99
2
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 3(107) 2014
Стр.2
CONTENTS
Electronic engineering materials
E.N. Vigdorovich Polytropy of Impurity in GaAs-Mn System ............................................................... 3
D.A. Usanov, A.V. Scripal, A.V. Romanov Mechanisms of Transport of Charge Carriers in a Composite
Material withInclusions of Carbon Nanotubes.............................................................................. 7
Micro- and nanoelectronics technology
T.V. Schegoleva, A.V. Dobrynin Use of Injection Molding Technology in Manufacture of Piezoelectric
Beams for Gyroscopes ...................................................................................................................... 16
S.O. Safonov, V.P. Bespalov, A.A. Golishnikov, M.G. Putrya Reliability Evaluation of Aluminum
Metallization for Integrated Circuits during Accelerated Isothermal Electromigration Test .................. 21
Vacuum electronics
I.P. Li, V.S. Petrov, V.S. Poliyakov, A.D. Silaev, N.E. Kharitonova, A.A. Minin, A.I. Gaidar Simultaneous
Activation of Field Emission and Secondary-Emission Cathodes of Magnetron with
Nonincandescent Launch......................................................................................................................... 30
Microelectronic devices and systems
A.N. Lougin, M.M. Ozemsha Electrical Resistance and Strain-Sensitivity in fragment of Thin-Film
Resistor Layout of «Right Angle» Type .................................................................................................. 38
Micro- and nanoelectronics technology
S.P. Timoshenkov, S.S. Evstafev, I.M. Britkov, V.K. Samoylikov, K.S. Pankov Calculations and Experimental
Study on Temperature Dependence of Micromirror Element Deflection Angle ................... 43
V.A. Bespalov, I.A. Vasilev, N.A. Djuzhev, N.S. Mazurkin, D.V. Novikov, A.F. Popkov Modeling of
Thermal Flow Sensor of Membrane Type for Gas Flow Velocity .......................................................... 50
Microprocessor systems
A.N. Serov, V.A. Ivanov Bootloader of Multiprocessor Computers for Remote Reprogramming ......... 57
Information technologies
A.V. Turkin, A.V. Sotnikov, A.V. Shipatov Verification in Model-Based Design Using Simulink ....... 63
Integrated radioelectronic devices
A.A. Zaitsev Suppression of Pulses of VCO Control Signal while Using Amplitude Fractional Spurious
Signal Compensation in Frequency Spectrum Synthesizers PLL ..................................................... 69
V.A. Romanyuk, Yar Zar Htun Minimization of Phase Noise of Microwave Frequency Synthesizers
by Choice of Reference Oscillator and VCO Circuits ............................................................................. 73
University education problems
I.G. Ignatova, S.V. Senkin, D.A. Bobrikov Automation of Electronic Document Management System
for University with Account of Specific Requirements .................................................................... 81
94
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 3(107) 2014
Стр.94
ABSTRACTS
ELECTRONIC ENGINEERING MATERIALS
Polytropy of Impurity in GaAs-Mn System
E.N. Vigdorovich
Moscow State University of Instrument Engineering and Informatics
The intermolecular interactions in the GaAs:Mn system have been considered. It has been found
that despite the high chemical solubility of manganese in gallium arsenide, some polytropy of impurity
is possible, i.e. the transition of impurity in certain concentrations (below the limit of solubility) to the
electrically inactive state. The phenomenon of polytropy can be a limiting factor in achieving the
highest possible characteristics of devices and instruments on the basis of the GaAs system:Mn.
Keywords: gallium arsenide, manganese, epitaxy, spintronics, Curie temperature, the energy of
Fermi, the activity rate, the interaction option.
