Р О С С И Й С К А Я А К А Д Е М И Я Н А У К
СИБИРСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ
НАУЧНЫЙ ЖУРНАЛ
ОСНОВАН В ЯНВАРЕ 1965 ГОДА
Том 57
А В Т О М Е Т Р И Я
2021
СЕНТЯБРЬ — ОКТЯБРЬ
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
НАНОТЕХНОЛОГИИ В ОПТИКЕ И ЭЛЕКТРОНИКЕ
Гайслер В. А., Деребезов И. А., Гайслер А. В., Дмитриев Д. В., Бакаров А. К., Торопов
А. И., Качанова М. М., Живодков Ю. А., Латышев А. В., Скворцов М. Н.,
Игнатович С. М., Вишняков В. И., Квашнин Н. Л., Месензова И. С., Тайченачев
А. В., Багаев С. Н., Блинов И. Ю., Пальчиков В. Г., Самохвалов Ю. С.,
Парёхин Д. А. Лазеры с вертикальным резонатором для миниатюрных квантовых стандартов
частоты . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Дмитриев Д. В., Колосовский Д. А., Торопов А. И., Журавлев К. С. Механизмы удаления
оксидов с поверхности InP при прогреве в потоке мышьяка . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Рубцова Н. Н., Ковалёв А. А., Ледовских Д. В., Преображенский В. В., Путято М. А.,
Семягин Б. Р. Оптические затворы на основе полупроводниковых квантовых ям A3B5 . . .
Дворецкий С. А., Ступак М. Ф., Михайлов Н. Н., Макаров С. Н., Елесин А. Г.,
Верхогляд А. Г. Характеризация кристаллического совершенства слоёв гетероструктур
(013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs методом генерации второй гармоники . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Швец В. А., Марин Д. В., Азаров И. А., Якушев М. В., Рыхлицкий С. В. Эллипсометрические
in situ методы контроля температуры в технологии выращивания слоёв МЛЭ
КРТ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Уткин Д. Е., Царев А. В., Уткин Е. Н., Латышев А. В., Шкляев А. А. Широкополосные
просветляющие покрытия из частиц SiGe субволнового размера . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Хафизов Р. З., Старцев В. В., Москвичев В. Ю. Матричные болометрические детекторы
с высоким быстродействием. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Деребезов И. А., Гайслер А. В., Миронов А. Ю., Гайслер В. А. Микрорезонатор для
излучателей на основе одиночных полупроводниковых квантовых точек . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Александров И. А., Малин Т. В., Протасов Д. Ю., Pecz B., Журавлев К. С. Фотолюминесценция
квантовых ям GaN/AlN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Марченко А. В., Курусь Н. Н., Колосветов А. А., Милёхин А. Г. Эмиссия света монослоями
дисульфида молибдена . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Кидяров Б. И., Колосовский Е. А., Царев А. В., Неизвестный И. Г., Асеев А. Л.,
Латышев А. В., Чаплик А. В., Двуреченский А. В. Научное наследие С. В. Богданова
3
ВЫХОДИТ 6 РАЗ В ГОД
№ 5
4
11
18
29
Преображенский В. В., Чистохин И. Б., Путято М. А., Валишева Н. А., Емельянов
Е. А., Петрушков М. О., Плешков А. С., Неизвестный И. Г., Рябцев И. И.
Детекторы одиночных фотонов на основе лавинных фотодиодов InP/InGaAs/InP . . . . . . . . . . .
Русецкий В. С., Голяшов В. А., Миронов А. В., Дёмин А. Ю., Терещенко О. Е.
Фотоэмиссионные свойства мультищелочного фотокатода . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
38
48
58
70
77
88
93
99
106
Козлов А. И. Фундаментальные основы технологии мозаичных фотоприёмников сверхвысокой
размерности (концептуальный обзор) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
Павский К. В., Курносов М. Г., Ефимов А. В., Крамаренко К. Е., Перышкова Е. Н.,
Поляков А. Ю. Алгоритмы оптимизации выполнения параллельных программ на высокопроизводительных
системах при решении задач моделирования физических процессов . . . . . . 119
НОВОСИБИРСК
СИБИРСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ РАН
Стр.2
ГЛАВНЫЙ РЕДАКТОР А. М. ШАЛАГИН
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
ЗАМЕСТИТЕЛИ ГЛАВНОГО РЕДАКТОРА: Ю. Н. ЗОЛОТУХИН,
В. К. МАЛИНОВСКИЙ
ОТВЕТСТВЕННЫЙ СЕКРЕТАРЬ
А. Л. АСЕЕВ
С. А. БАБИН
С. М. БОРЗОВ
И. В. БЫЧКОВ
В. П. КОСЫХ
Г. Н. КУЛИПАНОВ
Ю. Н. КУЛЬЧИН
А. В. ЛАТЫШЕВ
Д. М. МАРКОВИЧ
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
В. П. БЕССМЕЛЬЦЕВ
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
РЕДАКЦИОННАЯ КОЛЛЕГИЯ:
Новосибирский государственный университет
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
Институт динамики систем
и теории управления им. В. М. Матросова СО РАН
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН
Дальневосточное отделение РАН
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Институт теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН
Е. С. НЕЖЕВЕНКО Институт автоматики и электрометрии СО РАН
О. И. ПОТАТУРКИН Институт автоматики и электрометрии СО РАН
В. А. СОЙФЕР
А. А. СПЕКТОР
С. К. ТУРИЦЫН
Институт систем обработки изображений РАН
Новосибирский государственный технический университет
Г. Е. ФАЛЬКОВИЧ
Ю. В. ЧУГУЙ
Ю. И. ШОКИН
Институт фотонных технологий
университета Астон, Великобритания
Институт Вейцмана, Израиль
Конструкторско-технологический институт
научного приборостроения СО РАН
Институт вычислительных технологий СО РАН
Ответственный за выпуск доктор физико-математических наук А. Г. Милёхин
Подготовлено к печати Сибирским отделением РАН
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
Заведующая редакцией Р. П. ШВЕЦ
УЧРЕДИТЕЛИ ЖУРНАЛА:
Сибирское отделение РАН,
Подписано в печать 06.10.2021. Выход в свет 31.10.2021. Формат (60 Ч 84) 1/8. Усл. печ. л. 13,95.
Уч.-изд. л. 11,2. Тираж 102 экз. Свободная цена. Заказ № 55.
Журнал зарегистрирован в Министерстве РФ по делам печати, телерадиовещания
и средств массовых коммуникаций 31.05.2002. Свидетельство ПИ № 77-12809
Адрес редакции: Институт автоматики и электрометрии СО РАН,
просп. Академика Коптюга, 1, Новосибирск 630090,
тел. 8(383) 330-79-38, E-mail: automr@iae.nsk.su
Сибирское отделение РАН
630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 17
Отпечатано в Сибирском отделении РАН
630090, г. Новосибирск, Морской просп., 2
тел. 8 (383) 330-84-66
E-mail: e.lyannaya@sb-ras.ru https://www.sibran.ru
-c Сибирское отделение РАН, 2021
-c Институт автоматики и
электрометрии СО РАН, 2021
Стр.3