КОНСТРУИРОВАНИЕ И ПРОИЗВОДСТВО ДАТЧИКОВ, ПPИБОPОВ И СИСТЕМ УДК 621.3.049.77:543.275.1 МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ ДАТЧИК ВЛАЖНОСТИ М. И. <...> Горлов, Д. Л. Ануфриев, Н. А. Шишкина Предложены конструкция микроэлектронного датчика влажности поверхностно-конденсационного типа и методика измерения содержания паров воды внутри корпусов интегральных схем. <...> Развитие интегральных схем (ИС) связано с увеличением степени интеграции, т. е. числа элементов на кристалле и функциональной сложности. <...> Однако при этом повышается их чувствительность к процессам, происходящим на поверхности кристалла, особенно связанным с содержанием влаги внутри корпусов ИС. <...> Учитывая современные технические требования к ИС по надежности [1], весьма важно подробно изучать механизмы отказов, анализ причин и источников попадания влаги в корпуса. <...> Этому способствует точная оценка содержания паров воды внутри корпуса ИС. <...> Обобщая данные об отказах ИС, вызванных наличием паров воды в подкорпусном объеме, можно заключить, что для большинства ИС существует критический уровень влажности, при котором начинается деградация электрических параметров, а затем и коррозия металлов [2]. <...> Согласно отраслевому стандарту [3], допустимый уровень объемной доли влаги в подкорпусном пространстве ИС при температуре 100 °C не должен превышать 0,5 %. <...> Масс-спектрометрия датчиков влажности, герметизируемых в корпусе ИС Методы измерения влажности в корпусах ИС ная доля влаги внутри корпуса при температуре 25 °C составляет не более 0,05 %. <...> В военном стандарте США [6] норма по содержанию влаги в корпусе при 100 °C установлена равной 5000 и 6000 ppm (эквивалентно объемной доле 0,5 и 0,6 %) соответственно для монолитных ИС и гибридных интегральных схем (ГИС), что примерно эквивалентно 500 ppm при температуре 25 °C [2]. <...> К настоящему времени в мировой практике разработан ряд средств и методов контроля, и с их помощью проведены исследования влажности в корпусах ИС, позволившие установить нормы влажности и ввести <...>