Mechanisms of Transport of Charge Carriers in a Composite Material with
Inclusions of Carbon Nanotubes
D.A. Usanov, A.V. Scripal, A.V. Romanov
Saratov State University named after N.G. Tchernyshevsky
From the transmission and reflection spectra of microwave radiation interacting with a microstrip
photonic structure with a sample under investigation the temperature dependence of the complex
dielectric permeability of carbon nanotubes, subjected to high-temperature annealing, and the
composite materials, created on their basis, has been determined. The transport mechanisms of charge
carriers in the composites with inclusions in the form of the unannealed and subjected to hightemperature
annealing carbon nanotubes have been defined. The annealing temperature influence on
the characteristic parameters for these mechanisms, defining the temperature dependence of the
conductivity of multilayered carbon nanotubes, has been established.
Keywords: dielectric permeability, composites, carbon nanotubes, microstrip photonic crystals,
annealing.
MICRO- AND NANOELECTRONICS TECHNOLOGY
Use of Injection Molding Technology in Manufacture of Piezoelectric Beams for
Gyroscopes
T.V. Schegoleva1, A.V. Dobrynin2
1Elpa Company, Moscow
2National Research University of Electronic Technology, Moscow
The sensor of the piezoelectric gyroscope has been considered. The electrical parameters of the
sensor, produced according to the traditional monolithic and new molding technology, in the form of
bimorph beams have been analyzed. It has been shown that according to the new technology of
harvesting the bars are less distorted, which contributes to the reduction of the number of
technological operations and improves the thermal stability of the sensor.
Keywords: gyroscope, piezoelectric ceramics, bimorph beam.
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 3(107) 2014
95
Стр.95
Reliability Evaluation of Aluminum Metallization for Integrated Circuits during
Accelerated Isothermal Electromigration Test
S.O. Safonov1,2, V.P. Bespalov2, A.A. Golishnikov1, M.G. Putrya1
1National Research University of Electronic Technology, Moscow
2JSC «Angstrem-T» (Moscow)
A method of estimating reliability of the multilevel metallization for integrated circuits at a
constant temperature has been implemented and tested. The statistical analysis of the data has been
carried out and the main reliability parameters of the conductors have been calculated. The main
failure modes, the formation of which is characteristic during the electromigration tests at constant
temperature, have been shown and analyzed.
Keywords: electromigration, metallization, aluminum, reliability, reliability testing.
VACUUM ELECTRONICS
Simultaneous Activation of Field Emission and Secondary-Emission
Cathodes of Magnetron with Nonincandescent Launch
I.P. Li1, V.S. Petrov1, V.S. Poliyakov, A.D. Silaev1, N.E. Kharitonova1, A.A. Minin1, A.I. Gaidar2
1JSC «Pluton», Moscow
2FGBU «NII PMT», Moscow
The processes of manufacturing the secondary emission cathodes Pd-Pd5Ba have been
considered. The parameters of physical and chemical processes, responsible for restructuring of the
surface of working edges of autoelectronic cathodes (AEC) in the process of activating the secondaryemission
cathodes, the emission of which provides the initiation of generation in magnetrons with the
nonincandescent launch, have been determined.
Keywords: heat treatment, secondary emission, field-emission, nonincandescent start, whiskers,
Knudsen cell.
MICROELECTRONIC DEVICES AND SYSTEMS
Electrical Resistance and Strain-Sensitivity in Fragment of Thin-Film Resistor
Layout of «Right Angle» Type
A.N. Lougin, M.M. Ozemsha
Public Corporation «Research Institute of Electronic and Mechanical Devices»
The numerical evaluation of the current distribution, power dissipation and electrical resistance in
the fragment of the thin-film resistor layout of the ‘right angle’ type has been carried out. The method
for determining the strain-sensitivity in the fragment of the resistor layout has been proposed. The
analysis and comparison with the well-known solutions have been made.
Keywords: resistor, electrical resistance, fragment of resistor layout of «right angle» type, current
distribution, power dissipation, non-uniform area, of resistor layout, strain-sensitivity.
