Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 595396)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.

Полупроводниковая электроника (4000,00 руб.)

0   0
ИздательствоМ.: ДМК Пресс
Страниц593
ID795179
АннотацияКнига написана сотрудниками компании Infineon Technologies, одного из мировых лидеров в области полупроводниковой электроники. Сборник содержит проверенные временем фундаментальные знания по полупроводникам от A (АЦП) до Z (эффект Зенера), в том числе главы по диодам и транзисторам, силовым приборам, элементам оптоэлектроники. датчикам, микросхемам памяти и микроконтроллерам. Также приведены сведения по смарт-картам, полупроводниковым устройствам для автомобилей, комуникационным модулям. Отдельная глава посвящена электромагнитной совместимости компонентов. Реальная новизна книги состоит в том, что авторы сумели изложить в ней все современные тенденции, веяния и достижения в области полупроводниковых технологий. Издание будет полезно инженерам-электронщикам и электротехникам, а также преподавателям и студентам, которым всегда нужно иметь под рукой сборник справочных материалов по современной микроэлектронике.
ISBN978-5-97060-312-3
УДК621.382
ББК32.853
Полупроводниковая электроника .— Москва : ДМК Пресс, 2015 .— 593 с. — ISBN 978-5-97060-312-3 .— URL: https://rucont.ru/efd/795179 (дата обращения: 27.09.2022)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Полупроводниковая_электроника.pdf
Стр.3
Стр.4
Стр.5
Стр.6
Стр.7
Стр.8
Стр.9
Стр.10
Стр.11
Полупроводниковая_электроника.pdf
УДК 621.382 ББК 32.853 Х21 П49 Коллектив авторов Полупроводниковая электроника. — М.: ДМК Пресс, 2015. — 592 с.: илл. — (Серия «Схемотехника»). ISBN 978-5-97060-312-3 Книга написана сотрудниками компании Infineon Technologies, одного из мировых лидеров в области полупроводниковой электроники. Cборник содержит проверенные временем фундаментальные знания по полупроводникам от A (АЦП) до Z (эффект Зенера), в том числе главы по диодам и транзисторам, силовым приборам, элементам оптоэлектроники. датчикам, микросхемам памяти и микроконтроллерам. Также приведены сведения по смарт-картам, полупроводниковым устройствам для автомобилей, комуникационным модулям. Отдельная глава посвящена электромагнитной совместимости компонентов. Реальная новизна книги состоит в том, что авторы сумели изложить в ней все современные тенденции, веяния и достижения в области полупроводниковых технологий. Издание будет полезно инженерам-электронщикам и электротехникам, а также преподавателям и студентам, которым всегда нужно иметь под рукой сборник справочных материалов по современной микроэлектронике. УДК 621.382 ББК 32.853 Все права защищены. Никакая часть этого издания не может быть воспроизведена в любой форме или любыми средствами, электронными или механическими, включая фотографирование, ксерокопирование или иные средства копирования или сохранения информации, без письменного разрешения издательства. ISBN 978-3-89578-071-4 (англ.) ISBN 978-5-97060-312-3 (рус.) © Infineon Technologies AG. © Перевод, Издательский дом «Додэка-XXI» © Издание, ДМК Пресс, 2015
Стр.3
INFSEMI_1TOC.fm, стр. 3 из 10 (September 7, 2010, 19:35) СОДЕРЖАНИЕ Содержание IJ 3 Предисловие . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 1. Полупроводники, основные сведения и исторический обзор . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 1.1. Введение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 1.2. Исторический обзор . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 1.2.1. Полупроводниковые диоды . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 1.2.2. Биполярные транзисторы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 1.2.3. Победное шествие кремния . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 1.2.4. Другие полупроводниковые материалы и компоненты. . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 1.2.5. Полевые транзисторы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 1.2.6. Интегральные полупроводниковые схемы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 1.2.7. Классификация полупроводниковых компонентов. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 1.3. Конструкция и принцип действия интегральных схем. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21 1.3.1. Биполярные интегральные микросхемы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21 1.3.2. Интегральные МОПмикросхемы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27 1.4. Другие полупроводниковые приборы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34 1.4.1. Полупроводниковые приборы без специальной структуры . . . . . . . . . . . . . . 34 1.4.2. Полупроводниковые диоды . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35 1.4.3. Транзисторы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38 1.4.4. Другие интегральные полупроводниковые приборы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39 2. Диоды и транзисторы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 2.1. Высокочастотные диоды. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 2.2. Время жизни носителей заряда и последовательное сопротивление ВЧ pinдиодов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41 2.2.1. Измерение электрических параметров pinдиодов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42 2.3. Определение ёмкостей биполярных транзисторов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43 2.3.1. Измерение ёмкостей CCB, CCE и CEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 2.4. Определение параметров малосигнального ВЧ транзистора путём измерения трёх параметров . