Известия высших учебных заведений.
ЭЛЕКТРОНИКА
Том 24, № 1, 2019
январь – февраль
Научно-технический журнал
Издается с 1996 г.
Выходит 6 раз в год
Учредитель и издатель: Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
Главный редактор: Чаплыгин Юрий Александрович, академик РАН, д.т.н.,
проф., МИЭТ (Москва, Россия)
Редакционная коллегия:
Гаврилов Сергей Александрович – заместитель главного редактора, д.т.н., проф., МИЭТ
(Москва, Россия)
Бархоткин Вячеслав Александрович – д.т.н., проф., МИЭТ (Москва, Россия)
Бахтин Александр Александрович – канд.т.н., доц., МИЭТ (Москва, Россия)
Беневоленский Сергей Борисович – д.т.н., проф., ФГБНУ «Научно-исследовательский
институт – Республиканский исследовательский научно-консультационный центр экспертизы»
(Москва, Россия)
Быков Дмитрий Васильевич – д.т.н., проф., Национальный исследовательский университет
«Высшая школа экономики» (Москва, Россия)
Гаврилов Сергей Витальевич – д.т.н., проф., Институт проблем проектирования в микроэлектронике
РАН (Москва, Россия)
Гапоненко Сергей Васильевич – акад. НАН Беларуси, д.физ.-мат.н., проф., Белорусский
республиканский фонд фундаментальных исследований (Минск, Беларусь)
Горбацевич Александр Алексеевич – чл.-корр. РАН, д.физ.-мат.н., проф., Физический институт
им. П.Н. Лебедева РАН (Москва, Россия)
Грибов Борис Георгиевич – чл.-корр. РАН, д.хим.н., проф., АО «НИИМЭ» (Москва, Россия)
Коноплев Борис Георгиевич – д.т.н., проф., Южный федеральный университет (Таганрог,
Россия)
Коркишко Юрий Николаевич – д.физ.-мат.н., проф., НПК «Оптолинк» (Москва, Россия)
Королёв Михаил Александрович – д.т.н., проф., МИЭТ (Москва, Россия)
Красников Геннадий Яковлевич – акад. РАН, д.т.н., проф., АО «НИИМЭ» (Москва, Россия)
Кубарев Юрий Васильевич – д.физ.-мат.н., проф., Фонд «Сколково», ООО «Центр плазменных
и вакуумных технологий» (Москва, Россия)
Лабунов Владимир Архипович – акад. НАН Беларуси, иностранный член РАН, д.т.н.,
проф., Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
(Минск, Беларусь)
Максимов Иван Александрович – PhD, проф., Университет города Лунд (Швеция)
Меликян Вазген Шаваршович – чл.-корр. НАН Армении, д.т.н., проф., ЗАО «Синопсис
Армения» (Ереван, Армения)
Неволин Владимир Кириллович – д.физ.-мат.н., проф., МИЭТ (Москва, Россия)
Неволин Владимир Николаевич – д.физ.-мат.н., проф., Физический институт
им. П.Н. Лебедева РАН (Москва, Россия)
Петросянц Константин Орестович – д.т.н., проф., Национальный исследовательский
университет «Высшая школа экономики» (Москва, Россия)
© “Известия вузов. Электроника”, 2019
© МИЭТ, 2019
Стр.3
Сазонов Андрей Юрьевич – PhD, проф., Университет Ватерлоо (Канада)
Сауров Александр Николаевич – акад. РАН, д.т.н., проф., Институт нанотехнологий микроэлектроники
РАН (Москва, Россия)
Селищев Сергей Васильевич – д.физ.-мат.н., проф., МИЭТ (Москва, Россия)
Сигов Александр Сергеевич – акад. РАН, д.физ.-мат.н., проф., МИРЭА – Российский технологический
университет (Москва, Россия)
Сидоренко Анатолий Сергеевич – акад. АН Молдовы, д.физ.-мат.н., проф., Институт электронной
инженерии и нанотехнологий АНМ (Кишинев, Молдова)
Таиров Юрий Михайлович – д.т.н., проф., Санкт-Петербургский государственный электротехнический
университет «ЛЭТИ» им. В.И.Ульянова (Ленина) (Санкт-Петербург, Россия)
Телец Виталий Арсеньевич – д.т.н., проф., Национальный исследовательский ядерный
университет «МИФИ» (Москва, Россия)
Тимошенков Сергей Петрович – д.т.н., проф., МИЭТ (Москва, Россия)
Усанов Дмитрий Александрович – д.физ.-мат.н., проф., Саратовский государственный
университет им. Н.Г. Чернышевского (Саратов, Россия)
Юриш Сергей Юрьевич – канд.т.н., IFSA Publishing, S.L. (Барселона, Испания)
Заведующая редакцией С.Г. Зверева
Редактор А.В. Тихонова
Научный редактор С.Г. Зверева
Корректор И.В. Проскурякова
Верстка А.Ю. Рыжков, С.Ю. Рыжков
Адрес редакции: 124498, Россия, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1, МИЭТ
Тел.: 8-499-734-6205
Е-mail: magazine@miee.ru
http://ivuz-e.ru
Адрес издателя: 124498, Россия, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1, МИЭТ.