MICRO- AND NANOELECTRONICS TECHNOLOGY
Calculations and Experimental Study on Temperature Dependence of
Micromirror Element Deflection Angle
S.P. Timoshenkov, S.S. Evstafev, I.M. Britkov, V.K. Samoylikov, K.S. Pankov
National Research University of Electronic Technology, Moscow
The results of research and development of the thermo activated micro-mechanical mirror array
(MMMA) characteristics have been presented. The methods for calculating the thermo-mechanical
deformation of the actuator under the influence of overheating in relation to the environment have
96
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 3(107) 2014
Стр.96
been given. A system allowing determination of the relation between the angle of rotation of the
MMMA individual elements and the overheating temperature has been developed and described.
Keywords: micro-mechanical mirror array, thermo-mechanical actuator.
Modeling of Thermal Flow Sensor of Membrane Type for Gas Flow Velocity
V.A. Bespalov, I.A. Vasilev, N.A. Djuzhev, N.S. Mazurkin, D.V. Novikov, A.F. Popkov
National Research University of Electronic Technology, Moscow
The output characteristics of the thermal flow sensor of membrane type based on the calorimetric
principle of operation have been analyzed. The dependences of the output characteristics of the
thermal flow sensor on its design parameters have been investigated. The change of the temperature
distribution along the membrane due to the flow velocity has been shown and the influence of the
distance between the thermistors, of the membrane thickness and material on the thermal flow sensor
characteristics has been investigated. The simulation and experimental results have been compared.
The obtained dependences may be used for optimization of a similar device configuration to increase
sensitivity and expand the dynamic range of the specific purpose sensor.
Keywords: thermal flow sensor, gas flow, modeling, thermal distribution, calorimetric method,
measurement range, MEMS, ultimate sensitivity, optimal parameters.
MICROPROCESSOR SYSTEMS
Bootloader of Multiprocessor Computers for Remote Reprogramming
A.N. Serov, V.A. Ivanov
National Research University of Electronic Technology, Moscow
Some methods of remote reprogramming of microprocessor computers have been considered.
The generalized circuit of the dual-processor computer, for which the bootloader of the code of
programs has been developed, has been provided. The main features of the computer creation have
been shown. The bootloader can work as a universal module for similar multiprocessor computers.
Keywords: computing system, computer, multiprocessor system, remote reprogramming,
bootloader.
INFORMATION TECHNOLOGIES
Verification in Model-Based Design Using Simulink
A.V. Turkin, A.V. Sotnikov, A.V. Shipatov
National Research University of Electronic Technology, Moscow
An automatic approach for solving the code verification problem, arising during developing the
software using the environment of the model-based design Simulink, has been considered. Two
verification schemes in the Processor-in-the-Loop simulation mode, each of them assuming the
interaction between Simulink, the development environment Eclipse and operating system Linux,
which operates on a purposeful platform, have been described. The most efficient verification scheme,
which could be used for solving this task on the hardware platform, has been distinguished.
Keywords: model-based approach, code verification, Simulink, Eclipse, GDB, SSH.
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 3(107) 2014
97
Стр.97
INTEGRATED RADIOELECTRONIC DEVICES
Suppression of Pulses of VCO Control Signal while Using Amplitude
Fractional Spurious Signal Compensation in Frequency Spectrum
Synthesizers PLL.
A.A. Zaitsev
National Research University of Electronic Technology, Moscow
The technique of the pulse suppression in a control signal of VCO due to the open circuit PLL at
the time of operation of the fractional spurious current and the compensation current has been
proposed. The spectrograms of the synthesized signal, which confirm the proposed technique
efficiency, have been presented.
Keywords: PLL frequency synthesizer, fractional spurious signal compensation.