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 2.4.1. Измерение Sпараметров транзисторов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45 2.4.2. Установка для измерения коэффициента шума транзистора . . . . . . . . . . . . . 46 2.4.3. Установка для измерения коэффициента шума смесителя. . . . . . . . . . . . . . . 46 2.4.4. Измерение значения точки интермодуляции третьего порядка (IP3) . . . . . . 47 2.5. Биполярные ВЧ транзисторы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48 2.5.1. SIEGET. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49 2.5.2. Применение. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51 2.5.3. Кремнийгерманиевые транзисторы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52 2.6. Кремниевые монолитные СВЧ интегральные схемы (MMIC) упрощают разработку . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53 2.6.1. Три схемы устройств . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56 2.6.2. Мобильные телефоны — не единственная область применения MMIC . . . 57 2.7. Стабилизация тока при помощи стабилизатора рабочей точки BCR 400 . . . . . . . . 57 2.7.1. Принцип действия . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58 2.7.2. Зависимость от внешних факторов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58 3. Силовые полупроводниковые приборы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 3.1. Классификация . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 3.1.1. Классификация силовых полупроводниковых приборов по их параметрам 62
Стр.4
INFSEMI_1TOC.fm, стр. 4 из 10 (September 7, 2010, 19:35) 4 IJ Содержание 3.2. Разработка продукции. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63 3.2.1. Различия процессов разработки продукции. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64 3.3. Группы продукции. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65 3.4. Технология изготовления полупроводниковых пластин (начальный этап проекта). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66 3.4.1. Базовые технологии . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66 3.4.2. Силовые MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68 3.4.3. Интеллектуальные МОПтранзисторы (SmartFET) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69 3.4.4. Интеллектуальные силовые ИС . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72 3.4.5. Перспективы и тенденции. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76 3.5. Технологии корпусирования . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78 3.5.1. Классификация корпусов полупроводниковых приборов . . . . . . . . . . . . . . . 78 3.5.2. Статические характеристики корпусов силовых приборов. . . . . . . . . . . . . . . 79 3.5.3. Динамические характеристики мощных корпусов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81 3.5.4. Анализ тепловых процессов в корпусах полупроводниковых приборов методом конечных элементов. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85 3.5.5. Спецификация на тепловые характеристики и тип корпуса. . . . . . . . . . . . . . 89 3.5.6. Специальные параметры корпусов силовых полупроводниковых приборов для автомобильной электроники . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89 3.5.7. Многокристальные корпуса и тенденции развития . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93 3.6. Мощные приборы для автомобильной электроники. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95 3.6.1. MOSFET и IGBT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95 3.6.2. Транзисторы SmartFET и SmartIGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97 3.6.3. Многоканальные ключи . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103 3.6.4. Мостовые схемы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105 3.6.5. Микросхемы источников питания. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111 3.6.6. Трансиверы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117 3.6.7. ИС интеллектуальных систем питания. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120 3.6.8. Тенденции развития автомобильной электроники. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126 3.7. Источники питания и устройства электропривода . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128 3.7.1. Типы импульсных источников питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128 3.7.2. Основные типы импульсных источников питания. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130 3.7.3. Критерий выбора импульсного источника питания. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135 3.7.4. ИС для импульсных источников питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140 3.7.5. Коэффициент мощности. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142 3.7.6. Электроприводы — регулирование скорости вращения и силовая электроника . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147 3.7.7. Низковольтные силовые транзисторы OptiMOS™ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148 3.7.8. Высоковольтные транзисторы CoolMOS™ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156 3.7.9. Карбид кремния — основа мощных приборов. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162 3.7.10. Высоковольтные мощные IGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170 4. Оптоэлектронные приборы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177 4.1. Физика оптического излучения. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177 4.1.1. Основы и терминология . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177 4.1.2. Фотодиоды . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 179 4.1.3. Кремниевые фотодиоды . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180 4.1.4. Фототранзисторы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180 4.1.5. Светоизлучающие диоды. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181 4.2. Полупроводниковые лазеры. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 184 4.2.1. Основы функционирования полупроводникового лазера. . . . . . . . . . . . . . . 185
