Известия высших учебных
заведений
ЭЛЕКТРОНИКА
1(105)’2014
Учредители:
Министерство
образования и науки
Российской Федерации
Национальный
исследовательский
университет «МИЭТ»
Главный редактор
Вернер В.Д., д.ф.-м.н., проф.
Зам. главного редактора
Чаплыгин Ю.А., чл.-корр. РАН,
д.т.н., проф.
Редакционная коллегия:
Амербаев В.М., акад. НАН
Респ. Казахстан, д.т.н., проф.
Бархоткин В.А., д.т.н., проф.
Быков Д.В., д.т.н., проф.
Гаврилов С.А., д.т.н., проф.
Грибов Б.Г., чл.-корр. РАН,
д.т.н., проф.
Казённов Г.Г., д.т.н., проф.
Коноплёв Б.Г., д.т.н., проф.
Коркишко Ю.Н., д.ф.-м.н., проф.
Королёв М.А., д.т.н., проф.
Кубарев Ю.В., д.т.н., проф.
Лабунов В.М., акад. НАН
Беларуси, д.т.н., проф.
Максимов И.А., PhD, проф.
Лундского университета
(Швеция)
Неволин В.К., д.ф.-м.н., проф.
Неволин В.Н., д.ф.-м.н., проф.
Петросянц К.О., д.т.н., проф.
Руденко А.А., канд.т.н., доц.
Сазонов А.Ю., PhD, проф.
Университета Ватерлоо
(Канада)
Таиров Ю.М., д.т.н., проф.
Телец В.А., д.т.н., проф.
Тихонов А.Н., д.т.н., проф.
Усанов Д.А., д.ф.-м.н., проф.
© “Известия вузов.
Электроника”, 2014
© МИЭТ, 2014
СОДЕРЖАНИЕ
Материалы электронной техники
Рощин В.М., Силибин М.В., Яковлев В.Б., Яковлева Е.Н.
Влияние морфологии нижнего электрода на диэлектрические
характеристики планарной структуры металл–
сегнетоэлектрикметалл ...................................................... 3
Технология микро- и наноэлектроники
Галперин В.А., Разживин Н.А. Исследование процесса
плазменного формирования поликремниевой разводки
на сложном рельефе ......................................................... 11
Кольцов В.Б., Ларионов Н.М., Кольцова О.В.,
Гуляева Е.И. Физико-химическое моделирование превращений
ингредиентов воздушной среды в промышленных
городах ..................................................................... 19
Микроэлектронные приборы и системы
Белоусов Е.О., Круглов Ю.В. Метод подавления шума
в интегральных высокочастотных КМДП-усилителях ..... 27
Быков Д.В., Григорьев Ф.И., Лысенко А.П.,
Строганкова Н.И. Исследование физических процессов
в БИСПИН-структурах в режиме пульсаций ..................... 32
Романюк В.А., Яр Зар Хтун. Влияние ограничения
амплитуды колебаний в автогенераторе на выбор типа
резонатора .............................................................................. 40
Колесников Д.В., Кондратович П.А., Бормонтов Е.Н.
Схемотехника высокочастотного кварцевого генератора
в элементной базе КМОП 0,18 мкм ..................................... 45
Научно-технический журнал
Издается с 1996 г.
Выходит 6 раз в год
Стр.1
Заведующая редакцией
С.Г. Зверева
Редактор
А.В. Тихонова
Научный редактор
С.Г. Зверева
Корректор
Л.Ф. Летунова
Компьютерный дизайн, верстка
А.Ю. Рыжков
С.Ю. Рыжков
Адрес редакции: 124498,
Москва, Зеленоград,
проезд 4806, д. 5, МИЭТ
Тел.: 8-499-734-6205
Е-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru
Подписано в печать 11.02.2014.
Формат бумаги 6084 1/8.
Цифровая печать.
Объем 11,63 усл.печ.л.,
11,4 уч.-изд.л.
Заказ № 01.
Отпечатано
в типографии ИПК МИЭТ
124498, Москва, Зеленоград,
проезд 4806, д. 5, МИЭТ
Свидетельство о регистрации
№ 014134
выдано Комитетом РФ по печати
12.10.95.
Включен в Перечень российских
рецензируемых научных журналов,
в которых должны быть опубликованы
основные научные результаты
диссертаций на соискание ученых
степеней доктора и кандидата наук.
Включен в Российский индекс
научного цитирования.
Микро- и наносистемная техника
Григорьев Д.М., Завражина А.Ю., Поломошнов С.А.,
Тихонов Р.Д., Черемисинов А.А. Микросистема с магнитотранзисторными
преобразователями для контроля
вибраций ............................................................................... 51
Белов А.Н., Борисов А.Г., Гаврилов С.А., Гаврилин И.М.,
Дронов А.А., Назаркин М.Ю., Назаркина Ю.В.,
Пятилова О.В., Сыса А.В., Чиликина Т.Д. Золь-гель
формирование пленок оксида цинка для сенсорных устройств
.................................................................................... 58
Интегральные радиоэлектронные устройства
Титов А.А. Устройства управления амплитудой импульсов
возбуждения СВЧ-генераторов на основе диодов
Ганна ............................................................................... 65
Азаров А.С., Лялин К.С., Суханов Е.С., Чистюхин В.В.
