Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634794)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации

Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации №2 2011 (440,00 руб.)

0   0
Страниц159
ID155367
Аннотация Начиная со второго номера 2007 г. «Доклады Академии наук высшей школы России» публикуют статьи о новых конкретных результатах законченных оригинальных и особенно имеющих приоритетный характер исследований в области естественных и технических наук, а также в области инноваций. В «Докладах АН ВШ РФ» не публикуются статьи описательного, обзорного, полемического, общественно-информационного и методического (если метод не является принципиально новым) характера, а также статьи, излагающие результаты промежуточных этапов исследований и не содержащие весомых научных выводов. «Доклады АН ВШ РФ» публикуют статьи членов АН ВШ РФ и МАН ВШ, членов-корреспондентов их отделений, а также научных работников академических и отраслевых институтов, профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов высших учебных заведений. Все рукописи рецензируются, по результатам рецензирования редколлегия принимает решение о целесообразности опубликования материалов. Для авторов публикация является бесплатной. Редакция журнала «Доклады АН ВШ РФ» просит авторов при подготовке статей строго соблюдать правила, приведенные в конце каждого номера
Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации .— 2011 .— №2 .— 159 с. — URL: https://rucont.ru/efd/155367 (дата обращения: 25.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Динамика и кинетика гомоэпитаксии GaAs на поверхности (001) β(2x4) при ультрамалых степенях заполнения поверхности................. 6 Корюкин А.Н. <...> Системы корней, редуцированные слова и полные редуцированные системы соотношений алгебр Ли An , Bn , Cn , Dn ……………. <...> Адаптивный алгоритм демодуляции сигналов для систем CDMA в условиях действия помех множественного доступа…........................... 36 Брованов С.В., Дыбко М.А. <...> Расчет динамических потерь в многоуровневых полупроводниковых преобразователях с емкостным делителем напряжения…………... <...> 46 Бутырин В.И., Подружин Е.Г. Весовая оптимизация плоских панелей из композитных материалов методом покоординатного спуска на конечном отрезке…………………………………………………………………….. <...> Проектирование равнопрочных упругих тороидальных оболочек вращения в условиях термосилового нагружения…………... <...> Об одном классе решений нелинейного комплексного уравнения Шредингера, описывающего конкурентную динамику солитонов……………………………………………….. <...> Численное моделирование теплового состояния герметизированных отсеков летательных аппаратов…………………... <...> Сравнение различных подходов к численному моделированию трехмерных полей вызванной поляризации…………………………….. <...> Проверка простых и сложных гипотез с использованием последовательного критерия Вальда…………………………….. <...> Дело в том, что гомоэпитаксия арсенида галлия, происходящая через зарождение на поверхности и рост двумерных островков новой фазы, фактически является двумерным фазовым переходом первого рода от газовой фазы с низкой плотностью (решеточный газ) к конденсированной фазе с высокой плотностью (двумерный кристаллический слой). <...> Статья поступила 30 июня 2011 <...>
Доклады_академии_наук_высшей_школы_№2_2011.pdf
Журнал «Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации» публикует статьи о новых конкретных результатах законченных оригинальных и особенно имеющих приоритетный характер исследований в области естественных и технических наук, а также в области инноваций. В «Докладах АН ВШ РФ» не публикуются статьи описательного, обзорного, полемического, общественно-информационного и методического (если метод не является принципиально новым) характера, а также статьи, излагающие результаты промежуточных этапов исследований и не содержащие весомых научных выводов. «Доклады АН ВШ РФ» публикуют статьи членов АН ВШ РФ и МАН ВШ, членов-корреспондентов их отделений, а также научных работников академических и отраслевых институтов, профессорскопреподавательского состава, аспирантов и студентов высших учебных заведений. Все рукописи рецензируются, по результатам рецензирования редколлегия принимает решение о целесообразности опубликования материалов. Для авторов публикация является бесплатной. Редакция журнала «Доклады АН ВШ РФ» просит авторов при подготовке статей строго соблюдать правила, доступные по адресу http://www.sibran.ru/doclads.htm. Статьи, оформленные с нарушением правил, отклоняются без рецензирования.