Адрес полиграфического предприятия: 124498, Россия, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина,
д. 1, МИЭТ.
Подписано в печать 12.02.2019. Формат бумаги 6084 1/8. Цифровая печать.
Объем 11,625 усл.печ.л., 11,4 уч.-изд.л. Тираж 180 экз. Заказ № 15. Свободная цена.
Свидетельство о регистрации СМИ ПИ № ФС 77-72307 от 01.02.2018.
Включен ВАК в Перечень рецензируемых научных изданий, в которых должны быть опубликованы
основные научные результаты диссертаций на соискание ученой степени кандидата наук, на соискание
ученой степени доктора наук.
Включен в Российский индекс научного цитирования и в Рейтинг Science Index.
Включен в Russian Science Citation Index на платформе Web of Science.
Является членом Cross Ref.
Плата за публикацию статей не взимается.
Подписной индекс в каталоге Агентства «Роспечать» – 47570
2
Известия вузов. Электроника / Proceedings of Universities. Electronics 2019 24(1)
Стр.4
СОДЕРЖАНИЕ
Фундаментальные исследования
полупроводников типа AIIIBV в сильных постоянных электрических полях и при гармоническом
воздействии .............................................................................................................................................................. 7
Малышев И.В., Филь К.А., Гончарова О.А. Определение компонент объемной проводимости
Материалы электроники
Белогорохов И.А., Белогорохова Л.И. Исследование композиционных материалов на основе
полистирола и сахарозы методом ИК-спектроскопии .......................................................................... 16
Технологические процессы и маршруты
Белов А.Н., Голишников А.А., Костюков Д.А., Шевяков В.И. Металлизация высокотемпературных
кремниевых ИС на основе сплава вольфрама с титаном ......................................................... 22
Евдокимова Н.Л., Долгов В.В., Иванов К.А. Определение теплового сопротивления кристалл –
корпус полупроводникового прибора из его кривой охлаждения ....................................................... 30
Элементы интегральной электроники
Гуминов Н.В., Мьо Мин Тхант, Романюк В.А., Шомахмадов Д.П. Сравнение характеристик
GaAs и GaN HEMT-транзисторов .......................................................................................................... 42
Информационно-коммуникационные технологии
Матюшкин И.В., Заплетина М.А. Отражение и транспонирование данных в матрице клеточно-автоматного
вычислителя ................................................................................................................. 51
Минаков Е.И., Валихин Г.А. Определение потерь распространения радиолокационной волны
вблизи земной поверхности .................................................................................................................... 64
Ермошенко Ю.М. Модель вектора состояния в виде квазислучайного процесса для комплексного
аэрологического радиозондирования атмосферы ........................................................................ 72
Виноградов А.Н. Модель системы управления движением мобильного робота на основе нечеткой
логики ................................................................................................................................................ 79
Краткие сообщения
Ключников А.С., Красюков А.Ю., Артамонова Е.А., Королёв М.А., Ефимова Д.И. Влияние
толщины пленки кремния КНИ-структуры на параметры планарного беспереходного МОПтранзистора
.............................................................................................................................................. 87
Сергеев В.А., Фролов И.В., Радаев О.А. Cвязь уровня фототока светоизлучающих InGaN/GaNгетероструктур
с уровнем НЧ-шума и порогового тока ...................................................................... 92
Открытие Центра компетенций национальной технологической инициативы «Сенсорика» в
МИЭТ ....................................................................................................................................................... 97
Объединенная выставка ЭлектронТехЭкспо и ЭкспоЭлектроника .............................
