Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634655)
Контекстум
.
Микроэлектроника (РАН)

Микроэлектроника (РАН) №3 2018 (1209,60 руб.)

0   0
Страниц72
ID628241
АннотацияОснован в 1972 г. Публикуются статьи, посвященные технологическим, физическим и схемотехническим аспектам микро- и наноэлектроники. Особое внимание уделяется новым тенденциям в литографии, травлению, легированию, осаждению и планаризации на субмикронном и нанометровом уровнях, плазменным технологиям, молекулярно-пучковой эпитаксии и сухому травлению, а также методам исследования и контроля поверхностей и многослойных структур. Обсуждаются вопросы приборно-технологического моделирования и диагностики технологических процессов в реальном времени. Публикуются статьи о полупроводниковых приборах на базе новых физических явлений, таких как квантовые размерные эффекты и сверхпроводимость.
Микроэлектроника (РАН) .— Москва : НАУКА .— 2018 .— №3 .— 72 с. — URL: https://rucont.ru/efd/628241 (дата обращения: 23.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Основан в 1972 г. Публикуются статьи, посвященные технологическим, физическим и схемотехническим аспектам микро- и наноэлектроники. <...> Особое внимание уделяется новым тенденциям в литографии, травлению, легированию, осаждению и планаризации на субмикронном и нанометровом уровнях, плазменным технологиям, молекулярно-пучковой эпитаксии и сухому травлению, а также методам исследования и контроля поверхностей и многослойных структур. <...> Обсуждаются вопросы приборно-технологического моделирования и диагностики технологических процессов в реальном времени. <...> Публикуются статьи о полупроводниковых приборах на базе новых физических явлений, таких как квантовые размерные эффекты и сверхпроводимость. <...>
Микроэлектроника_№3_2018.pdf
СОДЕРЖАНИЕ Том 47, номер 3, 2018 ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ Влияние дозы экспонирования на стойкость негативного электронного резиста HSQ в процессах плазмохимического и химического травления А. В. Мяконьких, Н. А. Орликовский, А. Е. Рогожин, А. А. Татаринцев, К. В. Руденко ДИАГНОСТИКА Гелиевые пузыри в слоях Si(001) после высокодозовой имплантации и термического отжига А. А. Ломов, А. В. Мяконьких, Ю. М. Чесноков Лазерная методика оценки параметров чувствительности бис к эффектам воздействия отдельных заряженных частиц А. И. Чумаков МДМ-структГеометрические эффекты в вольт-амперной зависимости крестообразной И. В. Маликов, В. А. Березин, Л. А. Фомин, Г. М. Михайлов уры Ni /NiO /Fe 205 Магнитно-силовая микроскопия нанопроволок железа и никеля, полученных методом матричного синтеза Д. А. Бизяев, А. А. Бухараев, Р. И. Хайбуллин, Н. М. Лядов, Д. Л. Загорский, С. А. Бедин, И. М. Долуденко Исследование динамических характеристик высокотемпературных элементов КНИ КМОП СБИС А. С. Бенедиктов, Н. А. Шелепин, П. В. Игнатов, А. А. Михайлов, А. Г. Потупчик МОДЕЛИРОВАНИЕ Расчёт высокочастотной элекропроводности тонкого металлического слоя в случае эллипсоидальной поверхности Ферми И. А. Кузнецова, Д. Н. Романов, А. А. Юшканов Расчет АЧХ МЭМС-микрофона c помощью конечно-элементного моделирования Д. М. Григорьев, И. В. Годовицын, В. В. Амеличев, С. С. Генералов Расчётно-экспериментальная оценка надёжности глубокосубмикронных КНИ МОП-транзисторов при высоких температурах А. С. Бенедиктов, Н. А. Шелепин, П. В. Игнатов 244 226 238 222 212 198 187 179
Стр.1