Стр.5
INFSEMI_1TOC.fm, стр. 5 из 10 (September 7, 2010, 19:35) Содержание IJ 5 4.2.2. Структура полоскового лазера с оксидной изоляцией. . . . . . . . . . . . . . . . . . 186 4.2.3. Лазерные матрицы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 187 4.2.4. Другие применения полупроводниковых лазеров . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 190 4.3. Оптроны и твердотельные реле . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191 4.4. Оптические волноводы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193 4.4.1. Оптические волокна как среда для передачи информации. . . . . . . . . . . . . . 193 4.4.2. Передающие и приёмные модули для оптоволоконных применений. . . . . 194 4.4.3. Ретрансляторы для волоконнооптических применений . . . . . . . . . . . . . . . 197 4.4.4. Подсоединение к стеклянным волокнам . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 197 4.4.5. Оптические разъёмы для пластиковых волокон . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 199 4.4.6. Типичные применения пластиковых волокон . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 199 4.4.7. Использование технологий оптической передачи данных по пластиковым волокнам в транспортных средствах . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200 4.5. IrDA — передача данных с использованием инфракрасного излучения . . . . . . . . 204 4.5.1. IrDA — один стандарт для всех приборов. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 204 4.5.2. Полный IrDAстандарт . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 205 5. Датчики. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 207 5.1. Общий обзор. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 207 5.2. Датчики магнитного поля. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 207 5.2.1. Дискретные датчики Холла. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 207 5.2.2. Интегральные датчики Холла с заказными ИС (ASIC) . . . . . . . . . . . . . . . . . 210 5.2.3. Датчики на основе гигантского магниторезистивного эффекта (GMR). . . 213 5.3. Датчики давления . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 219 5.3.1. Микромеханика поверхности, датчики давления с цифровым выходом (KP 100) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 219 5.3.2. Датчик давления с аналоговым выходом (KP 120) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 221 5.3.3. Пьезорезистивный датчик давления в SMDкорпусе (KP 200) . . . . . . . . . . 223 5.4. Датчики температуры . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 224 6. Память . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 226 6.1. Типы запоминающих устройств . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 226 6.1.1. Механическая память. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 227 6.1.2. Магнитные устройства хранения данных. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 227 6.1.3. Оптические устройства хранения данных . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 227 6.1.4. Полупроводниковые устройства хранения данных (микросхемы памяти) 227 6.2. Принцип работы и область применения DRAM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 228 6.2.1. Чем SRAM отличается от DRAM? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 228 6.2.2. Виды памяти DRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 229 6.2.3. Спецификация . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 230 6.2.4. Механическая конструкция микросхем памяти DRAM . . . . . . . . . . . . . . 230 6.2.5. Описание работы DRAM на примере SDR SDRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 232 6.2.6. Технология производства микросхем DRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 234 6.2.7. Внутренняя структура и принципы работы DRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 238 6.2.8. Разработка и производство микросхем DRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 247 6.2.9. Контроль качества . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 249 6.3. Совершенствование микросхем DRAM с точки зрения их быстродействия. . . . . 251 6.3.1. EDO DRAM с повышенной скоростью доступа к памяти. . . . . . . . . . . . . . . 251 6.3.2. Синхронная DRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 252 6.3.3. Микросхемы памяти с удвоенной скоростью передачи данных. . . . . . . . . . 253 6.3.4. Стандартизированные модули памяти для ПК . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 253
Стр.6