26-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов
и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2019» ..............................................
3 стр. обложки
4 стр. обложки
Известия вузов. Электроника / Proceedings of Universities. Electronics 2019 24(1)
3
Стр.5
Proceedings of Universities.
ELECTRONICS
Volume 24, No. 1, 2019
January – February
The scientifical and technical journal
Published since 1996
Published 6 times per year
Founder and Publisher: National Research University of Electronic Technology
Editor-in-Chief: Yury A. Chaplygin – Acad. RAS, Dr. Sci. (Eng.), Prof., MIET (Moscow,
Russia)
Editorial Board:
Sergey A. Gavrilov – Deputy Editor-in-Chief, Dr. Sci. (Eng.), Prof., MIET (Moscow, Russia)
Aleksandr A. Bakhtin – Cand. Sci. (Eng.), Assoc. Prof., MIET (Moscow, Russia)
Vyacheslav A. Barhotkin – Dr. Sci. (Eng.), Prof., MIET (Moscow, Russia)
Sergey B. Benevolensky – Dr. Sci. (Eng.), Prof., Scientific Research Institute – Federal Research
Centre for Projects Evaluation and Consulting Services (Moscow, Russia)
Dmitri V. Bykov – Dr. Sci. (Eng.), Prof., National Research University Higher School
of Economics (Moscow, Russia)
Sergey V. Gavrilov – Dr. Sci. (Eng.), Prof., Institute for Design Problems in Microelectronics of
RAS (Moscow, Russian)
Sergey V. Gaponenko – Acad. NAS of Belarus, Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., Belarusian Republican
Foundation for Fundamental Research (Minsk, Republic of Belarus)
Aleksandr A. Gorbatsevich – Cor. Mem. RAS, Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., P.N. Lebedev Physical
Institute of the RAS (Moscow, Russia)
Boris G. Gribov – Cor. Mem. RAS, Dr. Sci. (Chem.), Prof., JSC «NIIME» (Moscow, Russia)
Boris G. Konoplev – Dr. Sci. (Eng.), Prof., Southern Federal University (Taganrog, Russia)
Yury N. Korkishko – Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., SMS «Optolink» (Moscow, Russia)
Mikhail A. Korolev – Dr. Sci. (Eng.), Prof., MIET (Moscow, Russia)
Gennady Y. Krasnikov – Acad. RAS, Dr. Sci. (Eng.), Prof., JSC «NIIME» (Moscow, Russia)
Yuri V. Kubarev – Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., The Skolkovo Foundation, LLC «Center for
Plasma and Vacuum Technologies» (Moscow, Russia)
Vladimir A. Labunov – Acad. NAS of Belarus, Foreign member of RAS, Dr. Sci. (Eng.), Prof.,
Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics (Minsk, Republic of Belarus)
Ivan A. Maksimov - PhD, Prof., Lund University (Sweden)
Vazgen S. Melikyan – Cor. Mem. NAS of Armenia, Dr. Sci. (Eng.), Prof., CJS Company
«Sinopsis, Armenia» (Yerevan, Republic of Armenia)
Vladimir K. Nevolin – Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., MIET (Moscow, Russia)
Vladimir N. Nevolin – Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., P.N. Lebedev Physical Institute of the RAS
(Moscow, Russia)
Konstantin O. Petrosyantz – Dr. Sci. (Eng.), Prof., National Research University Higher School
of Economics (Moscow, Russia)
Aleksandr N. Saurov – Acad. RAS, Dr. Sci. (Eng.), Prof., Institute of Nanotechnology of Microelectronics
of the RAS (Moscow, Russia)
Andrey Y. Sazonov - PhD, Prof., University of Waterloo (Canada)
Sergey V. Selishchev – Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., MIET (Moscow, Russia)
© “Proceedings of Universities. Electronics”, 2019
© MIET, 2019
4
Известия вузов. Электроника / Proceedings of Universities. Electronics 2019 24(1)
Стр.6
Anatolie S. Sidorenko – Acad. AS of Moldova, Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., Institute of the
Electronic Engineering and Nanotechnologies ASM (Chisinau, Republic of Moldova)
Aleksandr S. Sigov – Acad. RAS, Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., MIREA – Russian Technological
University (Moscow, Russia)
Yury M. Tairov – Dr. Sci. (Eng.), Prof., Saint-Petersburg Electrotechnical University (LETI)
(St. Petersburg, Russia)
Vitaly A. Telets – Dr. Sci. (Eng.), Prof., National Research Nuclear University MEPhI (Moscow,
Russia)
Sergey P. Timoshenkov – Dr. Sci. (Eng.), Prof., MIET (Moscow, Russia)
Dmitry A. Usanov – Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., National Research Saratov State University
(Saratov, Russia)
Sergey Yu. Yurish – Cand. Sci. (Eng.), IFSA Publishing, S.L. (Barcelona, Spain)
Head of editorial staff Zvereva S.G.