Бортовой когерентный метеорадиолокатор на базе активной
фазированной антенной решетки .......................... 71
Проблемы высшего образования
Певцов Е.Ф., Сигов А.С., Шнякин А.А. Учебный практикум
по проектированию интегральных схем ................. 78
Краткие сообщения
Русанов А.В., Ткачев А.Ю., Балашов Ю.С. Эквивалентная
схема МОП-транзистора с электрически соединенными
затвором и карманом ........................................... 85
Рембеза С.И., Кононов В.С. Секционные ЦАП для быстродействующих
многоразрядных КМОП-АЦП на
КНИ-подложках ................................................................... 87
Демкин В.И., Со Лин Маунг. Старт-стопное управление
шаговым двигателем без переключения фаз на
двойном шаге ........................................................................ 89
Конференции
4-я Международная научно-техническая конференция
«Технологии микро- и наноэлектроники в микрои
наносистемной технике» (27–28 марта 2014 г.,
Москва) ............................................................... 4 стр. обложки
21-я Всероссийская межвузовская научно-техническая
конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника
и информатика - 2014» (23–25 апреля 2014 г.,
г. Зеленоград) ........................................................................ 93
Contents ................................................................................ 94
Abstracts ............................................................................... 95
К сведению авторов ............................................................ 99
2
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 1(105) 2014
Стр.2
К СВЕДЕНИЮ АВТОРОВ
(Правила оформления рукописей действуют с 1 января 2013 г.)
ВНИМАНИЕ! Для публикации статьи в журнале автор оформляет подписку на 2 экземпляра
номера, в котором будет размещена его статья.
ВАЖНАЯ ИНФОРМАЦИЯ! Статьи принимаются в редакцию только при наличии договора
о передаче авторского права. Статьи, рекомендованные для публикации в журналах
Semiconductors и Russian Microelectronics (English translation of selected articles from Izvestiya
Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Elektronika), необходимо также сопровождать договорами о передаче
авторского права.
Научно-технический журнал «Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА» публикует на русском и английском
языках оригинальные и обзорные (заказные) статьи. Верстка журнала осуществляется в издательской
системе, функционирующей в сети IBM-совместимых компьютеров. Журнал имеет формат А4 и изготавливается
по технологии цифровой печати.
Основные рубрики:
фундаментальные исследования;
материалы электронной техники;
вакуумная электроника;
технология микро- и наноэлектроники;
микроэлектронные приборы и системы;
нанотехнология;
схемотехника и проектирование;
микро- и наносистемная техника;
микропроцессорная техника;
информационные технологии;
интегральные радиоэлектронные устройства;
методы и техника измерений;
биомедицинская электроника;
проблемы высшего образования.
В редакцию представляются:
1. Текст статьи, включая аннотации, рисунки, таблицы, библиографический список, список авторов и
сведения о них, подготовленный на компьютере и распечатанный на лазерном принтере на белой бумаге
формата А4 с четким и ясным шрифтом в 2-х экземплярах.
2. Электронный вариант статьи на лазерном диске для верстки, подготовленный на IBM PC в
формате MS Word for Windows. Для иногородних авторов допускается передача электронного варианта
статьи по e-mail.
3. Экспертное заключение, рекомендация кафедры, сопроводительное письмо на официальном бланке (для
сторонних организаций).
4. Лицензионный договор о передаче авторского права в 2-х экземплярах. Форму лицензионного договора
с автором можно найти по ссылке: http:/miet.ru/structure/s/894/e/39211/191.
Статья должна быть подписана всеми авторами.
Ориентировочный объем публикаций: для статьи не более 12 страниц текста и 5 рисунков, для краткого
сообщения не более 4 страниц текста и 2 рисунка.
Первая страница статьи оформляется следующим образом: индекс УДК; название статьи; инициалы,
фамилия автора; название учреждения, где выполнена работа; краткая (не более 7 полных строк) аннотация
на русском языке, ключевые слова. Далее следует текст статьи. Статья должна быть пронумерована
насквозь.
Аннотации:
Должны быть распечатаны на отдельных страницах:
- на английском языке с названием статьи, инициалами и фамилией автора и местом работы;
- на русском языке с названием статьи, инициалами и фамилией автора и местом работы.
После аннотаций необходимо дать ключевые слова на русском и английском языках.
Ключевые слова или словосочетания отделяются друг от друга точкой с запятой.
В электронном варианте аннотации на английском и русском языках должны быть оформлены в виде
отдельных текстовых файлов.