INFSEMI_1TOC.fm, стр. 6 из 10 (September 7, 2010, 19:35) 6 IJ Содержание 7. Микроконтроллеры . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 256 7.1. Введение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 256 7.2. Восьмибитные микроконтроллеры. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 256 7.2.1. Введение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 256 7.2.2. Организация памяти. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 256 7.2.3. Область регистров специальных функций . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 259 7.2.4. Архитектура ЦПУ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260 7.2.5. Основные принципы обработки прерываний . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 262 7.2.6. Структура портов ввода/вывода . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 264 7.2.7. Тактовые сигналы ЦПУ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 266 7.2.8. Обращение к внешней памяти . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 267 7.2.9. Обзор команд микроконтроллера C500. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 269 7.2.10. Функциональные схемы микроконтроллеров семейства С500 . . . . . . . . . . 274 7.3. Шестнадцатибитные микроконтроллеры . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 274 7.3.1. Введение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 274 7.3.2. Состав семейства 16битных микроконтроллеров . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 277 7.3.3. Обзор архитектуры микроконтроллеров семейства С166 . . . . . . . . . . . . . . . 280 7.3.4. Организация памяти. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280 7.3.5. Основные концепции построения ЦПУ и средства их оптимизации . . . . . 280 7.3.6. Встроенные ресурсы микроконтроллера . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 286 7.3.7. Интерфейс внешней шины . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 288 7.3.8. Встроенные периферийные модули . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 288 7.3.9. Характеристики системы управления электропитанием. . . . . . . . . . . . . . . . 296 7.3.10. Особенности микроконтроллеров семейства XC166. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 297 7.3.11. Система команд микроконтроллеров семейства C166 . . . . . . . . . . . . . . . . . 297 7.3.12. Функциональные схемы 16битных микроконтроллеров . . . . . . . . . . . . . . 299 7.4. Архитектура 32битных микроконтроллеров TriCore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 308 7.4.1. Отличительные особенности архитектуры TriCore. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 309 7.4.2. Регистры состояния программы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 310 7.4.3. Типы данных . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 311 7.4.4. Режимы адресации . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 311 7.4.5. Форматы команд . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 311 7.4.6. Задачи и контекст . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 311 7.4.7. Система обработки прерываний. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 312 7.4.8. Система обработки ошибок . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 313 7.4.9. Система защиты . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 313 7.4.10. Сброс системы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 314 7.4.11. Система отладки . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 314 7.4.12. Модель программирования . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 314 7.4.13. Организация памяти . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 316 7.4.14. Режимы адресации . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 317 7.4.15. Регистры процессорного ядра . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 319 7.4.16. Регистры общего назначения (GPR) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 320 7.4.17. Функциональные схемы 32битных микроконтроллеров . . . . . . . . . . . . . . 323 8. Смарткарты. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 327 8.1. Обзор . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 327 8.2. Введение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 327 8.3. Состояние рынка . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 327 8.3.1. Структура рынка микросхем для смарткарт в зависимости от области применения . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 327
Стр.7
INFSEMI_1TOC.fm, стр. 7 из 10 (September 7, 2010, 19:35) Содержание IJ 7 8.3.2. Требования рынка . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 328 8.4. Области применения. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 328 8.4.1. Цифровая подпись — подпись будущего . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 328 8.4.2. Электронная торговля в сети Интернет . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 330 8.4.3. Банковское обслуживание на дому . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 330 8.5. Сеть деловых взаимоотношений . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 331 8.6. Продукция. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 331 8.6.1. «Чип на карте» — современное положение дел . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 331 8.6.2. «Система на карте» — вызов будущего . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 332 8.7. Криптографическая экспертиза . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 333 8.8. Чипы для многофункциональных карт . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 334 8.8.1. Поддержка интерпретаторов в микроконтроллерах Infineon . . . . . . . . . . . . 335 8.9. Интерфейс «человекмашина» как новый класс периферийных устройств . . . . . 335 8.10. Технологии и производство . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 336 8.10.1. Передовые технологии . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 336 8.10.2. Требования к технологии, продукции и схемным решениям . . . . . . . . . . . 337 8.10.3. Требования, предъявляемые к готовой продукции . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 337 8.11. Информационная безопасность . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 338 8.11.1. Смарткарта как система безопасности. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 338 8.11.2. Аппаратная безопасность. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 338 8.11.3. Пирамида безопасности . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 338 8.11.4. Безопасность как совокупность технических и организационных мер . . . 339 8.12. Перспективы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 339 9. Полупроводниковые устройства для автомобилей. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 341 9.1. Автомобильная электроника . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 341 9.2. Кузовная электроника и системы обеспечения комфорта . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 342 9.2.1. Системы управления электропитанием и осветительным оборудованием автомобиля. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 343 9.2.2. Дверные модули . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 346 9.2.3. Системы кондиционирования воздуха . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350 9.3. Системы безопасности автомобиля . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 353 9.3.1. Системы активной безопасности автомобиля. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 355 9.3.2. Системы пассивной безопасности автомобиля. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 360 9.4. Трансмиссия автомобиля . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 370 9.4.1. Полупроводниковые технологии для систем управления трансмиссией автомобиля. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 370 9.4.2. Применение полупроводниковых приборов в трансмиссии автомобиля — системный обзор. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 371 9.4.3. Перспективы развития систем управления трансмиссией автомобиля . . . 378 9.5. Электроника для автомобильных информационноразвлекательных систем . . . 379 9.5.1. Приборная панель . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 379 9.5.2. Автомобильные аудиосистемы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 379 9.5.3. Системы телематики . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 380 9.5.4. Навигационные автомобильные системы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 381 9.5.5. Автомобильные мультимедийные системы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 382 9.5.6. Технологии совместного использования . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 382 9.6. Новые 42В системы электропитания автомобиля . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 384 9.6.1. Уточнение терминов: 12 В и 42 В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 384 9.6.2. Перспективы использования бортовой электросети 42 В (PowerNet) в рамках новых решений и концепций . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 385
Стр.8
INFSEMI_1TOC.fm, стр. 8 из 10 (September 7, 2010, 19:35) 8 IJ Содержание 9.6.3. Силовые полупроводниковые компоненты и напряжение питания 42 В. . 387 9.7. Достоинства и проблемы технологий электронного управления оборудованием 395 9.7.1. Системные требования . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 396 9.7.2. Возможности технологии xbywire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 396 9.7.3. Полупроводниковые решения для систем xbywire. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 399 9.8. Перспективы развития автомобильной электроники . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400 10. Развлекательная бытовая электроника . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 402 10.1. Виды широкополосной связи . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 402 10.1.1. Цифровизация кабельного телевидения . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 403 10.1.2. Развитие цифрового наземного ТВ вещания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 404 10.1.3. Улучшенная модель обратной связи в системе цифрового спутникового ТВ вещания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 407 10.2. MultiMediaCard — идеальное устройство хранения данных для мобильных пользовательских устройств . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 408 10.2.1. Широкий диапазон применений . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 409 10.2.2. Упор на стандартизацию . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 410 10.2.3. Гибкий интерфейс . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 410 10.2.4. 128 Мбайт в 2001 году . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 411 11. Коммуникационные модули. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 413 11.1. Общий обзор коммуникационных устройств и тенденции их развития . . . . . . . . 413 11.1.1. Стратегические ориентиры . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 414 11.1.2. Высокие темпы инноваций . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 414 11.1.3. Коммутационные ИС . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 414 11.1.4. Сетевые интегральные микросхемы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 414 11.1.5. Интегральные микросхемы оконечных устройств связи . . . . . . . . . . . . . . . 415 11.2. IDSN: от телефонной станции к абоненту. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 416 11.2.1. Функциональная структура ISDN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 417 11.2.2. Цифровые линейные карты . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 419 11.2.3. Контроллер расширенной линейной карты (ELIC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 419 11.2.4. Контроллер ISDNстанции с Dканалом (IDEC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 419 11.2.5. Uтрансивер для аналогового интерфейса . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 420 11.2.6. Контроллер высоковольтного источника питания ISDN (IHPC). . . . . . . . 420 11.2.7. Сетевое окончание. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 421 11.2.8. Контроллер интеллектуального сетевого окончания (INTC) . . . . . . . . . . . 421 11.2.9. DC/DCпреобразователь для сети ISDN (IDDC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 422 11.2.10. Схема фидера Sинтерфейса ISDN (ISFC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 422 11.2.11. Двухканальный кодекфильтр с цифровой обработкой сигнала . . . . . . . . 424 11.3. Оконечное оборудование ISDN: абонентское окончание . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 424 11.3.1. Телефон . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 424 11.3.2. Сменные PCкарты . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 426 11.3.3. Абонентский адаптер (TA) и USBадаптер S0интерфейса . . . . . . . . . . . . . 427 11.3.4. Комбинированная схема NT1 и TA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 427 11.3.5. Телефон высшего класса с USBS0адаптером и функцией абонентского адаптера (TA). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 427 11.4. Образцы разработки для ISDN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 428 11.4.1. Комплексные решения — основа успешного маркетинга . . . . . . . . . . . . . . 428 11.4.2. Аппаратное обеспечение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 429 11.4.3. Программное обеспечение. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 429 11.4.4. Доступ к сети ISDN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 429 11.4.5. ISDNтелефоны . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 430
Стр.9
INFSEMI_1TOC.fm, стр. 9 из 10 (September 7, 2010, 19:35) Содержание IJ 9 11.5. Анализ качества телефонной сети. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 430 11.5.1. Система TIQUS для контроля телефонных сетей . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 431 11.5.2. Проверка методом установления вызова: тестовое соединение . . . . . . . . . 431 11.5.3. Технологии доступа к сети ISDN, предлагаемые компанией Infineon. . . . 432 11.6. Снижение стоимости офисных АТС за счёт гибкого использования интегральных технологий. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 432 11.6.1. Экономически эффективные системные решения . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 433 11.6.2. Тенденция к миниатюризации . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 433 11.6.3. Специализированные ИС для цифровых офисных АТС . . . . . . . . . . . . . . . 433 11.6.4. Решения для PCMкоммутаторов. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 435 11.6.5. Использование ИС семейства SWITI для подключения к шинам H.100/H.110 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 436 11.7. Архитектура нового поколения мобильного оконечного оборудования — GOLDenfuture для GSM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 437 11.7.1. EGOLD — расширение стандартной платформы GOLD . . . . . . . . . . . . . . 437 11.7.2. Поддержка приложений. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 438 11.7.3. Новая платформа для разработки — первый шаг в будущее . . . . . . . . . . . . 439 11.7.4. Полнофункциональный GSMмодуль . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 439 11.8. Цифровые автоответчики. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 440 11.8.1. Использование DSPпроцессора для сжатия потока данных . . . . . . . . . . . 440 11.8.2. Одноканальный кодек . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 440 11.8.3. Оптимизация стоимости автоответчиков за счёт использования чипсета SAM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 441 11.8.4. Упрощение процесса разработки . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 445 11.9. Алгоритмы handsfree . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 445 11.9.1. Системы handsfree . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 445 11.9.2. Дуплексные системы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 445 11.9.3. Полудуплексные системы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 446 11.9.4. Реализация эхоподавления в дуплексных системах . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 446 11.9.5. Рекомендации ITUT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 449 11.10. Архитектуры DSL. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450 11.10.1. Основные понятия. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450 11.10.2. Использование оборудования ADSL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 452 12. Заказные интегральные схемы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 459 12.1. Полузаказные ИС . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 459 12.1.1. Вентильные матрицы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 459 12.1.2. ИС на основе готовых ячеек . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 460 12.1.3. Вентильная матрица или набор готовых ячеек? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 460 12.2. Используемые технологии . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 461 12.2.1. Биполярные полузаказные ИС . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 461 12.2.2. Полузаказные КМОП ИС . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 462 12.2.3. Биполярные вентильные матрицы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 462 12.2.4. Биполярные транзисторные матрицы (линейные матрицы). . . . . . . . . . . . 463 12.3. Варианты используемых корпусов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 463 12.4. Сотрудничество между производителями ИС и заказчиками . . . . . . . . . . . . . . . . . 464 13. Электромагнитная совместимость . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 466 13.1. Основные понятия. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 466 13.1.1. Природа электромагнитных помех. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 466 13.1.2. Нормы и стандарты электромагнитной совместимости. . . . . . . . . . . . . . . . 469 13.1.3. Методы измерения электромагнитной совместимости для интегральных схем . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 470
Стр.10
INFSEMI_1TOC.fm, стр. 10 из 10 (September 7, 2010, 19:35) 10 IJ Содержание 13.1.4. Модели, используемые при оценке устойчивости ИС к электростатическим разрядам (ESD) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 477 13.2. Электромагнитная совместимость автомобильных силовых ИС . . . . . . . . . . . . . . 480 13.2.1. Мощные ключевые ИС. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 481 13.2.2. Помехи, создаваемые DC/DCпреобразователями. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 484 13.2.3. Помехи, создаваемые коммуникационными ИС (CANтрансиверами) . . 485 13.2.4. Помехоустойчивость автомобильных мощных ключевых ИС. . . . . . . . . . . 486 13.2.5. Помехоустойчивость коммуникационных ИС (CANтрансиверов) . . . . . 487 13.2.6. Меры по обеспечению электромагнитной совместимости ИС в прикладных схемах с использованием внешних компонентов. . . . . . . . . 488 13.3. Электромагнитная совместимость микроконтроллеров . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 489 13.3.1. Автомобильные микроконтроллерные системы и тенденции развития их технологий . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 489 13.3.2. Проектирование печатной платы, оптимизированной с точки зрения электромагнитной совместимости . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 491 13.3.3. Измерение уровня помех, излучаемых микроконтроллерами . . . . . . . . . . . 495 13.3.4. Помехоустойчивость микроконтроллеров . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500 13.4. Обеспечение EMC в проводных системах связи. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500 13.4.1. Системы, компоненты и основные понятия. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 502 13.4.2. Проектирование печатных плат для высокоскоростных систем и меры по обеспечению целостности сигнала . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 502 13.5. Защита компонентов от электростатических разрядов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 511 13.5.1. Меры по защите ИС при контакте с электрически заряженными объектами . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 512 13.5.2. Защитные меры по предотвращению электростатического заряда ИС в процессе их производства . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 512 14. Корпуса ИС. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 513 14.1. Разработка корпусов ИС: от физики — к инновациям . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 513 14.2. Обзор корпусов полупроводниковых ИС . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 514 14.3. Движущие силы процесса разработки новых технологий корпусирования ИС . . 516 14.4. Состояние дел на мировом рынке корпусов ИС. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 517 14.4.1. Стандартизация . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 517 14.4.2. Мировые тенденции: корпуса микросхем памяти . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 517 14.4.3. Мировые тенденции: корпуса ИС . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 518 14.4.4. Общемировые тенденции развития пассивных модулей . . . . . . . . . . . . . . . 521 14.5. Корпуса с уплотнённым расположением выводов: оценка с точки зрения пользователя и альтернативные решения . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 521 14.6. Куда приведёт нас процесс совершенствования корпусов ИС?. . . . . . . . . . . . . . . . 522 14.7. Материалы, используемые при производстве корпусов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 524 14.7.1. Бессвинцовые и безгалогенные корпуса . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 524 14.7.2. Требования к содержанию различных веществ в устройствах и материалах . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 525 14.7.3. Сбои в работе программного обеспечения вследствие повышенной радиоактивности материалов корпусов компонентов. . . . . . . . . . . . . . . . . . 525 15. Контроль качества полупроводниковых компонентов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 527 15.1. Критерии, определяющие качество продукции . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 527 15.2. Меры по обеспечению качества бизнеспроцессов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 528 15.3. Технологичность с точки зрения пользователя. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 529 16. Глоссарий . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 535 16.1. Глоссарий . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 535
Стр.11

Облако ключевых слов *


* - вычисляется автоматически