Chief editors Tikhonova A.V., Proskuryakova I.V.
Make-up Ryzhkov S.Yu., Ryzhkov A.Yu.
Editorial Board’s address: 124498, Russia, Moscow, Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square, MIET, editorial
office of the Journal «Proceedings of Universities. Electronics»
Tel.: +7-499-734-62-05
E-mail: magazine@miee.ru
http://ivuz-e.ru
Publisher’s address: 124498, Russia, Moscow, Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square, MIET
Printery address: 124498, Russia, Moscow, Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square, MIET
Signed to print 12.02.2019. Sheet size 6084 1/8. Digital printing. Conventional printed
sheets 11,625. Number of copies 180. Order no. 15. Free price.
The media registration certificate ПИ № ФС 77-72307 of 01.02.2018.
The journal is included into the List of reviewed scientific publications, in which the main scientific
results of thesis for candidate of science and doctor degrees must be published.
The journal is included into the Russian index of scientific citing and into the Rating Science Index.
The journal is included into the Russian Science Citation Index on the Web of Science basis.
Is the member of Cross Ref.
The fee for the publication of articles is not charged.
The subscription index in catalogue of Agency Rospechat – 47570
Известия вузов. Электроника / Proceedings of Universities. Electronics 2019 24(1)
5
Стр.7
CONTENTS
Fundamental researches
Malyshev I.V., Fil K.A., Goncharova O.A. Determination of the AIIIBV Type Semiconductors Bulk
Conductivity in Strong Constant Electric Fields and with Harmonic Effects ................................................. 7
Electronics materials
Belogorokhov I.A., Belogorokhova L.I. The Study of Composite Materials Based on Polystyrene and
Sucrose by the IR-Spectroscopy Method ................................................................................................... 16
Technological processes and routes
Belov A.N., Golishnikov A.A., Kostyukov D.A., Shevyakov V.I. Metallization of High-Temperature
Silicon ICs Based on Tungsten Titanium Alloy ......................................................................................... 22
Evdokimova N.L., Dolgov V.V., Ivanov K.A. Determination of Junction-to-Case Thermal Resistance
from One Transient Cooling Curve ............................................................................................................ 30
Integrated electronics elements
Guminov N.V., Myo Min Thant, Romanjuk V.A., Shomakhmadov D.P. Comparison of GaAs and
GaN HEMT Characteristics ...................................................................................................................... 42
Information-communication technologies
Matyushkin I.V., Zapletina M.A. Data Reflection and Transposition in the Matrix of a Cellular Automata
Computator .................................................................................................................................... 51
Minakov E.I., Valikhin G.A. Determination of Propagation Factor of a Radar Wave Near Earth Surface
............................................................................................................................................................................. 64
Ermoshenko Yu.M. Model of State Vector in the Form of a Quasi-Random Process for Complex
Upper-Air Sounding of the Atmosphere .............................................................................................................. 72
Vinogradov A.N. Model of a Mobile Robot Movement Control System Based on Fuzzy Logic ............ 79
Brief reports
Klyuchnikov A.S., Krasyukov A.Yu., Artamonova E.A., Korolev M.A., Efimova D.I. Dependence of
Silicon Film Thickness on SOI-Lateral Junctionless MOSFET’s Parameters........................................... 87
Sergeev V.A., Frolov I.V., Radaev O.A. Relationship between Photocurrent Level of Light-Emitting
InGaN/GaN Heterostructures and Level of Low-Frequency Noise and Threshold Current ...................... 92
6
Известия вузов. Электроника / Proceedings of Universities. Electronics 2019 24(1)
Стр.8