Текст:
- печатается через два интервала с размером шрифта не меньше стандартного машинописного
(13 кегль, Times New Roman);
- абзацы отделяются друг от друга одним маркером конца абзаца (применение этого символа в других целях
не допускается), ширина отступа (0,75 см) устанавливается в меню Word Формат/Абзац; набор текста начинается
с левого края; по правому краю текст не выравнивается; текст набирается без переносов;
- все слова внутри абзаца разделяются только одним пробелом;
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 1(105) 2014
99
Стр.100
- перед знаками препинания пробелы не ставятся, после них – один пробел;
- разрядка слов не допускается;
- не допускается применение псевдографики, а также стилей.
Формулы:
Для набора формул в MS Word используется MS Equation 3.0. Установки редактора формул
Styles/Sizes (Стили/Размеры) только по умолчанию. Пронумерованные формулы (нумеруются только те,
на которые ссылаются в тексте) выносятся отдельной строкой и располагаются по центру.
На втором экземпляре статьи автором должна быть сделана следующая разметка:
- близкие по начертанию прописные и строчные буквы помечаются двумя чертами снизу (прописные)
или сверху (строчные)
- близкие по начертанию русские, латинские буквы и цифры поясняются на полях, например:
- в – русск., е – не эль, З – буква, к – русск., О,о – буква, У – русск., Ч,ч – буква, b – лат., Y – игрек,
l – эль, – ню, – ипсилон, – эпсилон;
- русские буквы помечаются снизу знаком , а латинские ~;
- буквы греческого алфавита обводятся красным карандашом;
- векторные величины подчеркиваются одной прямой линией;
- подстрочные индексы помечаются дугой сверху, надстрочные – снизу; индексы, являющиеся
сокращением слов, должны быть пояснены отдельно.
Иллюстрации:
1. Векторные рисунки представляются в формате файла CDR (версии не выше CorelDraw X3). Текст и
линии на рисунке должны быть редактируемыми (текст не «в кривых»).
2. Полутоновые рисунки (фотографии) могут быть представлены в формате TIFF (без компрессии). Использование
MS Word не допускается.
3. Фотографии могут быть представлены в градациях серого на матовой бумаге (предпочтительно
формат 912 см).
Каждый рисунок должен быть представлен в отдельном файле. Формат рисунков не должен превышать
1522 см. Рисунки должны быть упомянуты в тексте, пронумерованы и надписаны (на обороте каждого
рисунка разборчиво написать порядковый номер, ФИО автора). На иллюстрациях, по внешнему
виду которых трудно или невозможно определить их расположение, следует писать «верх» и «низ».
Подрисуночные подписи прилагаются на отдельном листе.
Таблицы должны быть обязательно упомянуты в тексте и иметь заголовки.
Библиографический список:
- оформляется согласно ГОСТ P 7.0.5–2008 «Библиографическая ссылка. Общие требования и правила составления»;
не должен превышать 10 названий (в обзорных (заказных) статьях – не более 50 названий); ссылки в тексте даются
в квадратных скобках: [1];
- нумерация источников должна соответствовать очередности ссылок в тексте.
В библиографическом списке указываются:
для книг - фамилия, инициалы автора, название книги, город, издательство, год издания, число страниц;
журнальных статей – фамилия, инициалы автора, название статьи, название журнала, год, том, серия, номер,
выпуск, первая – последняя страницы статьи;
депонированных статей – фамилия, инициалы автора, название статьи, город, год, количество страниц, название
организации, в которой выполнена работа, дата депонирования, регистрационный номер;
препринта – фамилия, инициалы автора, название издания, количество страниц, полное название издающей
организации, год;
материалов конференций, школ, семинаров – фамилия, инициалы автора, название статьи, время и место проведения
конференции, название конференции, город, издательство, год, первая - последняя страницы статьи;
ссылок на авторские свидетельства и патенты – номер документа, аббревиатура страны, МПК, название А.с.
или Пат., инициалы, фамилия автора. Опубл., год. Бюл. N. Если А.с. не опубликовано, а патент пока не получен, то
вместо даты опубликования пишется дата приоритета;
электронных ресурсов – фамилия, инициалы автора, название, год, номер, URL, дата обращения.
Ссылки на неопубликованные работы не допускаются.
Список авторов и сведения о них:
- оформляется отдельным файлом;
- необходимо указать: фамилию, имя, отчество полностью (на русском и английском языках); ученую
степень, ученое звание; должность; краткую научную биографию, область научных интересов (5-6
строк); место работы (на русском и английском языках), служебный и домашний адреса; служебный и
домашний телефоны, e-mail.
- указать автора, ответственного за прохождение статьи, для аспирантов – научного руководителя.
Плата за публикацию статьи с аспиранта не взимается.
Статьи направлять по адресу: 124498, г. Москва, Зеленоград, проезд 4806, д. 5, МИЭТ, редакция
журнала «Известия вузов. Электроника», комн. 7231.
Тел.: 8-499-734-62-05
E-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru/structure/s/894/e/12142/191
100
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 1(105) 2014
Стр.101