Minimization of Phase Noise of Microwave Frequency Synthesizers by
Choice of Reference Oscillator and VCO Circuits
V.A. Romanyuk, Yar Zar Htun
National Research University of Electronic technology, Moscow
The results of the simulation of microwave oscillator electrical circuits in the Microwave Office
program have been presented. The purpose of the simulation and optimization is the minimization of
the mm frequency synthesizer phase noise. The options of the reference oscillator and the voltage
controlled oscillator (VCO) have been investigated. The effect on the phase noise of the circuits,
incorporating bipolar and field effect transistors, of the bias supply chains to the base and gate
transistors, of incorporating the quartz crystals and of the VCO frequency tuning methods have been
studied. The optimal circuits of reference oscillator and mm VCO with minimum phase noise have
been proposed.
Keywords: microwave synthesizer, phase noise, modeling, Microwave Office.
UNIVERSITY EDUCATION PROBLEMS
Automation of Electronic Document Management System for
University with Account of Specific Requirements
I.G. Ignatova, S.V. Senkin, D.A. Bobrikov
National Research University of Electronic Technology, Moscow
The method of choosing the electronic document management system (EDMS) has been
proposed. Within this framework the most popular Russian systems, contributing to time reduction of
work with documents, have been considered. The groups of parameters for comparison of these
systems, according to which the information search had been performed and the intermediate
conclusions had been made, have been formed. To stipulate the scientific rationale for EDMS choice,
the hierarchy analysis method has been used.
Keywords: electronic document management, EDMS, analysis of EDMS, EDMS comparing,
analytic hierarchy process, AHP.
98
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 3(107) 2014
Стр.98
К СВЕДЕНИЮ АВТОРОВ
(Правила оформления рукописей действуют с 1 января 2013 г.)
ВНИМАНИЕ! Для публикации статьи в журнале автор оформляет подписку на 2 экземпляра
номера, в котором будет размещена его статья.
ВАЖНАЯ ИНФОРМАЦИЯ! Статьи принимаются в редакцию только при наличии договора
о передаче авторского права. Статьи, рекомендованные для публикации в журналах
Semiconductors и Russian Microelectronics (English translation of selected articles from Izvestiya
Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Elektronika), необходимо также сопровождать договорами о передаче
авторского права.
Научно-технический журнал «Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА» публикует на русском и английском
языках оригинальные и обзорные (заказные) статьи. Верстка журнала осуществляется в издательской
системе, функционирующей в сети IBM-совместимых компьютеров. Журнал имеет формат А4 и изготавливается
по технологии цифровой печати.
Основные рубрики:
фундаментальные исследования;
материалы электронной техники;
вакуумная электроника;
технология микро- и наноэлектроники;
микроэлектронные приборы и системы;
нанотехнология;
схемотехника и проектирование;
микро- и наносистемная техника;
микропроцессорная техника;
информационные технологии;
интегральные радиоэлектронные устройства;
методы и техника измерений;
биомедицинская электроника;
проблемы высшего образования.
В редакцию представляются:
1. Текст статьи, включая аннотации, рисунки, таблицы, библиографический список, список авторов и
сведения о них, подготовленный на компьютере и распечатанный на лазерном принтере на белой бумаге
формата А4 с четким и ясным шрифтом в 2-х экземплярах.
2. Электронный вариант статьи на лазерном диске для верстки, подготовленный на IBM PC в
формате MS Word for Windows. Для иногородних авторов допускается передача электронного варианта
статьи по e-mail.
3. Экспертное заключение, рекомендация кафедры, сопроводительное письмо на официальном бланке (для
сторонних организаций).
4. Лицензионный договор о передаче авторского права в 2-х экземплярах. Форму лицензионного договора
с автором можно найти по ссылке: http:/miet.ru/structure/s/894/e/39211/191.
Статья должна быть подписана всеми авторами.
Ориентировочный объем публикаций: для статьи не более 12 страниц текста и 5 рисунков, для краткого
сообщения не более 4 страниц текста и 2 рисунка.
Первая страница статьи оформляется следующим образом: индекс УДК; название статьи; инициалы,
фамилия автора; название учреждения, где выполнена работа; краткая (не более 7 полных строк) аннотация
на русском языке, ключевые слова. Далее следует текст статьи. Статья должна быть пронумерована
насквозь.
