Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 636199)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Датчики и системы. Sensors & Systems  / №1 (104) 2008

МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ СТРУКТУР КНС. ОДНОМЕМБРАННЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ (150,00 руб.)

0   0
Первый авторКозлов
АвторыПирогов А.В., Стучебников В.М.
Страниц6
ID601022
АннотацияМетодом конечных элементов проведен расчет напряженного состояния поверхности чувствительных элементов (ЧЭ) на основе структур КНС в двухслойных тензопреобразователях (ТП) давления одномембранного типа и соответствующих изменений сопротивления тензорезисторов, расположенных на ЧЭ. Результаты расчета хорошо согласуются с экспериментальными данными и могут быть использованы для оптимизации характеристик ТП.
УДК53.082.731
Козлов, А.И. МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ СТРУКТУР КНС. ОДНОМЕМБРАННЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ / А.И. Козлов, А.В. Пирогов, В.М. Стучебников // Датчики и системы. Sensors & Systems .— 2008 .— №1 (104) .— С. 6-11 .— URL: https://rucont.ru/efd/601022 (дата обращения: 19.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Результаты, даваемые векторноаналитическим способом расчета, свидетельствуют о целесообразности создания программного обеспечения для автоматического расчета погрешности данным методом с использованием базы данных значений метрического тензора для разных доверительных вероятностей и законов распределения. <...> Валерий Дмитриевич Мазин — д-р техн. наук, профессор Санкт-Петербургского государственного политехнического университета (С-Пб ГПУ);  (812) 297-60-01 E-mail: masin@list.ru Алексей Николаевич Чепуштановаспирант С-Пб ГПУ, сотрудник ООО “Мониторинг”  (812) 327-57-55 E-mail: can_c@mail.ru  УДК 53.082.731 МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ СТРУКТУР КНС. <...> Козлов, А. В. Пирогов, В. М. Стучебников Методом конечных элементов проведен расчет напряженного состояния поверхности чувствительных элементов (ЧЭ) на основе структур КНС в двухслойных тензопреобразователях (ТП) давления одномембранного типа и соответствующих изменений сопротивления тензорезисторов, расположенных на ЧЭ. <...> Результаты расчета хорошо согласуются с экспериментальными данными и могут быть использованы для оптимизации характеристик ТП. <...> Тензопреобразователи (ТП) давления на основе тензочувствительных элементов, изготовленных из гетероэпитаксиальных структур “кремний на сапфире” (КНС), обладают рядом преимуществ в сравнении с другими микроэлектронными тензорезисторными преобразователями [1]. <...> В таких ТП чувствительный элемент (ЧЭ) жестко соединен с титановой упругой мембраной, выполненной заодно с кольцевым основанием. <...> Упругая мембрана воспринимает либо непосредственно давление измеряемой среды, либо усилие от приемной мембраны, соединенной с упругой мембраной штоком (рис. <...> Такая конструкция позволяет выпускать ТП на различные пределы измерения (в ПГ МИДА — от 4 кПа до 250 МПа [2]), используя один и тот же плоский чувствительный элемент из КНС и изменяя лишь геометрию упругой и приемной мембран. <...> Вместе с тем эти размеры должны <...>

Облако ключевых слов *


* - вычисляется автоматически
Антиплагиат система на базе ИИ