РРС г. Ульяновска УДК 53.082.731 МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ СТРУКТУР КНС. <...> Козлов, А. В. Пирогов, В. М. Стучебников Методом конечных элементов проведен расчет напряженного состояния поверхности чувствительных элементов (ЧЭ) на основе структур КНС в двухслойных тензопреобразователях давления двухмембранного типа и соответствующих изменений сопротивления тензорезисторов, расположенных на ЧЭ. <...> Результаты расчета хорошо согласуются с экспериментальными данными по распределению чувствительности тензорезисторов по поверхности ЧЭ и могут быть использованы для оптимизации характеристик ТП. <...> В тензопреобразователях (ТП) давления на основе структур КНС [2, 3] измеряемое давление подается как непосредственно на упругую металлическую мембрану с закрепленным на ней чувствительным элементом (ЧЭ), так и на приемную мембрану, соединенную с упругой штоком (рис. <...> Двухмембранная конструкция ТП давления позволяет расширить диапазон измерения в сторону низких давлений (до 4 кПа в датчиках МИДА) а также создавать ТП с открытой мембраной для измерения давления вязких и кристаллизующихся сред. <...> Кроме того, изменяя материал воспринимающей мембраны, можно производить датчики для измерения давления различных агрессивных сред. <...> Для проектирования ТП с высокими метрологическими характеристиками необходимо знать детальное распределение деформаций на поверхности ЧЭ и влияние конструкции на основные характеристики ТП. <...> Однако аналитического решения задачи о распределении деформаций в реальном ТП мембранного типа не существует. <...> В работе [1] было показано, что реальное распределение деформации (и, соответственно, чувствительности кремниевых тензорезисторов в мостовой схеме) для ТП мембранного типа значительно отличается от классического для мембраны, жестко защемленной по контуру, и может быть промоделировано только численно. <...> Недавно к такому же выводу пришли авторы работы [4], проведшие <...>