Аннотации:
Должны быть распечатаны на отдельных страницах:
- на английском языке с названием статьи, инициалами и фамилией автора и местом работы;
- на русском языке с названием статьи, инициалами и фамилией автора и местом работы.
После аннотаций необходимо дать ключевые слова на русском и английском языках.
Ключевые слова или словосочетания отделяются друг от друга точкой с запятой.
В электронном варианте аннотации на английском и русском языках должны быть оформлены в виде
отдельных текстовых файлов.
Текст:
- печатается через два интервала с размером шрифта не меньше стандартного машинописного
(13 кегль, Times New Roman);
- абзацы отделяются друг от друга одним маркером конца абзаца (применение этого символа в других целях
не допускается), ширина отступа (0,75 см) устанавливается в меню Word Формат/Абзац; набор текста начинается
с левого края; по правому краю текст не выравнивается; текст набирается без переносов;
- все слова внутри абзаца разделяются только одним пробелом;
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 3(107) 2014
99
Стр.99
- перед знаками препинания пробелы не ставятся, после них – один пробел;
- разрядка слов не допускается;
- не допускается применение псевдографики, а также стилей.
Формулы:
Для набора формул в MS Word используется MS Equation 3.0. Установки редактора формул
Styles/Sizes (Стили/Размеры) только по умолчанию. Пронумерованные формулы (нумеруются только те,
на которые ссылаются в тексте) выносятся отдельной строкой и располагаются по центру.
На втором экземпляре статьи автором должна быть сделана следующая разметка:
- близкие по начертанию прописные и строчные буквы помечаются двумя чертами снизу (прописные)
или сверху (строчные)
- близкие по начертанию русские, латинские буквы и цифры поясняются на полях, например:
- в – русск., е – не эль, З – буква, к – русск., О,о – буква, У – русск., Ч,ч – буква, b – лат., Y – игрек,
l – эль, – ню, – ипсилон, – эпсилон;
- русские буквы помечаются снизу знаком , а латинские ~;
- буквы греческого алфавита обводятся красным карандашом;
- векторные величины подчеркиваются одной прямой линией;
- подстрочные индексы помечаются дугой сверху, надстрочные – снизу; индексы, являющиеся
сокращением слов, должны быть пояснены отдельно.
Иллюстрации:
1. Векторные рисунки представляются в формате файла CDR (версии не выше CorelDraw X3). Текст и
линии на рисунке должны быть редактируемыми (текст не «в кривых»).
2. Полутоновые рисунки (фотографии) могут быть представлены в формате TIFF (без компрессии). Использование
MS Word не допускается.
3. Фотографии могут быть представлены в градациях серого на матовой бумаге (предпочтительно
формат 912 см).
Каждый рисунок должен быть представлен в отдельном файле. Формат рисунков не должен превышать
1522 см. Рисунки должны быть упомянуты в тексте, пронумерованы и надписаны (на обороте каждого
рисунка разборчиво написать порядковый номер, ФИО автора). На иллюстрациях, по внешнему
виду которых трудно или невозможно определить их расположение, следует писать «верх» и «низ».
Подрисуночные подписи прилагаются на отдельном листе.
Таблицы должны быть обязательно упомянуты в тексте и иметь заголовки.
Библиографический список:
- оформляется согласно ГОСТ P 7.0.5–2008 «Библиографическая ссылка. Общие требования и правила составления»;
не должен превышать 10 названий (в обзорных (заказных) статьях – не более 50 названий); ссылки в тексте даются
в квадратных скобках: [1];
- нумерация источников должна соответствовать очередности ссылок в тексте.