Стр.1
НАУЧ Н ЫЙ ЖУРН АЛ ДОКЛАДЫ АКАДЕМИИ НАУК ВЫСШЕЙ ШКОЛЫ 2011 РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ июль–декабрь Ш В Выходит 2 раза в год ISSN 1727-2769 Учредители Академия наук высшей школы России Новосибирское отделение Академии наук высшей школы России Главные редакторы А.С. Востриков, д.т.н., проф., засл. деятель науки РФ В.Е. Шукшунов, д.т.н., проф., засл. деятель науки РФ Заместители главного редактора В.Н. Воронов, д.т.н., проф. А.Г. Вострецов, д.т.н., проф., засл. деятель науки РФ М.П. Федоров, д.т.н., проф., засл. деятель науки РФ Ответственный секретарь В.Н. Васюков, д.т.н., проф. Редакционная коллегия: Е.В. Аметистов, д.т.н., проф., засл. деятель науки РФ, чл.-корр. РАН В.А. Бабешко, д.ф.-м.н., проф., засл. деятель науки РФ, академик РАН Ю.С. Васильев, д.т.н., проф., засл. деятель науки РФ, академик РАН Ю.А. Захаров, д.т.н., проф., чл.-корр. РАН Б.А. Князев, д.ф.-м.н., проф. Г.В. Майер, д.ф.-м.н., проф., засл. деятель науки РФ И.Н. Пустынский, д.т.н., проф., засл. деятель науки РФ П.Д. Саркисов, д.т.н., проф., академик РАН А.С. Цыбин, д.ф.-м.н., проф. Журнал зарегистрирован в Министерстве РФ по делам печати, телерадиовещания и средств массовых коммуникаций в 2002 г. (свидетельство ПИ № 77-11517 от 04.01.2002 г.) Адрес редакции: 630092, Новосибирск, пр. К. Маркса, 20, НГТУ, корп. 1, ком. 324, телефон: (383) 346-04-57, факс: (383) 346-02-09, E-mail: RHEASNB@nstu.ru © Новосибирское отделение АН ВШ, 2011 г. № 2 (17) А Р Н Ф
Стр.2
2011 ДОКЛАДЫ АН ВШ РФ июль–декабрь № 2 (17) СОДЕРЖАНИЕ ЕСТЕСТВЕННЫЕ НАУКИ Галицын Ю.Г., Лямкина А.А., Мощенко С.П., Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Михайлов Ю.И. Динамика и кинетика гомоэпитаксии GaAs на поверхности (001) β(2x4) при ультрамалых степенях заполнения поверхности................. 6 Корюкин А.Н. Системы корней, редуцированные слова и полные редуцированные системы соотношений алгебр Ли nA , nB , nC , nD…………….… 15 Чернышев А.П. Поверхностная энергия тонких пленок……………………………… 25 ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Богданович В.А., Вострецов А.Г., Исай Али М.Х. Адаптивный алгоритм демодуляции сигналов для систем CDMA в условиях действия помех множественного доступа…........................... 36 Брованов С.В., Дыбко М.А. Расчет динамических потерь в многоуровневых полупроводниковых преобразователях с емкостным делителем напряжения…………... 46 Бутырин В.И., Подружин Е.Г. Весовая оптимизация плоских панелей из композитных материалов методом покоординатного спуска на конечном отрезке…………………………………………………………………….. 56 Вохмянин И.Т., Немировский Ю.В. Проектирование равнопрочных упругих тороидальных оболочек вращения в условиях термосилового нагружения…………... 65
Стр.3
СОДЕРЖАНИЕ Дмитриев А.К., Комаров А.К., Мещеряков Д.В. Об одном классе решений нелинейного комплексного уравнения Шредингера, описывающего конкурентную динамику солитонов………………………………………………..………………… 78 Драгунов В.П., Доржиев В.Ю. МЭМ рекуператоры без разрыва цепи, содержащей индуктивный элемент…………………………………………….................................... 92 Кузьмин Ю.И. Дифракция поля заземленного кабеля на проводящей сфере в морской воде………………………………………………………............ 102 Николаев В.Н. Численное моделирование теплового состояния герметизированных отсеков летательных аппаратов…………………... 115 Персова М.Г., Соловейчик Ю.Г., Вагин Д.В., Домников П.А. Сравнение различных подходов к численному моделированию трехмерных полей вызванной поляризации…………………………….. 126 Постовалов С.Н. Проверка простых и сложных гипотез с использованием последовательного критерия Вальда……………………………..……… 140 Авторы номера....................................................................................... 151
Стр.4

Облако ключевых слов *


* - вычисляется автоматически
Антиплагиат система на базе ИИ