МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ УДК 621315; 548552; 54628 Tеплопроводность пленок Pb0.96Mn0.04Se Р. С. Мадатов, И. Р. Нуриев, А. И. Наджафов, Ш. С. Исмаилов, Р. М. Мамишова Исследована теплопроводность поликристаллических тонких пленок Pb0.96Mn0.04Se в области температур 77–320 К. <...> Установлено, что рассеяние фононов на границах кристаллитов и поверхности пленки являются незначительным, что следует из факта отсутствия зависимости решеточной теплопроводности от толщины и размеров кристаллитов c d = 3,0ч5,0 мкм. <...> В исследуемых образцах рассеяние фононов в основном происходит на дефектах, связанных с несовершенством структуры пленок и атомов примеси. <...> Среди этих материалов особый интерес представляют соединения типа PbSe, PbTe и твердые растворы на их основе. <...> Наличие в кристаллической решетке полупроводников такого типа ионов элементов тяжелых металлов (свинец, олово) обеспечивает высокую термическую устойчивость соответствующих пленок и изготовленных на их основе приборов. <...> В ряде работ [1, 2] наблюдалось существенное влияние структуры пленок на основе соединений AIVBVI и АVВVI (из групп халькогенидов) на процессы переноса заряда в них, которые авторы связывают в основном с рассеянием носителей на границе зерен. <...> Влияние граничного рассеяния фононов на теплопроводность пленок Bi2Te3 более слабое по сравнению с пленками Bi2Sb1.5Te3, что указывает на различную роль длинноволновых фононов в теплопроводности указанных материалов. <...> Обычно границы зерен в пленках данных материалов имеют дислокационную природу [3, 4], что ведет к образованию потенциальных барьеров на них, оказывающих заметное влияние на кинетические коэффициенты. <...> Кроме того, в отличие от объемных кристаллов, в пленках по мере уменьшения толщины пленок свойства их изменяются вследствие заметного вклада поверхностной проводимости носителей и энергетических состояний. <...> Существенно также влияние переходного слоя между пленкой и подложкой, неоднородности по толщине, обусловленной способом <...>