В библиографическом списке указываются:
для книг - фамилия, инициалы автора, название книги, город, издательство, год издания, число страниц;
журнальных статей – фамилия, инициалы автора, название статьи, название журнала, год, том, серия, номер,
выпуск, первая – последняя страницы статьи;
депонированных статей – фамилия, инициалы автора, название статьи, город, год, количество страниц, название
организации, в которой выполнена работа, дата депонирования, регистрационный номер;
препринта – фамилия, инициалы автора, название издания, количество страниц, полное название издающей
организации, год;
материалов конференций, школ, семинаров – фамилия, инициалы автора, название статьи, время и место проведения
конференции, название конференции, город, издательство, год, первая - последняя страницы статьи;
ссылок на авторские свидетельства и патенты – номер документа, аббревиатура страны, МПК, название А.с.
или Пат., инициалы, фамилия автора. Опубл., год. Бюл. N. Если А.с. не опубликовано, а патент пока не получен, то
вместо даты опубликования пишется дата приоритета;
электронных ресурсов – фамилия, инициалы автора, название, год, номер, URL, дата обращения.
Ссылки на неопубликованные работы не допускаются.
Список авторов и сведения о них:
- оформляется отдельным файлом;
- необходимо указать: фамилию, имя, отчество полностью (на русском и английском языках); ученую
степень, ученое звание; должность; краткую научную биографию, область научных интересов (5-6
строк); место работы (на русском и английском языках), служебный и домашний адреса; служебный и
домашний телефоны, e-mail.
- указать автора, ответственного за прохождение статьи, для аспирантов – научного руководителя.
Плата за публикацию статьи с аспиранта не взимается.
Статьи направлять по адресу: 124498, г. Москва, Зеленоград, проезд 4806, д. 5, МИЭТ, редакция
журнала «Известия вузов. Электроника», комн. 7231.
Тел.: 8-499-734-62-05
E-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru/structure/s/894/e/12142/191
100
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 3(107) 2014
Стр.100
О развитии ведущих российских университетов
20 мая 2014 г. в Зеленограде на площадке Национального исследовательского
университета «МИЭТ» прошло заседание президиума Совета при Президенте Российской
Федерации по реализации приоритетных национальных проектов и демографической
политике.
Открывая заседание, Председатель
Правительства Дмитрий Медведев обозначил
его главные темы - реализация программ
развития ведущих российских университетов
и повышение качества и доступности образования
за счет информационных технологий.
На встрече обсуждалось развитие ведущих
российских университетов. «Требования
современной экономики и увеличение в ней
доли наукоемких высокотехнологичных отраслей
очень часто опережают возможности
наших высших учебных заведений. Поэтому
обновление «высшей школы» действительно
стало одним из приоритетов при реализации
проекта по образованию», - отметил Премьерминистр.
Перед
началом заседания Дмитрий Медведев
осмотрел информационные стенды, где
представлены новые образовательные
программы МИЭТ, и выставку научно-практических
разработок студентов, которые внедряются
в медицине, обороне, на российских
железных дорогах. В частности, главе Правительства
продемонстрировали электроаппарат
- насос вспомогательного кровообращения,
который помогает людям, нуждающимся
в трансплантации сердца, дожидаться момента
пересадки. Также в области медицины
студенты разработали биопластырь, который
можно использовать для быстрого заживления
ран, в том числе ожогов.
Среди других экспонатов выставки -
комплексная система учёта энергоресурсов в
домах и квартирах, позволяющая потребителям
контролировать средства, которые они
затрачивают, а также сокращать или увеличивать
подачу тепла. Экономия может составить
до 30%. Премьеру продемонстрировали также
уже поступивший в продажу 3D-принтер,
который может создавать различные пластиковые
изделия и который стоит гораздо дешевле
зарубежных аналогов.
МИЭТ сотрудничает с ведущими вузами
Европы и США, участвует в программах
обмена студентами и преподавателями, реализует
программы двойных дипломов с рядом
европейских университетов.
В МИЭТ создан ряд учебно-научных
центров с участием иностранных партнеров,
таких как Cadence, Mentor Graphics, PTC, Cisco
Systems, Microsoft IT Academy и других.
Подробная информация о заседании - на сайте Правительства РФ:
http://government.ru/news/12516
Стр.101